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Micron 與 Intel 日前共同宣佈基於 64 層的業界首款商用 3D QLC(4bits/cell) NAND 產品開始生產和出貨,隨即 Micron 就發佈了全新的 Micron 5210 ION 固態硬碟,是全球首款 Quad-Level Cell NAND SSD,相比 TLC NAND 提供的 bit 密度提高了 33%,與傳統的 3.5" 硬碟相比,能夠實現在更少空間中提供更高的性能,使數據中心可以節省昂貴的電源和散熱成本。全新的「 5210 ION 」SSD 採用 2.5" 設計、7mm 厚度,基於 Micro 5200 系列 SATA SSD 經驗證的架構打造而成,5210 ION SSD 通過為客戶提供數據中心構建的已知設計,簡化了認證過程,客戶還將能夠 Micron 獨特的 Flex 容量功能定製配置硬盤的耐用性和寫入性能,同時針對讀取密集型雲工作負載如人工智能(AI)、機器學習、實時分析、大數及媒體流進行了優化。
目前 Samsung、Toshiba、WD 等 SSD 新品主要是基於 64 層3D TLC NAND 技術,採用的單顆 Die 256Gb 或 512Gb 容量,而 Micron 採用的 64 層 QLC 技術的「 5210 ION 」SSD 將有更低的成本,比其對手推出的產品容量增加了一倍,Micron QLC NAND 技術更可以達到單 Die 1Tb 的儲存密度,這是目前業界最高密度的閃存產品。
2018-05-15
IMW 國際儲存器研討會 2018 目前在日本京都舉行,在會上邀請到超過 100 名參業內人仕參與,來自半導體設備製造商應用材料公司的 Sean Kang 發表題 “3D NAND 技術及縮放材料、工藝、設備展望”的演講,提及到未來 3D NAND Flash 的發展趨勢,預計到 2021 年 3D NAND Flash 的堆疊數將會增加到 140 層以上,同時會較現在的變得更薄。3D NAND Flash 技術在現時廣泛被使用,其設計與 2D NAND 相反,儲存器單元不在一個平面內,而是一個堆疊在另一個層之上 ,以這種方式每顆晶片的儲存容量可以顯著增加,而不必增加晶片面積或者縮細單元,使用 3D-NAND 可以實現更大的結構和單元間隙,這有利於增加產品的耐用性。
Samsung V-NAND 技術
2018-05-14
GIGABYTE 正在積極拓展新市場,最新推出 UD PRO PRO 系列 2.5 吋固態硬盤,採用 SATA 6.0Gb/s 傳輸介面、內建 Toshiba BiCS3 3D TLC NAND 及DDR3L 記憶體,備有 256 GB 及 512 GB 兩種容量選擇,同時在 GIGABYTE 追求產品卓越及超耐久品質的堅持下,提供消費者最穩定且更高效的固態硬碟產品選擇。GIGABYTE 全新 UD PRO 系列 2.5 吋固態硬碟尺寸為 69.85mm x 7mm x 100 mm 採用黑灰色外觀,產品名稱以白色刻在產品正面,備有 256 GB 及 512 GB 兩種容量,型號為「GP-GSTFS30256GTTD」及「GP-GSTFS30512GTTD」,秉持 GIGABYTE 追求卓越產品的品質,在 DDR3L 緩衝記憶體及 3D NAND 快閃記憶體的加持下,不用犧牲任何效能及快閃記憶體空間。
UD PRO 系列採用 Toshiba BiCS3 3D TLC NAND 快閃記憶體架構,可提供比傳統的 2D TLC 快閃記憶體架構更大容量及更快讀寫速度,同時耐用度與可靠度也大幅提昇,並提供最佳化的控制晶片及韌體調校。