市調機構 DRAMeXchange 最新報價顯示， DDR2 供給持續吃緊， 11 月上旬合約價再度呈現大幅上漲的局面， DDR2/2GB 合約均價從 36 美元上漲至 41 美元，漲幅達 13.9% ，高價合約價更一舉突破至 50 美元價位，超越現貨市場行情。

從市場面來觀察，由於 PC-OEM 端中低價位接單不惡， DDR2 持續追單下，合約價有機會在 11 月繼續維持上漲的局面。

市調機構 DRAMeXchange 指出， 11 月上旬 NAND Flash 合約價呈現漲跌互見的狀況，平均價格變化區間約在 -2% 到 6% 之間，展望後市，集邦科技表示，預期旺季備貨效應過後， NAND Flash 價格開始回軟。

由於 11 月多數 NAND Flash 供應商的系統廠商旺季備貨大單效應持續，因此有些廠商小幅調高部份產品的 11 月上旬合約價，但隨著廠商們的 3xnm 新製程技術產品在 11 月份的產出比例提高，部份廠商則小幅調降部份產品的 11 月上旬合約價，或者維持平盤，因此 11 月初 NAND Flash 市場在供貨依然偏緊的情況下，合約價仍得以大致呈現部份持穩或小漲的狀態。

展望 NAND Flash 後市的供需狀況，就需求面而言， 11 月底 NAND Flash 下游客戶的備貨高峰期過後，預期備貨需求將隨傳統淡季來臨而遞減，另外近期 Apple 的 iPhone 在中國上市初期的銷售狀況，不若其它已開發市場上市時的盛況，因此並未為 NAND Flash 需求帶來激勵的效果。

針對流動隨身儲存裝置市場，記憶體產品廠商 PQI 推出採用不掉蓋式的 Cool Drive U360 隨身碟，而且更提供雙向傳輸設計，而且更提供雙向傳輸設計，可在兩台電腦間直接互傳檔案，較一般隨身碟更為方便。

針對高階玩家市場， SUPER TALENT 推出支援高達 DDR3 2200 記憶體速度的 4GB Kit 裝 DDR3 記憶體模組，型號為 WS220UX4G8 ，目前已於香港深水埗腦場有售，為高階玩家提供打造最強平台的選擇。

SUPER TALENT WS220UX4G8 記憶體模組為 2 條 2GB 容量的 DDR3 產品，支援高達 DDR3 2200 記憶體速度， CL 延遲序為 8-8-8-24 ，支援 1.65V 電壓運作，並支援 Dual Channel 技術，規格不俗，加上記憶體模組設有 Hyper-efficient PX 散熱面，讓記憶體在高時脈運作下仍不會過熱，以滿足高階玩家要求。

目前 SUPER TALENT WS220UX4G8 記憶體模組已於香港深水埗腦場有售，不過其售價港幣 $2380 ，相信除了高階玩家之外，則並非每位用家也能負擔得起。

DRAMeXchange 表示，由於 PC 大廠提供配搭 DDR3 的 PC 產品，第三季對 DDR3 需求量大幅升， DDR3 合約價在第三季大漲 36% ，現貨價也在合約價的帶動下上漲 24% 。 DDR2 方面，由於 DDR3 合約價格大漲，亦帶動 DDR2 合約價格的漲勢，且在第三季國際 DRAM 大廠轉進 DDR3 相當積極，導致 DDR2 出貨量減少效應持續發酵，部份 PC OEM 廠商亦已逆向操作增加 DDR2 的庫存水位，使得本季 DDR2 合約價漲幅高達 31% 、現貨價格漲幅亦高達 30% ，漲幅與 DDR3 不惶多讓。

第三季各 DRAM 廠商營收在 DDR3 合約價上漲 36% 、現貨價上漲 24% 以及 DDR2 價格上漲 30% 下，皆較第二季成長，成長幅度約在 15 至 55% 之間。其中， Samsung 以及 Powerchip ，第三季營收成長皆達 50% 以上，遠優於市場平均。

2009 年第三季全球 DRAM 產業營收為 57.19 億萬美元，與今年第二季相比，上漲了 40.7% 。其中韓系廠商 Samsung 在 DRAM 合約價上漲、製程持續轉進 50nm 使季位元成長約 10% 以及提高 DDR3 的生產比例下，其第三季 DRAM 營收漲幅高達 51% ，為 17.81 億美元，市佔率上升 2.1% 至 31.1% ，穩佔 DRAM 產業龍頭寶座。韓系廠商 Hynix 第三季 DRAM 營收在季均價上漲 26% 以及季位元成長 12% 的影響下，營收上漲 42.1% ，為 13.18 億萬美元，市佔率上升 0.2% 至 23% ，位居 DRAM 產業營收第二名。