針對數據中心的伺服器和儲存應用， Micron 日前宣佈推出新型專屬回應硬碟，型號為 P400m ，提供 100 、 200 和 400 GB 容量，加上採用 XPERT 作為核心技術，專門為管理高速和海量資料儲存而設，同時提供高保護性、耐用性和穩定性表現。

據 Micron 表示，資料可靠性和系統正常運行時間一直是數據中心管理人員最關注的問題， 而目前加速湧入的資料和巨大的需求高峰需要不同的反應，而且更需高靈敏的系統。正是由此應運而生，提供對於高性能存儲層重要的高可靠性和耐用性、加快吞吐量和應用程式產生的需求高峰期的回應。

Micron 全新 P400m SSD 採用 2.5 吋 7mm 厚規格，採用 Micron 25nm MLC NAND 快閃記憶體顆粒，並支援 XPERT 技術，透過此技巧優化固件演算法和硬體增強，將存儲介質和控制器密結合，增強資料性能和可靠性。

Plextor 早前於 CES 2013 大會中展出旗下全新 M5M mSATA 6Gb/s SSD ，採用 Marvell 88SS9187 雙核心控制晶片，保留了接近桌上型 SSD 的效能表現，但採用 JEDEC 標準 MO-300 介面，針對重視效能、可靠度及內部空間有限的 Ultrabook 及超薄行動電腦用戶需要，提供了系統升級的絕佳方案，而據腦場消息指出， M5M mSATA 6Gb/s SSD 近日已正式抵港發售，提供 64GB 、 128GB 和 256GB 容量選擇。

Plextor M5M mSATA 6Gb/s SSD 採用新一代 Marvell 88SS9187 控制晶片，搭載 Toshiba Sychronous 19nm MLC Toggle NAND Flash ，也提供 DRAM 作緩衝儲存，並採用獨家 True Speed 實境效能技術，免除 SSD 長期使用後常見的速度嚴重下降問題。

同時，為針對資料穩定及安全的高階用戶需要，擁有獨家 True Protect 雙重資料保護技術，透過 Marvell 88SS9187 內建的最新 128bit ECC 錯誤校正技術，自動檢查及修正由快閃記憶體讀取資料的正確性，加上 Plextor 獨家韌體的先進資料延伸演算法提供第二層讀取保護，即使長期使用也持續保持資料讀取精確度，並採用了 AES 256-bit 演算法，全面支援硬碟加密保護功能。

不少用家在日常工作中需要隨身儲存文件，為針對在特別環境工作的用家， LaCie 最新推出 XtremKey USB 3. 隨身碟，採用 USB3.0 介面，提供高速讀寫速度表現，而且特別加強其數據保護，即使在惡劣的環境中甚至受大壓力也能保持檔案安全，確保珍貴資料得到保障。

LaCie XtremKey USB 3.0 隨身碟採用 USB3.0 介面，支援達 230MB/s 傳輸速度，傳事高容量檔案效率快速。同時，其採用鋅金屬合金構造，擁有高耐熱、耐冷、耐摔、耐衝擊並且耐壓特性，可耐受強烈的衝擊、壓力和墜落撞擊，為用家提供最強資料保護。

其中，據廠商表示， XtremKey 可承受 10 噸車輛的肆意壓迫無損，也可在低至 -30°C 的刺骨溫度和高達 200°C 的灼熱溫度使用仍然安然無恙，而且經過 IP-68 8 級認證，防水深度高達 200 米，加上內部零件得到 2mm 外殼保護，並採用耐磨螺旋紋和密封橡膠 O 型橡膠環設計，即使掉落大海只要立即取回也可保持內部乾爽。

剛過去的 2012 年第四季度中， NAND Flash 需求達到高峰，踏入 2013 年後，由於模組廠商目前庫存水位偏低， 加上不少廠商為準備中國農曆新年銷售備貨，因此一月份的需求尚可維持不俗水平，而剛完結的 1 月上旬， NAND Flash 合約價大致持平，並預期短期內價格升跌幅度也較輕微。

預期農曆年後， NAND Flash 市況將進入淡季而轉趨為供過於求，而且目前智慧型手機、平板電腦與行動電腦在今年第一季出貨均較去年第四季的旺季高峰季減少，而且幅度達到 10-15% ，加上記憶卡與隨身碟出貨表現預計仍然疲軟。同時，新款 Ultrabook 需待第三季度才有明顯成長，在銷售動能軟弱下，預期 NAND Flash 需求較為清淡。

NAND Flash 供應商依舊保守看待今年上半年市況，預期第一季投片量與去年第四季相若，節制產出策略依舊，加上 20nm 製程進展緩慢，整體產出增長率僅季增 5% 左右。同時， NAND Flash 原廠也因應低價行動裝置成長，對系統產品的需求明顯增加，因此系統產品佔產能比重將持續攀高。

受惠於兩大韓廠 PC DRAM 的產出逐漸減少，據市場調查機構 DRAMeXchange 針對 DRAM 發表的價格走勢報告指出， DRAM 價格在 1 月上旬上漲走勢持續強勁，其中 4GB 模組漲幅逾 7% ， 2GB 模組最高價漲幅也突破 10% ，預期位期內漲勢仍然持續， 4GB 模組可望持續向 20 美元關卡邁進。

據報告指出，在剛過去的 1 月上旬中，主流 4GB 記憶體模組最高價達到 17.5 美元，漲幅達 7% ，而 2GB 模組最高價漲幅突破 10% 至 10.25 美元價位，預期短期內續漲動能仍強，下旬價格將可望挑戰 18 美元，甚至可望邁向 20 美元。同時，現貨市場方面， 2Gb 顆粒均價上漲 13% 到達約 1.19 美元，顯示現貨市場和合約市場走勢均表現強勁。

由於預期 2013 年首季 Notebook 出貨量將出現下跌走勢，跌幅約 13% ，加上 Intel 的最新款處理器 Haswell 也將於第二季才推出，短期內需求清淡，因此預估是次價格持續回升，最大原因是早前 PC DRAM 產出逐漸減少，以解決早前供過於求令價格下跌情況。