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2012-12-21
隨著進入 12 月下旬,市場調查機構 DRAMeXchange 針對剛過去的 12 月上旬發表 NAND Flash 合約價格走勢報告,指出雖然系統產品年底銷售旺季備貨高峰期已過,但在 NAND Flash 廠商持續對零售市場減少供貨的下, 12 月上旬 NAND Flash 合約價持平,僅小幅下跌 1 至 2% ,但預期 NAND Flash 合約價將呈現緩跌走勢。據報告指出, 12 月上旬 NAND Flash 合約價受 NAND Flash 原廠持續減少零售市場的供貨下,即使面對銷售旺季備貨高峰期已過,但價格仍未有大幅下跌,僅出現小幅 1 至 2% 的跌幅,而早前 SK Hynix 廠房曾出現的產線短暫跳電情況則未有嚴重影響 NAND Flash 顆粒供應。
同時,在市場需求方面,智慧型手機與平板電腦廠商早前已為聖誕假期作好鋪貨準備,加上年底財報與庫存盤點因素,買方在 12 月中下旬採購需求已減緩,但一方面, NAND Flash 原廠持續降低對於零售市場的供貨,以拉高系統產品出貨比重,因此在兩者對沖下, NAND Flash 於 12 月上旬價格相對持穩。
2012-12-20
繼 11 月下旬 DRAM 合約價格小跌後, DRAM 最新合約價受現貨價格影響,據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的 12 月上旬的 DRAM 合約價格走勢報告指出,近期 DRAM 模組價格呈現上揚勢態,其中 4GB 記憶體模組小幅上漲 1.64% ,而 2GB 模組亦回升 1.71% 。據了解,由於短期內現貨市場顆粒供貨吃緊, DRAM 模組價格可望持續攀升。據 DRAMeXchange 最新發表報告顯示, 12 月上旬 DRAM 模組價格回升,其中 4GB 模組均價回到 $15.5 美元水平,升幅約 1.64% ,模組均價同樣回升至 8.9 水平,升幅約 1.71% 。 DRAMeXchange 指出,雖然回升幅度仍小,但在需求端持續低迷的情況下能夠停止跌勢,已可看到 DRAM 在庫存調節後出現健康勢態。
同時,在供給端方面,目前各家 DRAM 廠正在執行製程轉進, Samsung 和 SK Hynix 由原先供貨的 3X nm 製程正逐步轉至難度較高的 2X nm 製程,而 Micron 亦進一步提升 3X nm 的生產數量,由於現正處於新舊製程世代交替的銜接點,現貨市場顆粒供貨吃緊,因而帶動價格往上攀升。
2012-12-07
2012-12-06
市場調查機構 DRAMeXchange 6 日發表 11 月下旬主流 NAND Flash 價格走勢報告,指出雖然供應商持續以節制供貨量來穩定 NAND Flash 產品價格,但隨著 NAND Flash OEM 及通路市場客戶的年終假期備貨需求開始在 11 月下旬遞減, NAND Flash 晶片合約均價仍然下跌。據報告指出,而對客戶備貨需求減弱, NAND Flash 合約均價較上旬下跌約 1-3% ,另一方面,到部分供應商逐漸增加新的 20nm 級製程 64Gb MLC 出貨量影響 264Gb MLC 晶片合約均價則下跌約 7% 。
目前不少多數 NAND Flash 客戶正採取降低庫存策略,以面對年底結帳效應,因此預期 12 月份備貨需求將持續減少。同時,近期部分供應商的晶圓產量及 20nm 級新製程產出比重小幅提升,令供應增加,而 NAND Flash 供應商又正準備促銷,因此預期 12 月 NAND Flash 合約價將會呈現持續下跌走勢。
2012-12-04
踏入 12 月份,市場調查機構針對剛過去的 11 月下旬發表 DRAM 合約價格總結報告,發現合約價在 11 月下旬再度呈現下跌走勢,其中 4GB 均價跌幅約 3.17% , 2GB 均價正式跌破 9 美元價位,下跌約 2.78% 。預期明年 PC 出貨僅能維持平穩,因此 DRAM 年成長率將會持續下降,標準型記憶體價格將會待至下半年才回歸健康。據報導指出,在剛過去的 11 月下旬中, DRAM 合約價格維持短暫持平後再度呈現下跌走勢,其中 4GB 合約均價為 15.25 美元,較上旬下跌約 3.17% , 2GB 均價正式跌破 9 美元價位,達到低至 8.75 美元,跌幅約 2.78% ,但已比較年中時每月 1 美元甚至 2 美元的跌幅收斂。
另一方面,據了解,雖然 4GB 合約低價仍守在 15 美元水平,但預期第四季 PC 出貨量將會下跌, DRAM 廠庫存壓力不低,因此部份 DRAM 廠已採取特別交易來議定價格,令價格近月再度下跌,但由於「特別交易」附帶條件是大量取貨,庫存水位仍高的 PC-OEM 廠未必接受,使價格未有一下子大幅下挫。