市場調查機構 DRAMeXchange 30 日發表 NAND Flash 調查報告，指 NAND Flash3 月份上旬合約價雖然未有因日本地震影響而出現上漲，但下旬合約價卻因受災地產生短缺消息浮現而出現上漲，其中 3 月份主流 MLC NAND Flash 合約均價上漲約達 5-15% 。

據 DRAMeXchange 表示，自日本 3 月 11 日發生地震後，現貨市場對 NAND Flash 供應危機而出現急漲，但當時仍未有對合約價造成影響，但隨著 Toshiba 與 SanDisk 合資的四日市廠房也因地震而將產生一些晶圓投片量的減損，加上 IC 上游原物料的供給量因產生短缺的消息浮現，逐令 NAND Flash 3 月份下旬合約價上升。

其中， 3 月份主流的 MLC NAND Flash 合約均價上漲約達 5-15% ，但 TLC 合約均價卻出現 10% 跌幅，主要原因是供應商對其 2xnm TLC 新產品採取了優惠定價策略藉此記憶卡及 UFD 客戶增加採購。

受日本地震使 DRAM 原料供應以及交通運輸影響，不少 PC-OEM 廠商為拉高庫存水位來面對未來出貨的需求，令 DRAM 需求轉趨積極，據 DRAMeXchange 調查報告指出，三月份 DRAM 合約價格再度上漲，其中 DDR3 2GB 價格升幅約 3% ， DDR3 4GB 價格則上升超過 3.1% ，預期在四月份歐美返校需求帶動下，合約價格將繼續維持上漲。

日本關東早前發生歷史性九級大地震，造成半導體上游原物料短缺，其中位在日本東北區域的信越化學的福島白河廠與 SUMCO 的山形米澤廠因地震停工，使其矽晶圓產能吃緊，令 DRAM 產業供應鍊受到影響。據 DRAMeXchange 指出，保守估計全球矽晶圓產能將減少 20%-25% 左右，在矽晶圓供貨吃緊下， PC-OEM 廠商已陸續拉高庫存水位來面對未來出貨的需求，令 DRAM 需求轉趨積極。

據報告指出，三月份 DRAM 價格再度呈現上升，其中 DDR3 2GB 價格由 16.5 美元上升至 17 美元 (1Gb $0.91) ，漲幅約 3.03% ； DDR3 4GB 價格則由 32 美元上漲至 33 美元，升幅約為 3.13% 。

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