2010年NAND Flash市場或出現缺貨 預估全球容量產出成長率高達81%
文章索引: 記憶體 DRAMeXchange IT要聞
隨著全球經濟可望在 2010 年復甦,明年各種 NAND Flash 的終端應用產品的出貨量也將轉為成長,市調機構 DRAMeXchange 表示,未來手機、 SSD 、記憶卡將內建更高容量 NAND Flash ,預估 2010 年全球 NAND Flash 將出現缺貨,需求的位元產出將比今年成長 81% ,達到 109.86 億萬 GB 。

DRAMeXchange 預期,明年 MP3 記憶卡及 UFD 等的 NAND Flash 的傳統應用產品的內建容量也將會持續提高,新的應用領域也將為 NAND Flash 市場帶來新的成長動力,例如 : 智能型手機的出貨量將持續成長,且將搭配更高的 NAND Flash 內建容量,而供應商也將更積極的推廣 SSD 在各種電腦相關的應用領域。

就 NAND Flash 供給面而言,目前多數 NAND Flash 供應商多處在由虧轉盈的階段,許多供應商將以 2010 年市場需求的成長率,來做為明年產出成長目標參考,以使 NAND Flash 市場能維持在較平衡的狀態,供應商目前對明年的擴產計劃仍多傾向保守的態度,預期 2010 年 NAND Flash 晶圓總產出量將僅比 2009 年微幅增加,估計明年的資本支出仍將以製程技術升級為主。
DRAM現貨價上揚63%、創投片量新高 預計下半年台系DRAM廠獲利大幅改善
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據市調機構 DRAMeXchange 早前發佈的 7 月份 DRAM 現貨報告表示, DDR2 與 DDR3 現貨顆粒成交價自 7 月中旬強勢上漲,並攀升至近 12 個月來的高位,升幅高達 63% ,而且由於台灣 DRAM 廠商投片量逐月增加,令下半年獲利大幅改善,據 DRAMeXchange 預估,第四季 DRAM 投片量有機會再創今年新高。

據報告指出,從今年 7 月至 9 月的短短兩個月內, DDR2 1Gb eTT 現貨顆粒價格由 1.05 美元上漲至 1.71 美元,升幅高達 63% ,此外,由於 7 月份開始電腦系統廠加緊鋪貨動作,加上在 Window 7 作業系統即將推出的氣氛影響下,令 DRAM 顆粒需求增加,甚至出現缺貨現象,令台灣 DRAM 廠商於 7 、 8 月營收中,按月增加 10% 及 19% 。

此次的 DRAM 價格上漲,帶動多家台系廠商的營收錄得近年新高,其中報告指出南科 (2408) 的 8 月份營收高達 37 億元新台幣,創下近一年新高,而另一家廠商力晶 (5346) 營收也錄得近 10 個月的 26 億元新高,此外, DRAM 整體出貨量更因為華亞科 (3474) 第二季產能回復近 6 成而成長,其餘大部份台系 DRAM 廠與上月相比亦同樣錄得有 3% 到 10% 不等的成長,可說是全面報捷。
可相容於ASUS P55系列主機板 ADATA全系列XPG DDR3記憶體模組 早前 ASUS 舉行 P55 晶片組主機板研討會,並展示旗下全系列 P7P55D 及 ROG Maximus III 系列主機版,其中,記憶體廠商 ADATA 於會場內表示,其 XPG 全系列 DDR3 記憶體模組已通過測試,可支援及相容於 ASUS 全系列 P7P55D 及 ROG Maximus III 系列主機版,以配合組裝平台 P55 主機板。

在 ASUS P55 晶片組主機板研討會中,找來了記憶體廠商 ADATA ,並一同合作展示出雙方最新爲 Intel P55 平台而推出的產品,當日展示產品包括 A-DATA 全系列 XPG DDR3 記憶體模組,及採用雙倍銅箔電路板的 XPG Plus 系列 DDR3-2200+ v2.0 雙通道記憶體模組、 ASUS P7P55D 系列及 ROG Maximus III 系列主機版,能確保可兼容打造全新 P55 平台。

除宣佈可兼容 ASUS P55 主機板外, ADATA 亦發佈旗下專為 Intel P55 平台而推出的 A-DATA XPG 系列 DDR3 記憶體模組,包括 XPG Gaming 系列記憶體模組、 XPG Plus 系列記憶體模組及 XPG Xtreme 系列記憶體模組。
低延遲值、低電壓運作 Super Talent DDR3記憶體模組 針對 DDR3 平台用家, Super Talent 推出 2 款 DDR3 記憶體模組,分別為 WB160UB2G6 及 WB200UB2G9 ,其中 WB160UB2G6 更擁有 CL6 的低延遲值,而 WB200UB2G9 則支援低電壓運作,目前此 Super Talent 兩款記憶體模組已於腦場有售。

WB160UB2G6 及 WB200UB2G9 均為單條 2GB 容量的 DDR3 記憶體模組,其中 WB160UB2G6 可支援記 DDR3 1600 記憶體快度,而且 CL 延遲值僅為 6-6-5-16 ,是市面上 CL 延遲值較低的其中一款 DDR3 1600 記憶體模組,並支援 1.65V 電壓運作。

WB200UB2G9 則可支援記 DDR3 2000 記憶體快度, CL 延遲值為 9-9-9-28 ,雖然 CL 值並不算是特別突出,但可在 DDR3 2000MHz 的速度下,支援 1.65V 電壓運作,表現不俗。此 Super Talent 兩款記憶體模組均提供散熱片幫助散熱,目前已於腦場有售,其中 Capital 內的售價分別為港幣 $520(WB160UB2G6 ) 及 $600(WB200UB2G9) 。