日本地震停電衝擊矽晶圓供應 將影響後續全球DRAM產出 日本關東大地震發生後,褔島 1 、 2 、 3 、 4 號機先後宣告爆炸,同時 5 、 6 號機也停止運作,令日本關東甚至亞洲掀起幅射恐慌,同時亦造成日本東北區域大規模停電,隨了影響日本市民日常生活外,位於福島矽晶圓重鎮的廠商也因停電影響生產,同時也對全球 DRAM 產出造成影響。

據市場調查機構 DRAMeXchange 指出,由於日本東北大地震令福島核電廠停機,造成日本東北區域大規模停電,由於生產矽晶圓需要長期且穩定的電力供給,日前日本東北區域分區限電可能長達數月之久,停電令矽晶圓無法有效生產,位於東北區域,合計佔全球超過五成市佔的矽晶圓廠房信越化學和 SUMCO 均受影響。

其中尤以有信越化學的福島白河廠房,其電力來源以福島核電廠為主,加上是生產 DRAM 矽晶圓的重要來源,因此對信越化學的矽晶圓生產造成重大打擊。另一方面的 SUMCO 雖在東北有生產基,但生產重鎮則在九州區域,據 DRAMeXchange 目前推測影響將不會太大,不過由於運輸及交通基礎建設受損影響下將會對 DRAM 原物料的供應產生一定程度的衝擊。
USB3.0介面、支援達200MB/s讀取 Patriot「超音速Magnum」隨身碟
文章索引: 記憶體 Patriot IT要聞
為進一步提升 USB 隨身碟傳輸速度,記憶體廠商 Patriot Memory 15 日發表旗下全新「超音速 Magnum 」 USB 3.0 隨身碟,其持續讀取速度可高達 200MB/s ,比較市場上一般採用 USB 3.0 介面的隨身碟效能大幅提升。

目前,市場上已推出不少採用 USB 3.0 介面的隨身碟,但大部份的主流產品讀取速度最高只有不多於 90MB/s ,對於追求高速傳取的用家來說仍然不足夠。為進一步提升傳輸效能, Patriot Memory 推出全新「超音速 Magnum 」 USB 3.0 隨身碟,除了提供高達 128GB 容量之外,更提供高速傳輸表現。

「超音速 Magnum 」 USB 3.0 隨身碟採用整合性原廠 USB 3.0 控制單晶片,採用八通道技術 (eight-channel) 控制晶片,支援八通道記憶體通道高速傳輸,其持續讀取速度可高達 200MB/s ,持續寫入速度也可高達 110MB/s ,大幅超越市場上其他 USB 3.0 隨身碟產品。
支援500MB/s順序讀寫速度 Intel SSD 510系列即日起上市
文章索引: 記憶體 INTEL IT要聞
隨著用家對傳輸速度不斷提高, Intel 發表推出全新 Intel SSD 510 系列,採用 34nm NAND 快閃記憶體,配合 Intel 全新 6 系列晶片組支援 SATA 3.0 規格的優勢,提供高達每秒 500MB/s 的傳輸速度,並且擁有達 315MB/s 的寫入速度,效能相較伺服器級的 10,000rpm 硬碟機高出 50% 以上,主要針對遊戲玩家、媒體創作及工作站應用市場。

Intel SSD 510 系列貫徹 SSD 低功耗、抗震、耐久等特性,同時其傳輸效能進一步被提升。據 Intel 指出, SSD 510 系列採用 SATA 3.0 介面,搭載 Intel 34nm NAND 快閃記憶體,順序讀取性能高達 500MB/s ,順序寫入性能則達 315MB/s ,效能是 Intel 現時採用 SATA 2.0 介面的 SSD 的 3 倍。

其中,據 Intel NAND 解決方案事業部行銷總監 Pete Hazen 表示, Intel SSD 510 系列專為需要極高順序媒體內容傳輸能力的應用而設,速度不僅遠超轉速高達 10,000 rpm 的傳統遊戲硬碟,甚至較由兩枚傳統 RAID 遊戲硬碟所組成的陣列還快。
2月下旬DRAM合約價格表現持平 預期補貨需求將有助第二季持續上升
文章索引: 記憶體 DRAMeXchange IT要聞
隨著農曆年結束 DRAM 價格升勢停止後,據市場調查機構 DRAMeXchange 1 日發表的最新 DRAM 價格報告指出, 2 月下旬 DRAM 合約價格表現力守持平,其中 DDR3 2GB 和 4GB 合約均分別維持 16.5 美元和 32 美元。據 DRAMeXchange 預期,由於整體市場需求表現不俗,將有助 DRAM 價格於第二季持續上升。

據 DRAMeXchange 1 日發表的最新 DRAM 價格報告指出, 2 月下旬 DDR3 2GB 合約均價為 16.5 美元,平均每 1Gb 價格為 0.88 美元; DDR3 4GB 合約均價則為 32 美元,平均每 2Gb 價格為 1.84 美元,表現持平。現貨 DDR3 1333Mhz 1Gb 顆粒價格則為 1.09 美元,比合約顆粒 0.88 美元均價高出約 24% ,表示合約價格仍處低檔。

隨著整體市場對 DRAM 需求平穩,儘管智慧型手機、平板電腦及雲端需求興起,令廠商轉戰行動式記憶體與伺服器用記憶體,但也使得標準型 DRAM 市場供過於求問題得以紓解,加上已修正的 Intel Sandy Bridge 晶片組已陸續出貨,在 PC-OEM 廠 記憶體庫存水位普遍不高的情況下,將會帶動旺季來臨前的補貨需求,因此, DRAMeXchange 預期 DRAM 合約價將有助在第二季反彈。