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3D TLC NAND+NVMe 1.2技術 ADATA XPG SX7000 M.2 512GB SSD
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ADATA 最新推出效能級「 XPG SX7000 」 NVMe M.2 PCIe 固態硬碟,最高讀寫速度高達 1800MB/s Read 、 850MB/s Write ,採用 3D TLC NAND 顆粒,備有 128GB 、 256GB 、 512GB 及 1TB 型號可供選擇,附連高達 5 年的廠方固保,以更吸引的價格加入電競用家市場,令用家升級電腦的預算更為充裕。
兩年半以來首次重大升級 NVMe 1.3 版本標準正式發佈 NVMe 標準組織日前發布了最新版的 NVMe 1.3 版本標準,為 NVMe 技術自 2014 年 11 月推出的 1.2 版本之後,兩年半以來的首次重大升級,為客戶端、企業級用戶及伺服器帶來更多新功能,並將在未來幾年內在相關市場上廣泛採用。

NVMe 技術一開始時由於打造成本甚高,在推出初期僅在商用固態硬碟產品上使用,其後在 Intel 、 Micron 、 Sasmung 等晶片大廠與主機廠商的積極拓展下,現時已經成為不少中、高階 SSD 的標配。 NVMe 的推出目的是用來取代傳統 AHCI ,在於充分利用高速 PCI-E 通道的低延遲以及並行性,以可控制的儲存成本提升 SSD 的讀寫性能,能帶來更高速度、更低功耗及更低延遲值的傳輸表現。

全新 NVMe 1.3 針對消費級及企業級 SSD 加入了大量新功能,包括 Device Self Tests( 設備自檢 ) 、 Boot Partitions( 啟動分區 ) 、 Sanitize( 清理 ) 、 Virtualization( 虛擬化 ) 、 Namespace Optimal IO Boundary( 命名空間最優 IO 分界 ) 、 Directives and Streams( 指令與流 ) 、 Non-Operational Power State Permissive Mode( 不可操作電源狀態允許模式 ) 、 Host Controlled Thermal Management( 主機控制散熱管理 ) 等等。
為數據中心而設 高達 4TB 容量 Intel 全新 DC P4500、P4600 系列 SSD Intel 在 2 日正式發佈兩款針對數據中心而設的 SSD 產品 DC P4500 系列及 DC P4600 系列,特別為雲端運算基礎架構進行了優化,率先推出的系列將提供 1TB 、 2TB 及 4TB 容量 HHHL 半高半長插卡式及 U.2 接口 2.5 寸形態的產品。

Intel 全新 DC P4500 、 DC P4600 系列為 DC P3600 與 DC P3700 系列的後繼產品,兩款新產品通過 Intel 最新研發的 SSD 控制器,支援 PCIe 介面及 NVMe 1.2 傳輸技術,配合 3D TLC NAND Flash 快閃記憶體在性能上進一步提升,能夠提供比上一代快 3 倍的寫入速度。

Intel 官方資料顯示, DC P4600 系列循環讀寫可高達 3290 MB/s Read 、 2100MB/s Write ,隨機讀寫可高達 702.5K IOPS Random Read 、 257K IOPS Random Write ; DC P4600 系列循環讀寫則可高達 3290MB/s Read 、 1890MB/s Write ,隨機讀寫可高達 710K IOPS Random Read 、 68K IOPS Random Write 。
Intel Optane 記憶體正式出貨 DC P4800X 375GB 容量訂價 USD1520 Intel 在日前宣布全新 Optane SSD 固態硬碟已經正式出貨,首批產品為 Optane DC P4800X ,基於 3D Xpoint 的 Optane 儲存技術,採用 PCIe 介面連接,擁有 375GB 容量面向數據中心應用,而更大容量的 750GB 至 1.5TB 的系列產品亦將會在今年稍後時間發佈。

Intel 最新發表的 Optane 記憶體旨在提升日常系統運算, Intel Optane 記憶體能有效大幅提升電腦在個人運算體驗中的效能,並大幅加速載入速度。無論從運算密集型的工程應用軟體到高階遊戲、數位內容創建、網頁瀏覽,甚至是日常辦公室文書處理應用軟體, Intel Optane 記憶體將個人電腦的回應速度提升到新境界。

Intel 最新發佈的 Optane SSD DC P4800X 專為數據中心而設,首發的容量為 375GB ,屬於 PCI-E 3.0 x4 擴展卡樣式,支援 NVMe 技術。性能方面, SSD DC P4800X 的 4KB 隨機讀寫分別為 550K 及 500K ,延遲值低,總寫入極限 12.3PB 。
2D-NAND Flash 供貨量緊縮 預估 2017 年第二季價格將持續上漲 市場調查機構 DRAMeXchange 最新研究顯示,第二季 2D-NAND Flash 的供貨持續緊縮,且由於 MWC2017 世界通信大會後將進入今年首波智慧型手機新機上市潮,預估第二季 NAND Flash 整體市場供需吃緊的情況依舊,使 SSD 與 eMMC 價格持續將上漲約 5-10% 。

2016 年底, NAND Flash 市場缺貨情況達到最高峰,在供貨持續吃緊的預期心理帶動下, DRAMeXchange 估計 2017 年第一季 eMMC 單季漲幅達 15-20% ,而 SSD 合約價也上漲 10-15% ,創下近八個季度以來單季漲價幅度的新高。不過,由於近期 NAND Flash 、面板與 DRAM 等關鍵零組件漲勢凌厲,已衝擊到智慧型手機與筆電的成本管控、壓縮廠商利潤,因此 eMMC 與 SSD 的平均儲存容量搭載量的成長速度將因而趨緩。

DRAMeXchange 表示,由於 NAND Flash 累積漲價幅度已高,迫使終端廠商紛紛調整產品平均儲存容量搭載量,預估第二季 NAND Flash 市場在整體供需仍健康的情況下, SSD 與 eMMC 合約價上漲幅度將出現明顯收斂,過去幾個季度大幅漲價的態勢將走緩。
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