隨著於西班牙巴塞隆納舉辦的 2011 世界行動通訊大會完滿結束，市場調查機構 DRAMeXchange 23 日發表最新調查報告，指出將有多款新一代流動通訊產品於 2011 年或以後面世， 單是 2011 年全球手機出貨量便將達 14 億台，其中受惠於智慧型手機市場， eMMC 需求日益增加，而且內建式的 NAND Flash 需求也將進一步提升。

據 DRAMeXchange 統計顯示，隨著智慧型手機於已發展國家中受廣泛使用，去年全球手機出貨量達到 13 億台，其中智慧型手機的滲透率為 18% ，整體出貨較 2009 年成 長將近 40% ，出貨量近接 2 億 4 千萬台。預期， 2011 年全球手機出貨量可較去年成長近 10% ，達到 14 億台，當中智慧型手機將受惠於更多平價的 Android 智慧型手機興起，滲透率可達到 30% ~ 32% ，出貨量更可望由去年 2 億 4 千萬台，攀升至 4 億 3 千萬台，升幅達 80% 。

同時，隨著不少廠商已為新一代 4G/LTE 的智慧型手機透露了一整年的產品規劃， DRAMeXchange 指出採用 4G 、 LTE 與 NFC 等高速傳輸技術的應用開始步入商業化的階段，預期電信業者將在 下半年陸續採用，加上在硬體方面，雙核心、 3D 拍照功能進一步提升智慧型手機效能， DRAMeXchange 將預期智慧型手機高成長率將持續攀升，並最少能維持至 2013 年或以後。

市場調查機構 DRAMeXchange 17 日發表 2 月上旬 NAND Flash 市場調查報告，受到農曆新年假期買氣提升， NAND Flash 合約價大致表現持平，但預期假期完結後，隨著記憶卡及 UFD 通路市場回復到傳統淡季，廠商對補貨意欲保守，令 3 月份合約價有機會緩跌，幸好受惠平板電腦發智慧型手機走勢依然理想，以舒緩記憶卡淡季影響。

自去年中 NAND Flash 合約價走勢不斷下跌後， 2011 年開始其跌勢終於回穩，其中 NAND 32Gb 4Gx8 MLC 合約均價由接近 7.5 美元跌至接近 3.5 美元，最終截至 2011 年 2 月才回升至 4 美元。 64Gb 8Gx8 MLG 合約均價則一度由超過 15 美元一直跌至接近 7 美元，並於 2011 年漸見回穩。

據 DRAMeXchange 表示，主要原因是 2011 年 2 月上旬受到農曆新年假期買氣刺激，加上廠商於假期補貨動作暫緩，令 NAND Flash 合約價於 2 月上旬大致呈現持平的狀況，不過隨著假期結束，預期月下旬不少因素將會影響 NAND Flash 市場走勢。

DRAM 價格經過去年大幅度下降後，於 2011 年 1 月開始逐漸見底，並於剛過去的農曆新年前反彈回升。據市場調查機構 DRAMeXchange 表示，二月上旬合約價落底反彈趨勢確立，其中 DDR3 4GB 合約價錄得漲幅約 3.33% ，同時，現貨市場 DDR3 顆粒價格於農曆新年前上漲逾 20% ，加上二月中開始 DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢，將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。

據市場調查機構 DRAMeXchange 15 日發表的 DRAM 二月上旬報告指出，自去年第四季合約價格下跌 50% 後，今年開始合約價格逐漸接近底，隨著一月份合約價跌幅縮小，二月上旬合約價落底反彈趨勢確立，其中 DDR3 2GB 合約均價低位漲幅約 3.23% ， DDR3 4GB 漲幅約 3.33% ，成交價由 30 美元 (2Gb $1.72) 上漲至 31 美元 (2Gb $1.78) 。

儘管 Intel 於 1 月 31 日發生 Sandy Bridge 晶片組問題，但據 DRAMeXchange 預估表示，其問題對 DRAM 需求衝擊不大，而且二月中開始修正後的新晶片組將陸續出貨，亦讓合約價格的議定開始有止跌反彈的走向， DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢，將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。