在去年 Computex 2017 大會上，Plextor 透露了針對消費用家將推出新一代 M9Pe 系列 NVMe SSD，這款 PCI-Express NVMe-SSD 將在今年初正式亮相，日前就率先有 M9Pe NVMe SSD 的 CrystalDiskMark 測試曝光，卓越的性能可媲美 Sasmung 960 EVO SSD。

Plextor全新的 M9Pe 將繼承 M8Pe系列 SSD，Plextor 在 Computex 2017 大會上曾提及 M9Pe 將會是一款 PCIe Gen3x4 NVMe SSD 產品，提供高效纖薄的 heat sink 散熱片設計，並將支援 RGB LED 發光燈效，M9Pe 將採用最新 64 層 3D TLC NAND Flash ，連續讀取速度最高可達 3,100 MB/s 。

SSD 固態硬盤將會變得越來越小，外媒 Tom’s Hardware 最新獲得一個新消息，透露 Intel將會發佈了一款全新的 1TB BGA SSD 固態硬盤產品，與 Toshiba 及 Samsung 同樣採用 MCP多晶片封裝技術，其 3D NAND 將高達 1TB 容量。

Tom’s Hardware 展示了一張由 Intel 取得的圖片，該圖片中有三款 Intel 的產品，圖片的介紹提到：「最左邊是 2016 年的第一代1TB 3D NAND SSD，中間是 2017 年推出的第二代 1TB 3D NAND，最右邊是明年推出的 3D NAND 將會是多少 TB。」根據圖片可看，三款產品分別代表 2.5" SATA3、M.2 及 BGA 封裝的 SSD 產品。

然而，BGA 封裝的 SSD 產品尺寸及引腳數表明這不是一個簡單的 NAND 封裝，全新的 BGA 封裝相比於 Intel 600p SSD ( 圖中第二款產品 )上的 NAND Flash 更大，將識別為 MCP SSD 封裝，體積按規範有 1620 ( 16mm x 20mm )、2024 ( 20mm x 24mm )、2228 ( 22mm x 28mm )、2828 ( 28mm x 28mm ) 四種，Toshiba 及 Samsung 打造了 1620 的 BGA 封裝 BG3 SSD，SATA 6Gb/s 傳輸或帶有兩條/四條的 PCIe 3.0 通道 ( 推測是 NVMe )。

在上週 Toshiba 與 Western Digital 的訴訟紛爭初步已達成和解，並正式將旗下的「東芝記憶體公司」以 180 億美元出售予 Bain Capital，讓公司的業務及未來研發新技術方面擁有更鬆動的資金，Toshiba 除了在日本北上市正在建設 Fab 6 製造廠之外，最新再宣佈計劃投資 10.62 億美元 ( 70 億日元 ) 在日本四日市興建 Fab 7 第七座 NAND Flash 工廠。

據了解，Western Digital 與 Toshiba 和解後將保持合資關係，雙方將繼續共同投資晶片業務，即將投入服務的 Fab6 北上工廠，Western Digital 西數能夠擁有 Toshiba 新生產線的優先投資權，希望與競爭對手 Samsung 、Intel Micron Flash 及 Sk Hynix 一較高下。

Toshiba 目前的 Fab 6 製造廠正在建設中，預計在 2018 年完工，將會主力生產用於智能手機及數據中心的 NAND Flash。當然，Toshiba並沒有減緩在日本架設新設施，將計劃再投資10.62億美元在日本四日市興建 Fab 7 第七座 NAND Flash 工廠。

CORSAIR 在今年8 月推出了 Neutron NX500 NVMe PCIe SSD系列，剛推出時僅提供了 400GB 及 800GB 容量，近日 CORSAIR 就再將 Neutron NX500 的容量再升級，宣佈推出 1,600 GB 容量版本，最大連續讀取高達 3000MB/s、最大連續寫入則達2300MB /s，能夠滿足到對速度有要求的高階用家。

CORSAIR Neutron NX500 NVMe PCIe SSD 1,600GB 頂級容量版本，以 Low-Profile 設計並附有全高及半高托架，採用PCIe Gen3.0 x4 數據傳輸介面，更支援 NVMe 高速傳輸協定，內建PHISON PS5007-E7 NVMe 處理器，配搭 TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND Flash 提供高傳輸速度及 IOPS 表現。

性能方面，Neutron NX500 1,600GB 版本最高連續讀寫速度高達 3000MB /s Read、2300MB/s Write，使用 CrystalDiskMark 進行測試時，讀取速度高達 2,800 MB/s，寫入速度高達 1,600 MB / s，4K QD32 最大隨機讀取高達300,000 IOPS Read，當使用 IOMeter 進行測試時，具有高達 270,000 次 IOPS 4K 寫入，總寫入壽命高達 2,793 TBW。

Seagate 早前宣佈將會採用「HAMR」技術在 2020 年前實現 20TB 容量的硬碟機，日前再表示將正式引入 Multi-Actuator 多驅動電機技術，將可提升 HDD 硬碟機的性能，可以使超大規模數據中心未來一代的硬碟數據性能提高一倍，由於未來硬碟的面積密度將會越來越高，對性能壓力方面亦將會越來越大，Seagate Multi Actuator 技術將有效抵消這些壓力，這意味著擁有數據密集型應用程式的客戶將繼續享受最高水平的硬盤性能，同時能夠滿足管理數量不斷增長的大量數據的需求。

到目前為止 HDD 仍使用較舊式的設計，驅動臂將讀頭/寫頭在磁盤表面平行地移動，傳統硬碟機需利用機械臂及磁頭進行讀寫，以一片片高速轉動的碟片，在上面寫上不同的數據，再透過磁頭讀寫上面的數位資料進行整個儲存，同時傳統硬碟機的磁頭都必須一起移動，於是在跨區塊存取數據的時候，硬碟機內的效率就大幅下降。

Seagate 新一代 Multi-Actuator 多驅動電機技術將配備雙驅動器的硬盤．由於兩個驅動器在單一支點上運行，因此每個驅動器將一半的驅動臂，能夠分各自獨立運行，每個電機臂帶有 8 個磁頭，上電後同軸運行，有效地允許雙重讀取並寫入速度。這與 RAID 0 配置沒有什麼太大不同，實際上，單個硬盤的數據鏡像在兩個硬盤上，這就保證了每個硬盤的磁頭都可以讀取/寫入相同的數據，相較傳統的 8 碟 16 頭硬盤將擁有加倍的性能讀寫速度。