目前，96 層堆疊的 3D NAND Flash 已經普遍應用於市場中，至 2020 年更將進入128 層堆疊，不過層數越多製造難度亦會增加，而且還要在每個單元內容納更多的儲存電位，會使得製造難度與生產良率更有挑戰性，因此 NAND Flash 廠商就需要尋求新的突破。日前，Kioxia Corporation 鎧俠株式會社宣佈開發出創新的儲存單元結構“Twin BiCS FLASH”，是一種新的半圓形單元設計，在縮小單元尺寸的同時亦可以擁有更多位，達至儲存密度提升，這種設計將有望超越 4-bit ( QLC ) 的儲存裝置。

3D NAND Flash 技術通過增加單元堆疊層的數量以及實現多層堆疊沉積和高深寬比蝕刻，以每位低成本實現了高位密度。近年來，隨著單元堆疊層的數量超過 100+ 層，在蝕刻輪廓控制、尺寸均勻性及生產率之間進行權衡取捨變得越來越具有挑戰性。

為了克服這個問題，Kioxia 通過在常規圓形單元中分割柵電極以減小單元尺寸（與常規圓形單元相比），開發了一種新的半圓形單元設計，從而可以在較少數量的單元層上實現更高的儲存密度。