NVM Express 在日前正式發佈了 NVM Express ( NVMe ) 1.4 規範，該規範提供了更快、更簡單、更容易擴展的技術， 並進一步完善了 NVMe 技術，NVMe 1.4 緩衝區的新特性降低了延遲和 SSD 設計的複雜性。

NVM Express Inc. 是一家擁有 100 多名成員的非營利組織，專注於通過基於標準的方法實現高性能和低延遲非易失性記憶體儲存的廣泛生態系統採用。該組織提供了一個開放的 NVMe 規範和訊息集合，以充分展示從移動到數據中心的各種計算環境中非易失性記憶體的優點。

最新發佈的 NVMe 1.4 版本中中增加的最重要的一個內容就是「IO determinism」，「IO determinism」 主要包含兩部分，一個是 NVM Sets，而另一個是　PLM（Predictable Latency Mode）。不同的 NVM Set 使用的物理資源可以是獨立的，每個 NVM Set 可以包含多個 channel 多個 die，不同的 NVM Set 讀寫，擦除等都是相互獨立互不干擾，可以提供更好的 QoS 。

上次解答完「4G+8G記憶體能否構成雙通道」的疑問之後，Intel 官方又有新一期的科普文，這次的問題就是：相比於 SSD，為什麼 HDD 用時間長了就很慢？

Intel 官方在微博發文表示：“ 相比於 SSD，為什麼 HDD 用時間長了就很慢？因為 HDD 使用一段時間後會出現文件碎片，就像一個完整的文件被拆成了很多小拼圖，讀取時硬盤需要將拼圖復原，而 SSD 不僅可以通過磁盤整理將這些拼圖提前拼上，再次打開時就可以節省時間。”

即使 SSD 有數不盡的優點，例如讀取速度快、體積輕薄短小、使用時不會有震動或雜音、省電、較不怕晃動等，不過 SSD 在儲存容量上需要有預留空間用作 Over-Provisioning，所以 SSD 的實際容量並非 256GB、512GB 這樣的“整數”，而會是 120GB、240GB 這樣的數字。同時， SSD使用時不能用得太盡，若果容量用的太盡的話，SSD 有可能會出現讀寫性能下降的情況，因此一般最佳的使用方式是低於 80%。

向來標榜標榜高耐用性、高效能的儲存裝置大廠 Kingston推出全新高階 PCIeM.2 SSD「KC2000」，升級採用 SiliconMotion SM2262EN 控制器，配搭 96層 TOHSIBA 3D TLC NAND Flash 晶片，最高連續讀寫速度高達 3.2GB/s Read、 2.2GB/s Write，4K 隨機讀寫最高可達 350,000 IOPS Read、275,000 IOPS Write，備有 250GB、500GB、1TB 及 2TB 版本，廠方更提供 5年保固服務，耐用度有保證 !!

大家最常看到的 SSD 跑分軟體 CrystalDiskMark ，選購 SSD 看八個框框，分數越高就越好但你知道這幾個框框分別代表什麼意思嗎？

循序 (Sequential )讀/寫

1. 從 SSD 的 Map Table 標記要使用的 blocks(磁區 1~10,000)。

全球 NAND Flash 市場自去年初開始已連跌6個季度，廠商為防止盈利下滑都計劃採取減產的方法，Micron 更宣佈會削減 10% 的 NAND 產能，在上月日本 Toshiba 發生了 NAND Flash 廠斷電事故，再加上日本政府在本月初宣布限制半導體材料出口韓國，市場已傳出 NAND Flash 將會漲價，預計漲幅約為 10% 至 15%。

在 6月 15 日全球第二大儲存記憶體製造商 Toshiba 發生了停電事故，停電過程只有 13 分鐘，但生產線卻停工了 5 天直到 21 日上午才恢復，由於生產過程中一旦出現任何的意外影響將會非常之大，晶圓製造屬連續性生產製程，過程中水、電一刻也缺不得，一旦暫停即需耗費極大的停工成本。

在製程中的晶圓因斷電將會失去真空環境，就會造成晶圓破片，除了晶圓破損、報廢的損失，重要的還有後續碎片的清理，若有碎片卡在機台對日後良率也將造成影響，事後的全面檢查也遞延了第一時間復工的可能。