市場調查機構 DRAMeXchange 29 日針對第一季 DRAM 產業營收發表調查報導，指出由於 PC 市場銷售不如預期， DRAM 合約均價因供過於求問題錄得近 30% 跌幅，但尤幸第一季 DRAM 顆粒總產出量較前一季約成長，加上廠商加強行動式記憶體及繪圖式記憶體等產品比重，因此第一季 DRAM 廠總營收僅較去年第四季下跌 4% ，跌幅輕微。

據 DRAMeXchange 報導指出，面對 PC 市場銷售不如預期，加上 PC 平均記憶體搭載量沒有顯著成長下，全球 DRAM 市場出現供過於求情況，廠商為了加速去貨速度，使合約價受到不少下跌壓力，其中第一季 DDR3 2GB 合約均價較上季下跌近 30% ，現貨市場方面 DDR3 1Gb 1333MHz 顆粒均價亦較上季下跌 26.7% 。

不過， DRAM 廠商也並非坐以待弊，不少廠商早已逐步降低標準型 DRAM 比例，轉為附加價值高的行動式記憶體及繪圖式記憶體等產品，加上 DRAM 廠在先進製程產能不斷開出下，第一季位元成長率較上季成長約 15% ，令全球 DRAM 產業第一季營收達到 83 億美元，僅較去年第四季下跌 4% 。

市場調查機構 DRAMeXchange 26 日發表 DRAM 四月下旬價格調查報告，指出除了日本震災的影響外， PC-OEM 採購策略的改變及部份 DRAM 廠在 40nm 製程良率出現問題，導致 DDR3 四月下旬合約均價出現小幅上漲，升幅約為 1.4% 。

據 DRAMeXchange 表示， DDR3 四月下旬合約均價呈現小幅上漲，其中 DDR3 2GB 均價自 18 美元上漲至 18.25 美元 (1Gb $0.98) ，漲幅約 1.39% ， DDR3 4GB 均價上漲至 35.5 美元 (2Gb $2.06) ，漲幅約在 1.43% 。

由於上月日本發生九級地震， DRAM 產業矽晶圓供應能因信越及 SUMCO 受到地震衝擊，在矽晶圓供應短缺的疑慮下， DRAM 產業掀起搶料戰，使得 DRAM 成本出現上漲。

市調機構 TrendForce 指出， 4 月上旬 NAND Flash 合約價大致呈現持平或小漲 2-5% ，大部份 NAND Flash 供應商上月份已先行調高合約價約 10-15% ，反映日本大地震後的供給面不確定因素， 4 月上旬的合約價大多維持平盤的狀況，但部份 NAND Flash 供應商在 3 月份的調漲幅度相對同業較小，故 4 月上旬的合約價再小幅調漲。

日本 311 大地震嚴重影響 IC 上游原料供應，包括 NAND Flash 在內的零組件供應商雖已陸續宣布逐漸回復生產營運，但市場仍然擔心東日本地區夏季供電狀況可能吃緊的影響，令原物料及零組件的供給偏緊狀況，尤其是某些系統廠商在地震剛過後立即採取了積極的採購策略，以確保部份零組件的供貨無虞，故也將產生排擠效果而影響到其它同業 5 月之後的出貨量。

此外，大部份 NAND Flash 供應商在地震過後，多傾向維持 2011 產出量目標 ，只有部份 NAND Flash 供應商考量上游原物料供貨及系統產品 OEM 訂單的接單狀況後，進行小幅擴產動作。

市場調查機構 DRAMeXchange 11 日針對 DRAM 合約價走勢發表調查報告，表示 DRAM 四月上旬合約價再度上揚，主要是由於上月日本地震令矽晶圓吃緊影響 DRAM 供應鍊，加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 製程良率出現問題，令 DRAM 出產受到影響，在 PC- OEM 廠商加強備貨下，令合約價得以攀升。

據 DRAMeXchange 指出，受到上月日本關東地震影響，當地矽晶圓廠商雖然目前正釋出手上庫存，令正常供應可維持一個月以上，但如不能在近期恢復正常運作， DRAM 供應鍊始終會受到衝擊，使其產出受到影響，因此 PC-OEM 廠商在供貨穩定的疑慮下，加強了備貨意欲。

同時，近期有部份 DRAM 廠在 40nm 製程良率出現問題，使 DRAM 產出再出現變數，在種種因素之下，部份 PC- OEM 廠決定拉高庫存水位，與 DRAM 廠議定合約價時亦接受較高的價格，令到四月上旬 DRAM 合約價攀升。