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Phison 入門級 PS5008-E8T 支援 HMB 技術 連續讀寫可超過 1.5GB/s 、1GB/s
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在 CES 2018 大會, Phison 帶來了一款極高性價比的入門級方案 PS5008-E8T,特別搭載最新研發的 HMB 記憶體緩衝技術,有望大大推動 NVMe 技術的普及。

Phison PS5008-E8T 與已經量產上市的 PS5008-E8 屬於同一系列,走的是 PCI-E 3.0 x2 通道,相較於傳統 SATA3 仍然有 3 倍的頻寬優勢,讀寫速度可超過 1GB/s。.

不同的是,PS5008-E8T 在 PS5008-E8 的基礎上取消了外置 DRAM 緩存,功耗及成本也更低,可適用於台式機、筆記本。無 DRAM 方案會導致性能略有降低,因此 PS5008-E8T 引入了 Phison 的最新 HMB 技術。
可連接 4 組 NVMe SSD、32 Gbps 頻寬 ASRock 發佈全新 Ultra Quad M.2 擴展卡
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ASRock 在 CES 2018 大會上推出 Ultra Quad M.2 擴展卡,屬於一款 Add-On Card 可讓用家組成 M.2 NVMe RAID 陣列,最多可連接 4 組 M.2 NVMe SSD 及提供 32 Gbps 傳輸頻寬,原則上與 ASUS 推出的 Hyper M.2 x16 擴充卡是相同的產品,但屬於升級版本。

ASRock表示,相比 ASUS Hyper M.2 x16 擴充卡其優勝之處是可以支援 110mm 長度的 M.2-22110 SSD,而 ASUS Hyper M.2 x16 僅支援 M.2-2280 SSD。同時,而 ASUS 擴充卡上的 M.2 插槽採用水平的排列方式,與 PCI-Express傳輸介面有一段距離,ASRock 就特別將 M.2 插槽以對角線排列,確保每個插槽都靠近 PCI-Express 傳輸介面。
ADATA SSD 優惠二重奏 第一擊 -【 SU650 減價優惠】 ADATA 宣佈推出「ADATA SSD 優惠二重奏」活動,第一擊就是「SU650 減價優惠」,120GB、240GB、480GB 同樣會以至抵優惠價發售,活動優惠時間由 2018 年 1 月 12 日至 2018 年 1 月 31 日,有需要為電腦升級更換 SSD 的用家千萬不要錯過,數量有限,售完即止。
全球首款 RGB SO-DIMM 記憶體 ADATA CES 2018 展出一系列創新產品 ADATA將於1月9日至12日 CES 2018美國消費電子展上推出一系列創新產品,其中包括全球首款XPG RGB SO-DIMM記憶體模組、新型NGSFF超高速PCIe SSD、NV-DIMM記憶體以及最新規格的最新無線充電和儲存產品,ADATA還將展示使用AI技術的高品質機器人產品,讓參觀者體驗創新帶來的便利。

ADATA XPG將展示兩款全新的 RGB DDR4 記憶體,分別為擁有最高 4600MHz 速度的 SPECTRIX D60RGB DDR4記憶體,以及全球首款具備 RGB 光效的 SO-DIMM 記憶體「 SPECTRIX DS40 DDR4 SO-DIMM」 ,兩款記憶體同樣支援XPG Auro Sync軟件,供用家按個人喜好調配出最合心意的發光效果,提供迷你系統改裝玩家全新選擇。

針對遊戲玩家方面,ADATA 帶來了全新的 EMIX H40高品質耳機的,提供了優化的聲音模式,讓玩家快速進入遊戲。此外,EMIX H40特別適用於FPS遊戲(第一人稱射擊遊戲),這是因為其優化的Bit技術可以在FPS遊戲中提供更準確的聲音,讓玩家清晰地聽到周圍的一切。
Toshiba 預告 CES 2018 大會 將展出新款 RC100 M.2 NVMe SSD
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Toshiba 最新宣佈在 CES 2018 期間將推出新一代 NVMe SSD RC100 系列 SSD,全新 RC100 系列性能上優於目前市場上佔比最高的 SATA 固態硬盤,新款固態硬碟將主攻 DIY 製造商和 PC 玩家群體,此外 Toshiba 亦會展示新款的 XS700 及其他應用 BiCS FLASH 3D 儲存器的產品。

全新 Toshiba RC100 M.2 NVMe SSD 以小巧外形設計,尺寸為 22mm x 42mm,擁有低功耗、出色的性能表現,並將會在 CES 2018 大會上首次亮相。同時,亦將會在 CES 2018 展示包括 96 層 512Gb 晶片、業界第一款採用四級單元 ( QLC ) 技術的 Flash Memory 及 TSV 矽通孔技術的產品。TMA的BiCS FLASH 已經能夠支持當今的企業,數據中心,PC和移動應用,為未來的應用鋪平了道路。

身為垂直堆疊的 3D 快閃記憶體,BiCS FLASH 的顆粒密度遠遠勝過前一代的平面記憶體。此外,BiCS FLASH 更優化了電路技術及製程,繼續微縮了晶片尺寸。96 層 BiCS FLASH 的單位面積儲存空間,已達 64 層 BiCS FLASH 的 1.4 倍。
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