GIGABYTE 推出全新旗艦級「AORUS NVMe Gen4 M.2SSD」， 以配備全銅金屬散熱器及強大讀寫速度作主打，提供最高 5,000MB/s Read、4,400MB/s Write 極速讀寫性能，4K 隨機讀寫更高達 750,000 IOPS Read、700,000 IOPS Write，對有意組建 AORUS X570 平台的用家來說、「AORUS NVMe Gen4 M.2SSD」是不二之選。

DRAMeXchange 最新公佈了 2019 年第二季季度全球 NAND Flash 市場報告，當季營收為 108 億美元，環比 Q1 季度持平，主要是當季中 NAND Flash 價格依然下滑了 15% 到 25%。

DRAMeXchange 的調查，綜觀 2019 年第二季 NAND Flash 產業營收表現，以需求面來看，智慧型手機、筆記型電腦以及伺服器需求皆自第一季的傳統淡季有所復甦，整體產業位元消耗量成長約 15%，但由於供應商仍握有相當高的庫存，致使第二季合約價跌幅仍相當顯著，整體產業營收仍維持在約 108 億美元的水準，較第一季基本持平。

展望今年第三季，雖然預期旺季需求有助於出貨表現，但受地緣經濟衝突影響，恐導致需求表現較往年疲弱，但 NAND Flash 供給面受到 Toshiba 六月跳電事件衝擊影響甚鉅，使得第三季合約價跌幅明顯收斂，而 Wafer 市場則呈漲勢，預估整體營收較第二季增長的可能性較高。

GALAX 針對 AMD 第三代 Ryzen 處理器推出全新「HOF PRO NVMe M.2 SSD」，採用 PHISON「PS5016-E16」主控制器支援次世代 PCIe 4.0 傳輸協定，連續讀寫最高 5,000MB/s Read、4,400MB/s Write，4K 隨機讀寫速度更高達 750,000 IOPS Read、700,000 IOPS Write，具備 U 型Heatpipe 散熱器提供確保長期高負載下仍保持低溫不跌速，備有 500GB、1TB 與 2TB 容量可供選擇。

兩大韓系 NAND 廠 Samsung 及 SK-Hynix 在早前都齊齊公佈了新 NAND Flash 的發展，SK-Hynix 宣內成功研發並批量生產 128 層堆疊的 4D NAND Flash，而 Samsung 則推出 136 層堆疊的第六代 V-NAND Flash，不過 NAND Flash 堆疊仍未到達極限，SK-Hynix 公佈了公司的規劃路線圖，預計在 2030 年將會推出 800+ 層的 NAND Flash，到時更可以輕鬆打造出 100-200TB 容量的 SSD。

於正在舉行的 Flash Memory Summit 大會上，SK-Hynix 公佈了旗下推出的新產品及公司未來的計劃，目前 SK-Hynix 正在開發 128 層堆疊的 4D NAND Flash，其量產將於今年第四季度開始。

在會上 SK-Hynix 亦展示了一款「PE8030」的全新 SSD，採用 PCIe 4.0x4 介面連接，提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，連續讀寫速度最高可達 6200MB/s、3300MB/s，4KB 隨機讀寫最高可達 950K IOPS、260K IOPS。

在過去一個月的時間，消費級市場最哄動的莫過於AMD 發佈了全新的 Ryzen 3000 系列處理器及 X570 晶片組，當中最大的賣點就是率先支援新一代 PCIe 4.0 傳輸，而第一個應用領域就是速度與日飆升的 SSD，傳輸速度最高可達 5 GB/s，然而，主控制器廠商 Phison 於正在舉行的 Flash Memory Summit 2019 上，隆重帶來了新一代的 PS5018-E18 晶片，性能再提升至高達 7GB/s ，最大隨機讀寫速度更可達 1000k IOPS。

Phison 官方指出，新一代的 PCIe 4.0 提高了數據傳輸速率、訊號可靠性及完整性，PCIe 4.0標準提供的數據傳輸速率是上代 PCIe 3.0 版本的兩倍，新的解決方案能夠為PC、遊戲、移動、儲存、網絡在內的眾多應用提供更高的性能，更高的靈活性和更低的延遲。

首批上市的 PS5016-E16 控制器採用 28nm 3D NAND 以及第四代的 LDPC 糾錯引擎，最高效能達到5 GB/s，不過目前 PS5016-E16 控制器並未完整發揮到PCIe 4.0的最高頻寬，因此Phison 就推出新一代的PS5018-E18 晶片。