市調機構 DRAMeXchange 指出，雖然上週 DRAM 現貨市場的顆粒價格並未因 Hynix 無錫廠停電的關係，讓顆粒價格有所上揚，但在廠商已經陸續收到海力士通知將延遲交貨時間或是縮減交貨的數量，預期六月上旬 DRAM 合約價將看漲 5 ~ 10% 。

上週 (5/20-5/26) 顆粒價格仍呈現持平的走勢，漲跌只在只在小區間內上下波動，現貨 eTT 顆粒方面， DDR2 eTT 512Mb 和 DDR2 eTT 1Gb 的收盤價為 1.0 美元與 1.98 美元，跌幅分別為 2.9% 與 1.0% ；而品牌顆粒的部份， DDR2 667MHz 512Mb 和 DDR2 667MHz 1Gb 收盤價為 1.04 美元 2.17 美元，跌幅為 0.0% 與 0.9% 。

據 DRAMeXchange 表示，成交量依然持續之前的走勢，整體的交易量仍相當清淡，從市場面來觀察，雖然合約價持續向上攀升，但現貨市場仍適逢受到淡季關係的影響，短期內現貨市場的需求將不易顯見，而 Computex Taipei 將於六月初開始，正式為第三季的需求行情展開序幕，勢必帶動整體市場整體的需求，更有助於活絡現貨市場的交易量。

市調機構 DRAMeXchange 指出，由於次貸風暴的延燒及淡季效應的影響，使得第一季 NAND Flash 供過於求的缺口情況更加擴大。 NAND Flash 平均價格比去年第四季下跌約 35% ，雖然整體品牌 NAND Flash 廠商的第一季位元出貨量比 4Q07 約成長 30% ，但品牌 NAND Flash 廠商 1Q08 的整體營收表現仍比去年第四季下跌了 15.8% 至 32.4 億美元。

2008 年第一季 NAND Flash 品牌廠商營收排行， Samsung 再次蟬連冠軍， Toshiba 與 Hynix 仍分居二、三名，其次為 Micron 、 Intel 、 STMicro 與 Renesas/PSC ，而前五大品牌廠商的總市佔率達 96.8% 。

據 DRAMeXchange 指出， Samsung 第一季 NAND Flash 營收市佔率比去年第四季下跌成為 39.6% ，但仍再度居於 NAND Flash 品牌廠的龍頭地位，雖然新的 51nm 製程產品比重已明顯增加，但受到 NAND Flash 價格大幅下跌的影響，第一季營收比去年第四季下跌 18.7% 成為 12.8 億美元。

據市調機構 DRAMeXchange 指出，目前在 DRAM 合約市場供給趨緊， DRAM 現貨價出現大漲狀況，於在四月下旬成功調漲合約價 3%-5% ，再於 5 月上旬成功調漲 10% 。預期在返校需求備貨旺季即將來臨， DRAM 廠大減資本支出，停止擴產下， DRAM 廠期待 1GB 記憶體模組能續漲至 $23 。

在第一季財報公布後，韓系 DRAM 廠 Hynix 在產能調整下，第一季 DRAM 位元銷售率僅成長 5% ，而歐洲 DRAM 廠 Qimonda 第一季 DRAM 位元銷售率為負 9% 。 Intotera 也在轉進 70nm 中，產出成長平緩。

雖然日系廠商爾必達 Elpida 第一季產出高達 33% ，但其 DDR2 客戶主要為數家大模組廠，而非電腦系統廠商 PC OEMs ，使得 DRAM 的產出在合約市場供給呈現吃緊。市場預期 DRAM 價格落底訊號形成而不斷拉高庫存，造成四月份現貨顆粒價格大漲。

據市調機構 DRAMeXchange 指出，最新的四月上旬合約價， DDR2 1GB 模組大致持平而且平均價格落在 17.5 美元，尚未見到漲價狀況。面對 OEM 廠商砍價格的壓力下， DRAM 原廠普遍堅守底線，未在合約價上讓步。目前各 DRAM 廠在顆粒價格逼近甚至低於變動成本的環境中，依舊沒有廠商願意減產或退出市場，各 DRAM 廠不得不咬牙繼續向前時，最後能做的就是堅守價格。

DRAMeXchange 表示，目前單機搭載率 (Content Per Box) 平均已提升至 1.8 ~ 1.9GB ，對買方 OEM 而言，目前提高 DRAM 搭載的原因主要是配合行銷手法上的運用，搭載容量也早已超過先前 Vista 的基本需求。從商業角度考量， OEM 固然可以繼續殺價降低成本，然而為維持買賣雙方關係，必要性已不高。

DRAMeXchange 進一步指出，上週 DRAM 現貨價格再次攀升，本週一 DDR2 1Gb 128x8 eTTT 均價站上 1.76 ，其原因在於價格已經跌深，市場殺低意願不高，再加上市場消息影響，使部分買盤進駐，進而緩步推升現貨價格。此外， DRAM 現貨價格至此約略已經落底，上週現貨短線拉升背後若無實質需求支撐，仍有拉回之可能性，但要再跌深之機會不大。

據市調機構 DRAMeXchange 指出，上週 DRAM 現貨市場 DDR2 eTT 1Gb 顆粒領軍大漲，升幅約 5.6% ，其其餘顆粒價格則呈現平穩的價格走勢，漲跌之間約只在 1% 左右的幅度。 DDR2 eTT 512M 價格持平於 0.83 美元， DDR2 eTT 1Gb 的收盤價漲幅為 1.8% 來到 1.69 美元；而品牌顆粒的部份， DDR2 667MHz 512Mb 和 DDR2 667MHz 1Gb 收盤價為 0.93 美元與 1.94 美元。

據 DRAMeXchange 表示， DDR2 eTT 1Gb 顆粒的漲幅優於其他顆粒，主要原因是三月份 DDR2 eTT 1Gb 的顆粒跌幅過大，上週的漲幅僅是價格回歸基本面而已。以整體的趨勢來分析，無論是 eTT 顆粒或品牌顆粒目前都仍在低檔盤旋。此外，由於正逢淡季，無論是現貨市場或下游模組廠的生意皆十分的清淡，縱使顆粒價格攀升亦不見補單需求回昇的趨勢。