全球 NAND Flash 市場自去年初開始已連跌6個季度，廠商為防止盈利下滑都計劃採取減產的方法，Micron 更宣佈會削減 10% 的 NAND 產能，在上月日本 Toshiba 發生了 NAND Flash 廠斷電事故，再加上日本政府在本月初宣布限制半導體材料出口韓國，市場已傳出 NAND Flash 將會漲價，預計漲幅約為 10% 至 15%。

在 6月 15 日全球第二大儲存記憶體製造商 Toshiba 發生了停電事故，停電過程只有 13 分鐘，但生產線卻停工了 5 天直到 21 日上午才恢復，由於生產過程中一旦出現任何的意外影響將會非常之大，晶圓製造屬連續性生產製程，過程中水、電一刻也缺不得，一旦暫停即需耗費極大的停工成本。

在製程中的晶圓因斷電將會失去真空環境，就會造成晶圓破片，除了晶圓破損、報廢的損失，重要的還有後續碎片的清理，若有碎片卡在機台對日後良率也將造成影響，事後的全面檢查也遞延了第一時間復工的可能。

NAND Flash 及 DRAM 市場真係「一波未平一波又起」，在上月 15 日全球第二大儲存記憶體製造商 Toshiba 發生的停電事故仍未解決，在 7 月 1 日日本政府突然宣布將對韓國執行經濟制裁，限制日本半導體材料、OLED 顯示面板材料出口韓國，並於 7 月 4 日起正式施行，是次日本執行的經濟制裁對於 Samsung、SK-Hynix 兩大韓國半導體廠商在 NAND Flash 及 DRAM 生產不免會受到影響。

日本限制出口韓國的材料主要有三大品類，分別是電視和手機 OLED 面板上使用的 Fluorine Polyimide 氟聚酰亞胺、半導體制造中使用的 Resist 光刻膠及 Eatching Gas 高純度氟化氫。據了解，日本當前基本上已壟斷全球的氟聚酰亞胺、氟化氫材料市場，分別佔全球份額的 90%、70% 之多。

除了 Samsung 及 LG 製作電視、智能手機的材料會受影響之外，Resist 光刻膠及 Eatching Gas 高純度氟化氫更會在半導體制造中大量使用，光阻層材料基本上是用於集成電路和晶片製造，這種材料是用來將電路的構造轉移到半導體基底。

從去年開始 SSD 價格就在持續下跌，因此各 NAND Flash 廠商都開始採取不同的行動，除了控制產能之外，另一個更有效的方法就是加強研發新的 NAND Flash 技術。日前，SK-Hynix 正式宣布了其 128 層 4D NAND Flash 晶片正式開始量產，是全球首家開始量產 128 層 NAND Flash 的廠商，是自去年 10 月開發 96 層 4D NAND Flash 之後，時隔 8 個月取得的新成果。

SK-Hynix 全新 128 層 1TB NAND Flash 實現了業界最高的垂直堆疊，擁有 3600 多億個 NAND 單元，為了實現此工藝，SK-Hynix 在自家的 4D NAND 技術上應用了大量創新技術，包括“超均勻垂直蝕刻技術”、“高可靠性多層薄膜細胞形成技術”及“超快速低功耗電路設計”等。

新產品實現了 TLC NAND Flash 業界最高的 1TB 密度，許多儲存器公司已經開發了 1TB QLC NAND 產品，但 TLC Flash 具有良好的性能及可靠性，在 NAND 市場中仍佔有 85% 以上的份額，SK-Hynix 則是首家將 1TB TLC NAND 商業化的廠商。

GIGABYTE 旗艦級「AORUS RGB AIC NVMe SSD」正式登場，採用 PHISON PS5012-E12主控制器配搭 TOSHIBA 15nm Toggle 2.0 3D TLC NAND 顆粒，擁有最高讀取 3,480MB/s、寫入3,080MB/s 極速讀寫性能，4K 隨機讀寫速度更高達 530,000 IOPS Read、510,000 IOPS Write，更重要是頂端加入巨型 ARGB 導光燈條，信仰十足。

據外媒報導，Toshiba 位於日本三重縣的四日市工廠在日前發生電力故障，一些生產線已關閉，考慮到 Toshiba 在該市擁有多個工廠，此次的停電風波對於 Toshiba 的影響備受業界關注。

根據日媒報導，Toshiba 的 NAND Flash 工廠於當地時間 6 月 15 日下午 6 點 25 分發生斷電事故，停電過程非常短，13 分鐘之後電力就恢復了，不過工廠卻一直停產，直到 21 日上午才恢復，至少停工了 5 天時間。

Toshiba 發言人解釋稱，通常情況下，一旦半導體工廠停產，需要幾天到幾週才能恢復運行並穩定其質量。