提供每週7天24小時無間斷資料存取 Micron 推出全新企業SSD P410m
文章索引: 記憶體 Micron IT要聞
隨著 SSD 固應硬碟無論在消息市場或企業市場均已成普及, Micron 27 日宣佈推出全新型號 SSD 產品,為 P410m 固態硬碟,針對資料中心應用和企業級存儲平台,可提供高耐用表現,支援 6 Gbps 串列連接 SCSI( SAS) ,能夠為企業用戶提供每週 7 天 24 小時不間斷資料存取的任務關健型 1 級存儲應用。

據 Micron 表示,在一般要求無間斷存取的應用中,首選 SAS 是因為其雙埠介面能夠提供客戶期待 SAS 硬碟應有的高可用性和可訪問性,而是次推出的 P410m 則可提供處理持久性資料存儲獨特工作負載所需的一致的低功耗和均衡的讀 / 寫性能。

全新 P410m 固態硬碟為 2.5 吋 7mm 硬碟,採用 Micron 25nm MLC NAND 快閃記憶體,集成了其擴展性能和增強可靠技術 (XPERT) ,而且通過優化固件演算法和硬體增強使存儲介質和控制器緊密結合,從而確保該介質高度可靠,為企業級提供增強的資料能和可靠性。
去年Q4營收大幅成長達21.4% 兩大韓系廠商共佔80%行動記憶體市佔
文章索引: 記憶體 DRAMeXchange IT要聞
目前智慧型行動裝置應用普及,據市場研究機構 DRAMeXchange 早前的調查顯示, 2012 年第四季行動式記憶體營收大幅成長,較第三季度上升達 21.4% ,營收總額達 24 億 4400 萬美元,更是 2012 年最高的單一季度,其中兩家韓系大廠更共佔得整體市場近 8 成市佔率,表現凌厲。

據調查報告指出,去年第四季行動式記憶體受惠於全球智慧型手機出貨進入傳統旺季,其中 Apple iPhone5 雖上市後吸引力已大減,但仍創下 4000 萬台的單季銷售紀錄,另一品牌 Nokia 推出的新機種 Lunmia920 銷售亦較預期理想,加上中低階智慧型手機出貨亦大幅攀升,讓第四季全球行動式記憶體營收較上季成長達 21.4% 。

據了解,由於中低階智慧型手機普遍搭載嵌入式多晶片封裝 (MCP/eMCP) 的記憶體產品,因此讓兩大韓系廠商受惠,成長力道最為強勁,其中 Samsung 營收穩居市場龍頭地位,成長率則達 26.9% ,另一家韓系廠商 SK Hynix 營收成長率更達到 36.5% ,表現進步,同時兩家廠商在整體市場中佔得 78.5% 市場率有率,其寡佔態勢更勝標準型記憶體市場。
供貨不足令TLC合約價小幅上漲 預期3月底合約價將轉為緩跌走勢
文章索引: 記憶體 IT要聞
市場研究機構 DRAMeXchange 24 日發表最新 NAND Flash 市況走勢報告,指出 2 月期間在多家大廠維持較高的 MLC 生產比重以供應較為穩定的 eMMC 與 SSD 等 OEM 訂單需求下, TLC 出貨量呈現供貨不足,令 2 月份的 TLC 合約價小幅上漲,而 MLC 合約價則維持平穩。

據了解,雖然 2 月份面對中國農曆年假期銷售狀況表現僅為持平,但在供應方面,由於 Samsung 、 Toshiba 和 SanDisk 等廠維持較高的 MLC 生產比重以供應較為穩定的 eMMC 與 SSD 等 OEM 訂單需求下, TLC 產出比重相對受到影響而令到供貨不足,使得 2 月份的 TLC 合約價小幅上漲 1-3% 。 .

另一方面,除了 TLC 因廠商調整出貨比重令供應不足外,目前部份符合 SSD 等級應用的 20nm 製程晶片供貨量仍然不足,不過在 2 月份期間, MLC 合約價仍然可大致維持平穩。
享受極速遊戲啟動反應 購買OCZ Vector送您Far Cry 3
文章索引: 記憶體 OCZ 業界資訊
為享受高速儲取讀寫效能,以及程式啟動反應,不少用家也會選用 SSD 固態硬碟,其中 OCZ 早前推出了新一代高效能 Vector 系列,搭載全新 Indilinx Barefoot3 控制晶片,保持高效持續讀寫速度, 4K 隨機讀寫效能更進一步提升。為配合用家在多工處理及啟動遊戲時得到速度與效能的快感, OCZ 再與遊戲合作,提供《 Far Cry 3 》免費贈送的超值組合,隨時可免費獲得《 Far Cry 3 》遊戲。

Vector 系列 SSD 為針對高階用戶市場而設, Firmware 自行編寫,並採用由 Indilinx 自家開發的 Barefoot 3 控制晶片,控制器以雙核心設計,內建 ARM Cortex 核心之外,還有 OCZ Aragon co-processor ,支援 SATA 6Gbps 介面,並內建 8 通道記憶體控制器,以提升傳輸速度。

搭載由 OCZ 封裝的 25nm IMFT NAND Flash ,內建 DRAM 記憶體作緩衝及暫存以提升效能,支援達 550MB/s 持續讀取和 530MB/s 持續寫入, 4k 隨機讀取效果可達 100,000 IOPS ,而寫入也可支援達 95,000 IOPS ,讀寫零碎檔案更加快速。
較MLC NAND小25%以上 Micron推出 20nm 128Gb TLC NAND
文章索引: 記憶體 Micron IT要聞
為針對快閃記憶體卡和 USB 硬碟等具價格競爭力的移動存儲應用, Micron 日前宣佈推出業界最小的 20nm 三層 NAND 存儲單元 (Triple-Level-Cell) 128 Gigabit NAND 快閃記憶體,面積僅 146mm

據 Micron 表示,是次宣佈推出的 128Gb TLC 設備主要針對具價格競爭力的移動記憶體市場,並在 2013 年一季度將佔整個 NAND 容量的 35% ,將使消費類存儲應用提高到一個新階段。