AMD 宣佈與研發夥伴 IBM 共同合作，運用超紫外線 (Extreme Ultra-Violet ， EUV) 微影技術，針對整個晶片中最關鍵的第一層金屬連結進行測試，並成功生產出作業測試晶片，透過「全面性」的超紫外線微影技術，成功整合至大小為 22 公厘 X33 公厘之 45 奈米節點測試晶片製程。

據 Bruno La Fontaine 博士表示， AMD 的超紫外線微影技術在未來數年，在半導體製程上的應用具十足的潛力，業界廠商因晶片體積縮小而受惠。雖然在業界可運用超紫外線微影技術量產之前，仍有許多挑戰需要克服，但是 AMD 已經證明該技術可以成功地與半導體晶圓製程結合，完整產出晶片上的第一層金屬互連層。

IBM 結構研究經理 David Medeiros 表示，微影技術如同微處理器一樣重，如何將含有數百萬個電晶體集成晶片的高度複雜設計，移轉到晶圓片上的技術，將是未來的重大挑戰，而晶圓片上的多重層級，是建立一個晶片的必要條件。

快閃記憶體廠商 SanDisk 與 Toshiba 宣布簽訂一項無約束力的合資生產備忘錄 (Non-binding MOU) 。 SanDisk 與 Toshiba 將於日本興建 300mm 晶圓廠，以因應未來市場對 NAND 快閃記憶體需求，同時鞏固雙方在市場上的領導地位。

暫時 SanDisk 與 Toshiba 尚未挑選地點興建晶圓廠，但將會在今年下旬決定地點，預典典於 2010 年開始投產。在這項合作計劃下，雙方將平攤所有資金，產能的百分之五十將會分配給合資雙方。而其餘的百分之五十則將交由 Toshiba 經營管理，其中一半的產品也將依據合約提供 SanDisk 作為產品原料。

此外，協議亦提供 SanDisk 不同的生產管理模式， SanDisk 可轉變成為合資生產或無合約承諾生產。全新廠房預計將於 2009 年開始興建。

Intel 宣佈斥資 30 億美元興建、首間高產量 45 奈米晶圓廠「 Fab 32 」已經正式投產，製造用於個人電腦、行動電腦、伺服器及其他電腦運算工具的新一代微處理器，首批產品預計於今年 11 月 12 日面世。

據 Intel 表示，「 Fab 32 」廠房位於美國亞利桑那州錢得市（ Chandler ），斥資 30 億美元興建，將採用 Intel 新一代 45nm 製程技術，並採用全新物料鉿（ Hafnium ）的 high-k 物質製作閘極介電層，藉此大大減低處理器中常見的漏電情況。而且小小一點已能容納超過 200 萬顆 45nm 電晶體，有助 Intel 提供速度更快、更節能的處理器，其中最值得注意的是，新一代 45 奈米產品不含鉛及鹵素，為環境保護出一分力。

據 Intel 總裁兼首席執行官 Paul Otellini 表示， Intel 在美國亞利桑那州開設的 Fab 32 廠房，擁有全球最先進、最環保的生產技術，憑著 45nm 製程的奇妙力量，加上英特爾的嶄新電晶體設計，提供高效能的節能電晶體，由效能最強的伺服器以至形形色色的流動裝置，均能滿足不同市場領域的客戶需求。

市調機構 IC Insights 指出，全球 IC 晶片出貨量將比去年同期上升 10% ，超出原來預期的 8% ，令 IC 晶片組出貨量由 2002 年起保持每年雙位數字的增長，主要原因為 DRAM 、 NAND Flash Memory 、 Interface 、 Data Conversion 及 Automotive-Related Analog IC 需要強勁，分別上升 49% 、 38% 、 60% 、 58% 及 32% ，帶動整體 IC 產業成長。

資料追溯至 1980 ， IC 晶片市場只曾出現過 2 次連續三年的雙位數字的增長，分別為 1982-1984 年及 1986-1988 年。

據 IC Insights 分析，至 2002 年開始至今的， IC 晶片出貨表現強勁，但至今並沒有減退跡象， IC Inisghts 預期未來 5 至 10 年間， IC 晶片出貨量仍會保持最小 10% 的年增長，主要是看來通訊產品及個人電子產品的需求將不斷成長，加屸新興國家對 IC 晶片的需求大幅提升，將會為 IC 產品帶來強大的成長動力。

Intel 總裁兼 CEO Paul Otellini 於舊金山 IDF 論壇上宣佈， Intel 在 32 奈米制程上取得了重大突破，並在現場展示了業內第一款 32 奈米晶片，將超過四百萬個電晶體集成在僅有小數點大小的面積內， Intel 預期 32 奈米將於 2009 年下半年開始量產。

據 Paul Otellini 表示， Intel 成功打造第一款使用下一代 32 奈米制程技術製造的 300 毫米晶圓，這些先進測試晶片的成功開發標誌著英特爾在下一代 32 奈米制程技術規模製造方面取得的重大成就，並帶來最先進的製造技術，實現業內持續領先

據了解， Intel 在大會所展示的 32 奈米測試晶片，是邏輯和靜態隨機存取記憶體（ SRAM ），集成電晶體數量超過 19 億個，使用英特爾第二代高 -k 與金屬柵極電晶體技術，每個記憶位元的晶格面積為 0.182 平方微米，整體裸晶面積為 118 平方毫米，總記憶容量達 291Mbits ，內擁有 PROM 陣列、高速暫存器檔案（暫存器集合群）、高速 I/O 電路、高頻相鎖迴路與時脈電路，最底端則是離散、分離式的測試結構，容納了超過 10 億個電晶體。