在 8 月份舉行的 Flash Memory Summit 中，Phison曾透露即將推出下一代 E12/S12 SSD 主控制器，日前官方再釋出實際的效能分數，根據一張最新的 CrystalDiskMark 測試圖片可見，全新的控制器能夠擁有 3,305 MB/s 的連續讀取及3,137 MB/s 的連續寫入速度，4KB Q1T1 佇列深度的多工讀寫性能高達 60 MB/s，4KB QD1 隨機讀取更高達 15,000 IOPS，效能速度驚人。

Phison 在早前公佈的 2 款新主控制器分別為針對高階 PCIe 3.0 x4 NVMe SSD 市場的 Phison E12，以及針對主流 SATA 6Gbps SSD 市場的 Phison S12，2 款產品都具有 8 通道，快閃記憶體最高支援 8TB 容量，並能夠支援 3D NAND MLC 、TLC 及 QLC 快閃記憶體，並具備智能糾錯技術延長壽命。

官方資料顯示，Phison 全新 E12 主控制器將能夠符合 NVMe 1.3 規範，連續讀寫速度達到了 3200MB/s 及 3000MB/s，隨機讀寫均高達 600K，而 S12 主控制器的連續讀取為 550MB/s，連續寫入為 530MB/s，S12 主控制器將用作替換 S10 系列主控產品。

Intel殺手級SSD產品「Optane SSD 900」系列正式登場，採用革命性的3D Xpoint Optane 非發揮性記憶體技術，官方號稱其性能與耐用度相較傳統快閃記憶體(NAND)會高1,000倍，究竟實際性能有多強勁!? 筆者找來Intel Optane SSD 900 280GB與上代旗艦型號Intel SSD 750 400GB作對比測試。

ADATA「XPG」系列最新推出入門級「 SX6000 」NVMe M.2 PCIe SSD，特別為入門級及效能級電競用家提供高性價比的儲存解決方案，支援 NVMe 1.2 傳輸規範，讀寫速度高達 1000MB/s Read、800MB/s Write，4K 讀寫更可達100K IOPS、110K IOPS，廠方更提供 5 年固保服務，並以親民的價格發售，對於預算有限的用家來說是一大喜訊。

儘管 Toshiba 在近期有不少公司的不利消息傳出，亦無礙公司研發新技術，Toshiba 最新宣佈將與 SDK 昭和電工株式会社合作，基於 SDK 第 9 代 PMR 垂直磁記錄磁碟技術打造商業級 HDD，這種全新技術將可改善 2.5" 及 3.5" 儲存硬碟的密度及增加容量，無需要使用 Shingled Magnetic Recording 8SMR ( SMR ) 疊瓦磁記錄技術，新技術率先將會用於 2.5” 1TB 及3.5” 1.8TB的容量硬碟中，並預計在 2018 年 PMR HDD 的容量將可達到 14 TB。

據消息指，Toshiba 第一款使用全新解決方案將用於薄型筆記本電腦的 MQ04ABF 系列，硬碟為 5,400 RPM 轉速、1TB 數據儲存容量、2.5" 7mm 厚度設計。

Intel 近期動靜多多，除了大家非常關注的新處理器及晶片之外，Intel 亦針對儲存裝置產品與 Micron 研發了全新的 3D Xpoint，當中的 Optane SSD 更號稱理論讀寫速度及壽命都是普通 SSD 的千倍，作為 NAND Flash 晶片的龍頭大廠 Samsung 就推出了 Z-NAND 技術予以還撃，發佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 產品，並將會以比對手 Optane P4800X SSD 更低的價格出售。

Samsung 全新 SZ985 是首款基於 Samsung Z-NAND 技術的 SSD 產品 ，提供了一個獨特的電路設計及控制器，相比起現時的 NVMe SSD 延遲降低了 5.5 倍，備有 800GB 容量選擇，採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面，官方資料顯示其連續讀寫速度可達 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read，隨機讀寫速度則可達 750K IOPs / 170K IOPs。

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 兩者作比較，在速度方面，Samusng SZ985 SSD 明顯在連續讀寫及隨機讀寫方面擁有更高效能，但在讀寫指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面，Optane SSD 均為10μs、Samusng SZ985 則為 20 /16μs，兩者相較一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之間均有優勢。