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【Intel 平台無處可插,係為 AMD 平台而出?!】 Intel 工程師自爆!!新 Optane SSD 支援 PCIe 4.0
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PCIe 4.0 傳輸是大勢所趨,由於頻寬可直接翻倍最高可達 16GT/s,成為了 AMD 新 CPU 及 X570 平台的亮點之一,雖然 Intel 好像並不在意,並一再強調 PCIe 4.0 對遊戲無用,不過「身體卻很誠實」不得不跟隨這個方向,旱前 Intel 工程師 Frank Ober 在 Twitter 上發佈了一個官方尚未公佈的訊息,透露了下一代 Intel Optane SSD 將支援 PCIe 4.0,不過問題來了,Intel 自家平台現在還未能支援 PCIe 4.0,那麼新的 Optane SSD 就要配搭 AMD 平台使用了嗎?!

在幾個月前 Intel 公佈的儲存產品路線圖,第二代 Optane SSD 的代號為「Alder Stream」,並且這代產品有望將 3D XPoint 的儲存單元層數翻一番,達到 4 層之多,同時 Die Size 將會由上代的 16GB 提升到 32GB,在儲存密度上有比較明顯的提升,而當時 Intel 官方未有提到第二代 Optane SSD 會不會支援 PCIe 4。

不過,Intel 技術營銷性能工程師 Frank Ober 就為我們透露了更多關於新 Optane SSD 的消息,Frank Ober 日前在 Twitter 的留言上提到,下一代 Optane SSD「Alder Stream」將會支援 PCIe 4.0,而目前新的 Optane SSD 樣品已經交給了一名 Linux 開發人員,進行最後的調試及優化,代表第二代 Optane SSD 正處於開發的最後階段。
【加價先兆?!】部份 DRAM、NAND 生產線暫停 Samsung 晶圓廠 2019 最後一日發生停電事故 目前 DRAM、NAND Flash 價格處於一個很敏感的拐點階段,不過在踏入 2020 年的首日就有消息指出 Samsung 位於韓國華城的 DRAM 及 NAND Flash 工廠在本週二突然遭遇停電事故,導致部份晶片生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,對於斷電事故可能造成的損失,知情人士稱雖然沒有造成重大破壞,但預計會有數百萬美元的損。

Samsung 的消息稱,在韓國當地 2019 年 12 月 31 日下午位於華城的晶片工廠發生斷電事故,持續大約一分鐘,導致其部分生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,並評估造成的損失。

據媒體報導,此次斷電是因為區域電力傳輸電纜出現問題,受影響的包括 Line 12 的 NAND Flash 晶片廠、Line 13 的 DRAM 晶片廠、Line 11 及 Line 13 的 LSI 晶片廠,目前相關的 DRAM 及 NAND Flash 生產線已經暫停,預計需要大約 2 至 3 天時間才能全面恢復,這代表將會損失最多三天的產能,而這無疑將會使得 Samsung 本月的 DRAM 及 NAND 產能的供應受到影響。
【NAND 價一個月升 20%,DRAM 都會跟住?!】 要買要快哦?! RAM、SSD 跌價好日子快結束
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2019 年可以說是 DIY 玩家最幸福的一年,不僅可以看到 AMD、Intel 在 CPU 市場上的激烈競爭,另外記憶體、固態硬碟的價格亦出現了比較明顯的下降,砌機成本相比以往降低了不少,不過記憶體、SSD 等硬件價格並非一直不變,NAND Flash 跌價已經兩年了,好日子快要結束了!!

自從 6 月份 Toshiba、WD 位於日本的 NAND Flash 工廠斷電停工一個月之後,NAND Flash 市場就一直有各種漲價的傳聞,而實際上在 2019 年第三季度 NAND Flash 價格就已經開始收窄,這兩個月來價格甚至是突變。

從 NAND Flash 價格來看,11 月底到現在的 12 月底價格漲勢最為明顯,從 NAND Flash 市場的報價來看,512Gb TLCNAND Flash 在 11 月底不過 4.10 美元,現在已經達到了 4.32 美元,漲幅大約 5%。
【重量級新品?!】首次應用 128 層 4D TLC NAND SK-Hynix 全新消費級 P31 SSD 系列即將登場
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作為全球領先的 OEM DRAM 及 NAND Flash 供應商之一,SK-Hynix 希望通過全新的驅動器產品組合,進一步擴大其在消費市場的影響力。在去年夏天,SK-Hynix 在美國就曾經推出過“ SuperCore”系列 250GB、500GB 及 1TB 容量的 Gold S31 SATA SSD,特點就是採用了自家設計及研發的主控制器,而在即將舉行的 CES 2020 大會上,SK Hynix 還計劃展示兩款全新的 PCIe NVMe SSD「Gold P31」及「Platinum P31」,升級採用了 128 層 1Tb 4D NAND Flash,預計新的製程工藝將可打造更大容量的 SSD 產品。

SK-Hynix 不僅是 NAND Flash 及 DRAM 主要的供應商,在 2012 年收購 LAMD 後亦具備了自家主控制器的研發能力,對於佈局SSD 產品優勢凸顯,不過早些年,SK-Hynix 在零售 SSD 產品及市場上沒有大的突破,所以悄悄的退出了。2019 年,SK-Hynix 重新回到 SSD 零售市場,基於 72 層 TLC 4D NAND 推出 SuperCore 系列 SSD 產品,在北美市場銷售,再次進入大家的視野。

SK-Hynix 發言人表示:「SK-Hynix 的新 SSD 是為尋求運行多媒體和要求苛刻的 PC 遊戲等終端應用客戶提供高性能首選解決方案。在 CES 2020 大會上首次推出的 SK-Hynix Gold P31 及 Platinum P31 SSD 將繼續擴展在美國的業務,預計能為客戶提供更高速度及可靠性的儲存解決方案。」
【將圓形單元切開一半,但又可以提高容量?!】 Kioxia 開發新型 Twin BiCS FLASH
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目前,96 層堆疊的 3D NAND Flash 已經普遍應用於市場中,至 2020 年更將進入128 層堆疊,不過層數越多製造難度亦會增加,而且還要在每個單元內容納更多的儲存電位,會使得製造難度與生產良率更有挑戰性,因此 NAND Flash 廠商就需要尋求新的突破。日前,Kioxia Corporation 鎧俠株式會社宣佈開發出創新的儲存單元結構“Twin BiCS FLASH”,是一種新的半圓形單元設計,在縮小單元尺寸的同時亦可以擁有更多位,達至儲存密度提升,這種設計將有望超越 4-bit ( QLC ) 的儲存裝置。

3D NAND Flash 技術通過增加單元堆疊層的數量以及實現多層堆疊沉積和高深寬比蝕刻,以每位低成本實現了高位密度。近年來,隨著單元堆疊層的數量超過 100+ 層,在蝕刻輪廓控制、尺寸均勻性及生產率之間進行權衡取捨變得越來越具有挑戰性。

為了克服這個問題,Kioxia 通過在常規圓形單元中分割柵電極以減小單元尺寸(與常規圓形單元相比),開發了一種新的半圓形單元設計,從而可以在較少數量的單元層上實現更高的儲存密度。
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