隨著 10 月已接近尾聲，市場調查機構 DRAMeXchang 亦發佈針對 NAND Flash 合約價的走勢報告， NAND Flash 10 月下旬合約價格錄得上漲走勢，在廠商穩定控制產能下，預期上漲動能至少將持續至 11 月份，但 11 月後價格或有機會面臨較大力道下滑壓力。

據了解，由於供貨持續吃緊而且買方需求不減， 10 月下旬合約價格上漲 7-12% ， 而且在廠商有效控制產能下，加上持續採取供貨控管策略，而且手機和平板電腦的 NAND Flash 備貨積極，令 NAND Flash 價格十分穩定，預期這波 NAND Flash 合約價的上漲動能至少將持續至 11 月份。

不過，隨著 11 月中旬過後，新機種上市速度稍為放緩， NAND Flash 備貨題材將逐漸消退， 2013 年第一季需求普遍保守，屆時需將會回落，將使得 11 月過後的價格走勢面臨較大的下滑壓力，但 NAND Flash 業者將會盡力維繫供需均衡狀況。

市場調查機構 DRAMeXchange 30 日發表最新 DRAM 市況報告，指出由於全球 DRAM 市場持續供過於求，加上 PC 整體出貨量未如理想，十月份 4GB 記憶體模組合約價跌破 16 美元，而且走勢將持續往 15 美元關卡價位前進，價格已跌近現金成本，令廠商進一步面臨成本結構考驗，減產之勢已不能怠慢。

隨著台系廠商茂德已正式退出市場，瑞晶和力晶已先後於 8 、 9 月開始啟動減產，南科與華亞科亦正式宣佈於 10 起減產 20% ，加上日系廠商 Elpida 也於 8 月啟動減產機制，是次減少主要以標準型記憶體為主，另一方面雖然韓系廠商暫未有減產劃，但調整生產比重已減少標準型 DRAM 的產出量而轉至毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體，因此 10 月份全球 DRAM 產能已減少至 1050k ，從今年高點的 1130K 計算減產約 80K 片，幅度約 7.1% ，將有助於標準型 DRAM 價格的止跌反彈。

目前， Samsung 早已把標準型記憶體產出比重降至約 30% ，明年目標為調整至 25% 間， SK Hynix 雖然今年標準型記憶體產出仍佔整體產出約 50% ，但明年已計劃將持續下修至 40% 以下，進一步縮減標準型記憶體比例。同時， Micron 和 Elpida 整併可望於明年上半年完成，按照其原始規劃，未來廣島廠將單純以生產行動式記憶體為主，標準型記憶體的由子公司瑞晶負責生產，華亞科主攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，標準型記憶體的產出規模也逐漸縮小。

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由於智慧型手機、平板電腦及 Ultrabook 需求持續增長， 9 月至 11 月期間 OEM 訂單集中，為配合廠商進行備貨，多數 NAND Flash 供應商將產能供應給需求相對較佳的系統產品為優先，加上早前中國十一長假，廠商在此之前需回補庫存，令主流 MLC NAND Flash 合約均價於 10 月上旬大幅反彈。

較早前 NAND Flash 面對市場旺季不旺影響而導致交易清淡，價格只能維持平穩走勢，但隨著 9 月至 11 月 OEM 廠商為準備系統產品出貨，加上中國十一長假期前廠商也提升庫存備貨，因而增加對 NAND Flash 採購， 10 月上旬主流 MLC NAND Flash 合約均價持續上漲約 3-17% 。

據市場調查機構 TrendForce 認為，近期造成 NAND Flash 合約價反彈的原因，主要是來自 OEM 客戶為新產品上市進行備貨準備，加上先前 Toshiba 減產後調整了供應量，合約價上漲符合淡旺季的定價策略。