自 PC 年出貨量不如市場預期， DRAM 合約價格 7 月正式跌破 20 美元價位，為減低供過於度引致虧損加劇， DRAM 產業將引發下一波減產潮，其中 Eplida 及子公司瑞晶早前已正式宣佈將會減產，但減產幅度相當有限，據市場調查機構預期， DRAM 廠還需達成一致性的減產才能令 DRAM 達到供需平衡。

據了解， Eplida 及子公司瑞晶剛於 8 月已正式宣佈將會減產，兩者將合共減產約 20K 每月投片量，其中 Eplida 位於廣島的廠房將由現有 90K 投片量，下調至 80K 投片量，瑞晶則由現有 75K 投片量下調至 65K ，但對全球整體的 1100K 投片量影響不大。

此外，韓系廠商 Samsng 已將標準型記憶體總產能比率減至 40% 以下，而 SK Hynix 於 DRAM 製品則仍表現積極，並在 M12 廠增產 30nm 製程為主的 DRAM 製品，預計第四季末約有 20K 的投片量。台系 DRAM 廠商方面，已陸續傳出減產計劃，力晶正考慮將每月 45K 的標準型記憶體投片量進一步縮減，南科及華亞科亦已有可能在下半年啟動減產機制。

早前第二季度 DRAM 價格止跌回升，令 DRAM 廠平均銷售單價跌幅收斂，甚至出現上揚走勢，加上接近滿載的產能利用率以及製程轉進提供位元成長，讓大多數 DRAM 廠商營收出現增長，第二季整體營收較第一季度上升 12% ，但於總體經濟表現仍然疲弱，第二季營收仍較去年同期下跌 13.8% ，總計 2012 年 DRAM 產業營收仍會處於萎縮狀態。

據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，韓系廠商仍然穩坐全球近 70% 市場佔有率，其中 Samsung 第二季市佔為 39.5% ，但卻較第一季出現小幅下跌，不過營收增加 7% ，據分析指出，主要是由於標準型記憶體平均銷售單價止跌回升近 20% ，因此儘管行動式記憶體價格較上季跌近 15% ，仍無損 Samsung 持續提升獲利能力。

排名第二 SK Hynix 營收表現也穩健，營收達 17.13 億美元，較上季成長 14.2% ，而且市佔也呈現微幅上升，主要是受惠於標準型記憶體平均銷售單價回穩的，使其營業利益出現 4% 的顯著成長，加上產品成本結構持續下降以及中國無錫廠折舊金額大減，讓 SK Hynix 可在近年多季虧損以來得到首次回升。

針對 DRAM 市況走勢表現，市場調查機構 DRAMeXchange 早前作出 7 月下旬的調查報告，指出繼 7 月上旬合約價出現 2012 年首次下跌後，下旬合約價依然持續疲弱走勢，其中 4GB 均價較上旬下跌約 2.5% ，而整體 DRAM 價格於 7 月份更下跌 7% ， 2GB 模組於下旬亦出現首次下跌，價格跌至 10.75 美元。

約早前 7 月上旬 4GB 模組合約價出現 2012 年首跌後， 7 月下旬 4GB 合約均價錄得為 19.75 美元，最低成交價為 19.5 美元，均價較上旬下跌約 2.5% ，而上旬仍能持平的 2GB 模組於下旬合約價亦錄得下含，均價為 10.75 美元水位，以 40nm 製程為主的 DRAM 廠商又再次回復虧損狀態。

受到平板電腦興起，除持續侵蝕 NB 出貨量之外，亦簡接影響了消費型或企業型市場換機潮， PC 出貨成長趨緩使記憶體產業需調節生產產能以因應萎縮的需求，除韓系廠之外，大部分記憶體廠商將進一步面臨虧損，並需要引發另一波減產潮。

雖然 DRAM 合約價格於 7 月份再次出現下跌，但 NAND Flash 合約價均價在賣方持續採取策略性供給，以及買方開始為第三季新機種進行備貨下， 7 月下旬 NAND Flash 合約價均價出現小幅上揚，同時也預期 NAND Flash 合約價在短期內仍可望維持小漲格局。

據市場調查機構 DRAMeXchange 表示，記憶卡與隨身碟價格從五月中開始止跌回升，同時供應商仍維持供貨秩序，其中 Toshiba 更公開宣佈減產 30% ，加上第三季將有大量智慧型手機、平板電腦、超輕薄行動電腦上市，可望帶動買方備貨。

不過，儘管隨身碟市場進入旺季，但面對全球經濟復甦力道受歐債不確定性因素持續影響，歐美市場及新興國家經濟成長動能都不如預期，而且 Intel Ivy Bridge 處理器延後上市令 USB 3.0 產品遞延，令 NAND Flash 合約價僅能小幅上升。

為進一步提升記憶體效能以滿足高階手持式裝置需求， Samsung 宣佈目前全球最快的嵌入式 NAND Flash 快閃記憶體 eMMC Pro Class 1500 正式量產，支援達 140MB/s 的讀取效能，以及 3500 IOPS 隨機讀取速度，而且更是首款支援 JEDECe-MMC V4.5 規範的 NAND Flash 產品，有助智慧手機及平板電腦等提供高性能表現。

全新 eMMC Pro Class 1500 NAND Flash 快閃記憶體採用 20nm 製程生產，採用 DDR2 介面，厚度僅為 1.2mm ，僅重 0.6g ，讓智慧手機及平板電腦在體積及重量上有更大的縮減空間，最高容量可達 64GB 。

eMMC Pro Class 1500 是目前目前全球最快的嵌入式 NAND Flash 快閃記憶體，可支援達 140MB/s 的讀取效能，寫入速度則為 50MB/s ，隨機讀取達 3500 IOPS ，寫入則可達 1500 IOPS ，效能較現時主流的 eMMC NAND Flash 提升約 4 倍。