ASUS 專為追求高效能遊戲玩家市場而設的 ROG 玩家國度系列產品一向受不少用家歡迎，為進一步配合用家組裝遊戲平台，除了主機板、繪圖卡及音效產品外， ASUS 更將會走向 SSD 市場，將為會 ROG 系列推出 ASUS 首款 SSD 產品，型號為 RAIDR 。

ASUS ROG RAIDR SSD 設有 EMI 金屬遮罩外殼，其採用黑色金屬背板設計，採用 PCI-E 2.0 介面，比較一般主流用家採用的 SATA 介面 SSD 擁有更高傳輸頻寬，內建兩顆 SandForce SF2281 控制器，以 RAID 0 模式運作提升效能，並支援 TRIM 、 NCQ 和 SMART 指令，也支援 128bit AES 加密。

RAIDR 搭載 Toshiba 19nm MLC NADA flash 同步快閃記憶體，提供 120GB 和 240GB 兩款容量選擇。效能方面， 120GB 容量最高可支援 765MB/s 持續讀取速度，最高持續寫入速度則支援至 775MB/s ； 240GB 容量最高可支援 830MB/s 持續讀取速度，最高持續寫入速度支援 810MB/s ， 4k 隨機讀寫效能方面則可支援至 100,000 IOPS 。

DRAM 價格自 2012 年底開始連續多月上漲，據市場調查機構 DRAMeXchange 最新針對四月上旬發表的 DRAM 合約價走勢報告指出，四月上旬合約價延續強勁漲勢，漲幅高達 8% 以上，按如此升幅走勢估算， 4GB DRAM 合約價走向離歷史高價的 30 美元大關日子不遠。

去年標準型記憶體供過於求情況嚴重，令 DRAM 價格持續下跌，廠商為減低虧損，於下半年開始陸續進行減產，以緩和 DRAM 價格下跌走勢，最終，於去年底讓 DRAM 價格重回正軌，甚至出現連續升勢，至今已是連續第 5 個月上升，其中 4GB 合約價均價回升至 $25.5 元。

據 DRAMeXchange 表示，受到智慧型手機與平板電腦需求持續， DRAM 產業的供給端已逐步的將生產計畫逐步轉向毛利較高的行動式記憶體及伺服器記憶體商品，在供給調整下，標準型記憶體已恢復供需平衡，而且 Micron 購併 Eplida 事情出現不明朗因素，令到 PC-OEM 廠商加速為進 DRAM 備貨，因而令價格持續上升。同時，相同的價格走勢也逐漸反映在行動式記憶體甚至伺服器記憶體市場。

雖然不少用家重視隨身碟讀寫效能表現，但對於一些日常僅儲存文書檔的用家來說，在儲取細容量檔案時對 USB 2.0 和 USB3.0 分別較低，反而對外型設計有一定考慮因素，針對這些用家， HP 推出粉色系列 v178b 及 v178p 隨身碟，以甜美的薄荷牛奶與草莓牛奶雪糕造型設計，外型可愛吸引。

不少用家會將隨身碟繫於隨身物品之上，除了方便日常攜帶和使用之外，隨身碟往往也能成為飾物，因此外型設計特注的隨身碟也吸引不少用家選擇。其中， HPv178b 及 v178p 粉色系列隨身碟以薄荷牛奶與草莓牛奶雪糕造型設計，波浪形蓋子活像融化流下的冰淇淋，綴以表面的立體朱古力碎粒裝飾。

為配合用家對高速儲存應用的需求， ADATA 即於 19 日至 30 日期間，舉行電腦黃金週限時優惠活動，凡於上述日期之間到各大電腦零售商店，即可以優惠價購買 64GB S102 PRO USB 3.0 隨身碟，或以優惠價購買 SP900 64GB / 128GB SATA3 SSD ，優惠期數量有限，售完即止，萬勿錯過。

ADATA S102 Pro USB3.0 隨身碟採用鋁合金外殼，尺寸為 61.8 x 18.7 x 10.7 mm ，外型小巧之餘，隨身碟僅重 13g ，方便用家隨身攜帶。其中， 64GB 容量版本的 S102 Pro 最高支援約 100MB/s 讀取速度和 50MB/s 寫入速度，速度較上代 USB 2.0 隨身碟大幅提升。

Premier Pro 系列 SP900 SSD 固態硬碟針對主流級用戶市場，採用 SandForce 2281 控制器，但透過 Firmware 韌體優化寫入的方式進而減少寫入次數以及寫入的區域，把原先隱藏作二級 Over-Provisioning 的容量釋放，雖然採用非同步 NAND Flash ，但也可支援至 550MB/s 讀寫和 530MB/s 寫入速度， KB 隨機寫入速度可達 85,000 IOPS 。

繼去年 11 月開始生產 10 nm-class 64Gb MLC NAND Flash 記憶體顆粒後， Samsung 日前宣佈，將大規模生產採用 10nm 製程的 128Gb 3-bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒，除了提供高速傳輸之外，更能進一步提升儲存產品的容量，以應付嵌入式 NAND 存儲和 SSD 等未來高密度存取需求。

據 Samsung 表示，是次發佈的 128Gb NAND flash 快閃記憶體顆粒基於 3-bit 和 10 nm 製程而成，擁有目前業界最高的密度，基於 DDR2.0 介面，支援最高 400Mbps 資料傳輸速度。

隨著現時針對高畫質影片儲存需要，低容量記憶卡已漸不敷應用，透過全新的 128Gb 3-bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒， Samsung 將會擴大 128GB 容量記憶卡，並可儲存多達 16 個容量達 8GB 的高畫質影像檔案。同時，也可針對電腦系統，提供容量超越 500GB 或以上的 SSD 產品。