5 月還有 3 天便過了一半，市場調查機構 DRAMeXchange 12 日發表 5 月上旬 DRAM 價格報告，指出合約價呈現上漲走勢，升幅接近 3% 。同時，隨著部份 DRAM 廠商出貨延遲，令 PC-OEM 廠發出現轉單情況，據 DRAMeXchange 預估， 2GB DD3 合約價有機會上升至 20 美元價位。

據報導指出， 5 月上旬 DDR3 2GB 均價漲至 18.75 美元 (1Gb $1.02) ，升幅約 2.74% ； DDR3 4GB 均價則由 35.5 美元上漲至 36.5 美元 (2Gb $2.13) ，漲幅約 2.82% 。同時，由於部份 DRAM 廠在 40nm 製程良率出現問題導致出貨延遲，引起 PC-OEM 發生轉單效應，令 5 月份的 DRADM 合約價集中至貼近 19 美元的高位水平。

隨著普遍成交的合約價遠離低位，而且拉貨力道變得積極，令 DRAM 合約價後續走勢增添上漲力度，加上 PC-OEM 廠商有意拉高庫存水位，因此據 DRAMeXchange 預估， 2GB DD3 合約價有機會上升至 20 美元價位。

繼早前指出全球 DRAM 產業第 1 季營收下跌後， DRAMeXchange 4 日再度發表調查報導，指出隨著淡季效應發酵， 4 月下旬 NAND Flash 合約價同樣出現持平或部份下跌，部份產品跌幅將約在 2-5% 的水平左右，預期 5 月開始將轉為持續下跌，進一步反映第 2 季中後期在傳統淡季效應。

據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，在市場多空因素交雜的影響下， 4 月下旬 NAND Flash 合約價呈現部份持平及部份下跌，雖然部份 NAND Flash 供應商因受惠於系統產品客戶的 OEM 訂單加注，令產品 4 月下旬的合約價仍維持不變，但買賣雙方對價格後市看法略有紛歧，因此市場買氣約持觀望態度。

另一方面，由於記憶卡及 UFD 庫存水位偏高，加上客戶已完成國勞動節假期前的備貨動作，在進入傳統淡季後，該範疇產品受通路市場需求疲弱影響，預期下跌 2-5% 。

DRAMeXchange 3 日指出全球 DRAM 產業第 1 季營收數字為 83 億美元，雖然 DRAM 合約均價較上季下跌 30% ，但受惠於第 1 季 DRAM 顆粒總產出量較前 1 季約成長 15% ，以及各 DRAM 廠逐步降低標準型 DRAM 比例轉為附加價值高的行動裝置用記憶體及繪圖產品用記憶體等產品，總括第 1 季 DRAM 廠總營收較去年第四季 86 億美元小幅衰退約 4% 。

DRAM 廠在先進製程產能不斷開出，第一季位元成長率較上季成長約 14% ，但 PC 市場銷售卻不如預期，與上季相比呈現近 7% 的衰退，加上 PC 平均記憶體搭載容量並沒有顯著成長，令 DRAM 市場出現供過於求，令第 1 季 DDR3 2GB 模組合約均價跌至 US$16.7 ，較去季 US$23.9 跌幅達 3 成，而現貨市場方面 DDR3 1Gb 1333MHz 顆粒，平均價亦較上季下跌 26.7% 至 US$1.1 價位。

即使 DRAM 價格呈現下跌的價格走勢，加上受到地震影響，整體市場消費信心不足，令 DRAM 廠對 2011 年資本支出轉趨保守， 2011 年 DRAM 資本支出下降 36% ，由去年的 117.6 億美元降至 75 億美元，但對製程研發腳步沒有影響，韓美日 DRAM 廠商預計今年將 30nm 製程邁入主流規格，台灣 DRAM 廠則加速 40nm 製程轉換，各廠商積極的調整產品組合，加重行動裝置用記憶體及伺服器用記憶體比重，調降標準型 DRAM 產出，尋求未來轉型的契機。

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