快閃記憶廠商 SAMSUNG 4 日宣佈，最新推出全球最薄的 Multi die 堆疊封裝技術，能夠把將 8 顆快閃記憶體晶片壓層疊封裝在一顆僅得 0.6mm 的晶片之內，比較目前市場常見的 8 層封裝技術所需厚度降低一半，尤其可針對手機和移動裝置產品之中，在加入超薄大容量快閃記憶體晶片時，其體積仍可維持輕巧。

最新研發的 0.6mm 晶片採用 8 層封裝，內含包括八個完全相同的模具，採用 32nm 工藝，內建 32 十億位元（千兆 ) NAND 快閃記憶體晶片，每層晶片的實際厚度僅為 15 微米，並提供 32 千百萬位元組 (GB) NAND 解決方案。

據 SAMSUNG 指出，由於一般的層疊封裝技術在小於 30 微米時，很大機會無法承受外部壓力，但透過 Multi die 堆疊封裝技術，其關鍵之處在於突破了傳統技術中每層厚度不能低於 30 微米的瓶頸，令封裝晶片可在 30 微米的厚度底下實現雙倍容量。

市調機構 DRAMeXchange 公佈 2009 年第三季 NAND Flash 品牌供應商市場報告，在電子系統客戶第四季旺季長單回溫效應的帶動下，第三季 NAND Flash 平均銷售價格 (ASP) 較第二季上升約 4% ，整體 NAND Flash 出貨量則較第二季增加約 17% ， 因此今年第三季各家 NAND Flash 品牌廠商營收都較上一季成長，第三季全球 NAND Flash 品牌廠商整體營收為 33 億 5 千 5 百萬美元，較上一季的 27 億 5 千 9 百萬美元成長 21.6% 。預期第四季在 ASP 持續上漲及旺季出貨穩定成長的雙重助力下， NAND Flash 品牌廠商的整體季營收可望再成長 20% 以上。

Samsung 營收為 12 億 9 千萬美元，市佔率為 38.5% ，維持第一； Toshiba 營收為 11 億 6 千 4 百萬美元，以市佔率 34.7% 排名第二； Micron 為第三名，營收為 3 億 1 千 6 百萬美元，市佔率為 9.4% ; Hynix 為第四名，營收 2 億 9 千 1 百萬美元 ;Intel 列名第五，營收為 2 億 1 千 9 百萬美元； Numonyx 居第六，營收為 7 千 5 百萬美元。

Samsung 受惠於手機及 MP3 市場的旺季庫存回補需求，第三季平均銷售價格較第二季上升約 5% ，出貨量季增率則增加約 15% ，使得 Samsung 的第三季營收增加至 12 億 9 千萬美元，較第二季季成長 24.4% ，市佔率為 38.5% 。

為針對 DDR 2 平台用家，而且配合香港電腦業協會於腦場舉行優惠展銷日，零售商 Captail 與記憶體模組代理商 iMICRO 合作，推出 SUPER TALENT 2GB DDR2 800 記憶體模組優惠，即日起其售價由原價港幣 $330 減至港幣 $299 ，限量 200 條售完即止。

此次以限量優惠價發售的 SUPER TALENT DDR2 800 記憶體模組為單條 2GB 容量產品，記憶體速度為 DDR2 800 ，其延遲值為 CL5 ，支援 1.8V 電壓下運作，配以散熱片設計，優惠限量 200 條，售完即止，並由代理商提供終身保固服務。

據 Capital 表示，目前不少品牌的 2GB 容量 DDR2 800 記憶體模組均回升至三百多元，此次 SUPER TALENT 2GB DDR2 800 記憶體模組優惠，可讓有意升級記憶體的用家提供不錯的升級選擇，唯是數量有限，欲購從速。