記憶體模組 DDR3 自 2011 年開始成為主流，而為進一步提升記憶體效能表現，業界亦早已不斷有 DDR4 的實物陸續曝光。另一方面， JEDEC 組織日前正式公佈 DDR4 標準定義，擁有更高性能、可靠性和低功耗特性，速度由 DDR4-1600 起跳，標準電壓降低至 1.2V ，初步預期 2015 年始面向普通消費級用戶市場，並需待至 2017 年才會取代 DDR3 成為主流。

新一代 DDR4 記憶體模組提供 x4 、 x8 、 x16 數據寬度，單顆記憶體顆粒容量 2Gb 至 16Gb ，資料傳輸率為 1.6GT/s ，初始最高值為 3.2GT/s ，即標準速度為 DDR4-1600 至 DDR4-3200 ，並預期可支援至更高速度，同時 DDR4 採用 8N 預取架構，提供 2 個或 4 個 bank group ，執行啟動、讀寫入或者刷新操作。

此外， DDR4 亦包括支援多項其他功能，如額定改進和動態 ODT 、減少功耗及提升數據完整性的 DBI 、 CRC 計算 / 驗證數據總線、新 CA Command/address Bus 、支援 DLL off mode 等，也能提升整體記憶體效率和頻寬。同時， JEDEC 也指出 DDR4 採用堆疊記憶體設計亦是關鍵，可在單一信號載入中，堆疊最多八個記憶體設備。

雖然面對市場旺季不旺影響而導致交易清淡，但隨著智慧型手機、平板電腦等新產品備貨需求提升，使得 NAND Flash 價格保持穩定，繼八月份 NAND Flash 合約價持續走穩後，據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的 NAND Flash 價格走勢報導指出，九月上旬 NAND Flash 合約均價依然持平，甚至出現小漲格局。

據報告指出，雖然傳統銷售旺季即將來臨，但目前全球經濟仍處於不穩定狀態， NAND Flash 買方對傳統銷售旺季持保守看法，為了減低風險，買方在庫存管理方面採取謹慎態度，使 NAND Flash 需求未見明顯提升。

同時，在隨身碟市場方面，由於 NAND Flash 廠商供貨調節策略，下游生產隨身碟的廠商無法取得穩定且具規模的貨源，出貨動能與產品組合受到大幅影響，加上隨身碟廠商原先預期 USB 3.0 產品可望成為下半年刺激市場銷售的助力，但隨著 Ivy Bridge 延後上市以及 Windows 8 所導致的 PC 買氣遞延，使得 USB 3.0 產品需求不如原先預期，因此整體 NAND Flash 成長量不如預期。

SSD 上市短短數年已迅速成為普及產品，並取代了不少傳統硬碟成為用家主流儲存方案，前景像是一片光明，但據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，受到第二季傳統消費性電子市場淡季影響，加上目前整體市況疲弱，第二季 SSD 市場仍表現未如理想，而且在收益率方面也不如預期，不過隨著下半年 Ultrabook 新機種上市，加上 SSD 價格回落吸引用家使用，預期 PC 級 SSD 產值在今年仍可望突破三十億美元大關。

據 DRAMeXchange 表示，第二季傳統消費性電子市場淡季影響，疲弱的全球經濟削弱 SSD 銷售力道，加上主流 MLC NAND Flash 合約價過去兩季分別下跌 17% 和 18% ，即使製程轉進至 20nm 減低成本也難以補回收益率，令 SSD 製造商在收益方面受到影響。

不過正因為 NAND Flash 格下降，讓 SSD 整體成本同時得以下降，使得 SSD 價格能大幅下滑，進而帶動消費者的需求，讓用家進一步加快轉為採用 SSD ，或升級 SSD 容量等，讓 SSD 可在市場淡季下，仍然保持一定的銷售表現。