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2009-01-13
市調機構 DRAMeXchange 指出,統計去年九月至今年一月間的最新的投片量,全球減產已逾 22% ,其中以台灣減產幅度最高達 55% ,顯見 DRAM 廠自九月宣佈減產後每月仍不斷持續減少投片 量已超過當初對外所宣稱的比例,加上實行有限度的出貨策略,自十二月份起已出現價格反彈的訊號,首先現貨市場 DDR2 1Gb eTT 顆粒價格自 12 月中大舉反彈至今逾 75% ,合約價亦自一月上旬止跌回穩,待 PC OEM 需求歸隊,反彈之路指日可待。隨著 DRAM 顆粒價格自 2007 年開始滑落至今, DRAM 顆粒價格已經面臨到將近連續七季的虧損,全球 DRAM 廠在 2007 年及 2008 年合計約 100 億美金,其中台系廠約佔 42 億美元,分析其主要的原因,當時 DRAM 廠普遍對市場的記憶體需求呈現過度樂觀的看法,在 2006 年間大舉興建 12 吋 DRAM 廠,產能於 2007 年開始陸續開出,造成供過於求導致價格急速下跌至今,根據 DRAMeXchange 統計,自 2007 年第一季至 2008 年第三季為止,全球 12 吋 DRAM 廠成長近 56% ,即使期間八吋廠亦去化了 57% 左右,但整體平均產能仍成長了 21% 。
縱使 PC OEM 廠在 2008 年第二季大舉將平均記憶體需求拉至 2GB 之上,但仍趕不上 DRAM 廠間的擴廠速度,隨著去年下半年景氣急轉直下,金融風暴終成為壓死 DRAM 廠的最後一根稻草。根據 DRAMeXchange 統計去年九月至今年一月間的最新的投片量,全球減產已逾 22% ,其中以台灣減產幅度最高達 55% ,顯見 DRAM 廠自九月宣佈減產後每月仍不斷持續減少投片量已超過當初對外所宣稱的比例,加上實行有限度的出貨策略,自十二月份起已出現價格反彈的訊號,首先現貨市場 DDR2 1Gb eTT 顆粒價格自 12 月中大舉反彈至今逾 75% ,合約價亦自一月上旬止跌回穩,待 PC OEM 需求歸隊,反彈之路指日可待。
2009-01-05
受各項 NAND Flash 相關應用產品需求持續下滑影響,市調機構 DRAMeXchange 再度下修 2009 年 NAND Flash 位元成長幅度,由 2008 年 9 月預估為 108.2% , 10 月份則微調至 95.3% , 11 月持續下修至 93% , 12 月份隨著上游廠商持續減產,整體位元成長預估下降至 81% 。回顧過去幾年 NAND Flash 位元成長的幅度, 2006 年為 175% , 2007 年達到 151% , 2008 年平均位元成長值為 121% ,對於 2009 年的預估與過去數年相較明顯偏低,也反映出整體市場對消費性電子產品的需求明顯下降。從 NAND Flash 各項主要應用端的需求來看,主要應用產品出貨量皆呈現下修的態勢,以手機來說, 2009 年預估出貨量約為 11.6 億支,出貨量較 2008 年下滑 5.4% ,手機業頭龍 Nokia 正式對外發布的預測, 2008 年手機整體成長下修 5% ,此外,韓國 Samsung 及 LG 下修了 2008 年手機的出貨量,分別調降了 8% 與 12% 。
數位相機部份, 2009 年預估出貨量約可達到 1 億 4 千 4 百萬台,相較於過去幾年的高度成長,年成長率明顯下修。 2007 年的年成長率為 21.3% , 2008 年則微幅下修至 18.6% 。對於 2009 年出貨量的預測, Canon 預估由 2 千 5 百萬台下修至 2 千 3 百 50 萬, SONY 也由 2 千 6 百萬台下修為 2 千 4 百萬台。
2008-12-30
市調機構 DRAMeXchange 回顧 2008 年 DRAM 產業狀況,在面臨到嚴重供過於求與產業結構的問題下,上半年時 8 吋廠陸續投入非 DRAM 商品,加速 8 吋廠轉型並全力轉進 12 吋廠降低 DRAM 顆粒成本,並宣示明年導入 50 奈米的走向不變,此時 DRAM 業界仍普遍相信景氣回春有機會於下半年浮現,可惜下半年的金融風暴將 DRAM 產業推入冰河時期,不光 DDR2 1Gb eTT 顆粒價格曾下跌至 0.58 美元歷史新低,現金的淨流出更無異於讓 DRAM 廠再次雪上加霜,營運上出現危機,產業的減產與整併才陸續在近期正式展開, 希望藉由此機會讓市場回歸正常機制。1. 根據 DRAMeXchange 數據顯示, DRAM 顆粒價格 2008 年下滑近 75% ,全球前三季 DRAM 產業合計虧損逾 80 億美元 DRAM 667Mhz 1Gb 顆粒價格從高點時的 2.29 美元下滑至最低 0.58 美元,下滑了近 75% ,不僅跌破廠商現金成本 1 美元 ( 不計折舊成本 ) ,甚至逼近了後端封測價格 0.6-0.7 美元,讓 DRAM 廠出現營運危機,全球前三季 DRAM 產業合計虧損已逾 80 億美元。
2. 南亞科捨奇夢達,美光正式入主華亞科取得一半產能, 3 月 3 日南亞科正式與美光結盟,宣佈共同開發 50nm 以下的新製品,意味奇夢達與華亞科關係也將產生變化,同年 10 月 12 日美光正式宣佈取得奇夢達在華亞科的 35.6% 的股份,總值約 4 億美元,以美光技術為首的陣營正式成立。
2008-12-23
據市場機調 DRAMeXchange 表示, DDR2 667Mhz 1Gb 價格在 10 月底跌破現金成本 1 美元後,仍緩跌至 0.6 美元,來到廠商的材料成本,令 DRAM 廠在不堪虧損下,減產幅度愈來愈大,第四季台灣廠商 12 吋約當產能已減產近 30% ,韓系廠商在海力士停掉 8 吋產能後,十二月再減 12 吋產能約 20% ,即使三星未減產,韓系廠商總產能在第四季仍減少 16% ,加上適逢台灣農曆過年,台系 DRAM 廠甚至延長休假至 2 周,明年第一季現貨價可望回升至 1 美元水平。據 DRAMeXchange 表示,預估 DRAM 第一季產能持續下降,產效應持續發酵,明年一月至三月全球產出持續負成長,在全球經濟不景氣加上個人電腦第一季銷售下降下, DRAM 合約價僅可望落底,上漲動能較弱,只有現貨價有機會在新年前出現回溫。
上週 (12/16-12/22) 現貨市場顆粒急攻大漲逾四成 ( 截稿為止 ) , DDR2 1Gb eTT 顆粒價格自 0.6 美元上漲至 0.89 美元,漲幅達 48.3% ,而 DDR2 667Mhz 1Gb 顆粒亦從 0.58 美元上漲至 0.78 美元,漲幅亦達 34.5% 。
2008-12-12
據了解,第四季原為傳統 NAND Flash 相關應用產品的需求旺季,但今年下游業者自 10 月底後對年底旺季備貨需求持保守心態,除了存貨因素仍存在外,下游通路商對於市場看法更趨於保守也使整體市場能見度降到 2 週以內。
全球傳統的耶誕與新年假期銷售旺季預料將不如預期,而從目前中國農曆新年的備貨需求推估,相關 NAND Flash 應用產品的平均數量與單價均較過去為低。