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DRAM、NAND Flash合約價雙雙下跌 12月下旬合約價繼續下探機會大
文章索引: 記憶體 DRAMeXchange IT要聞
市調機構 DRAMeXchange 指出, -DRAM 顆粒價格情依然抵檔不住現貨市場需求的疲弱,跌幅雖比上週好轉,但仍呈現下跌的走勢,上週 (12/02-12/08)DDR2 1Gb eTT 的顆粒價格從 0.67 美元下滑至 0.61 美元,跌幅約 9% ,而 DDR2 667Mhz 1Gb 亦從 0.64 美元下滑至 0.61 美元,跌幅約 5% , DRAM 廠已無現金流入可言,更不排除減產來降低損失。

由現貨市場來分析,隨著月底做帳結束,市場壓力稍微獲得趨緩,但整體現貨市場庫存水位依然呈現高檔的狀況,隨著全球不景氣伴隨著聖誕假期需求落空,庫存水位調節的時間將會延長,明年上半年需求的回復將有一定的難度。

而在合約市場方面, 12 月上旬合約價再度呈現下滑的走勢,跌幅平均落在 10% 左右, DDR2 667Mhz 1GB 平均價格約在 8.5 美元, DDR2 667Mhz 2GB 亦剩下約 18 美元左右,合約價自第四季開始以來已經下跌了 37% ,超過第三季合約價平均 34% 的跌幅。
Q3市場規模降至63.55億美元 Samsung成為僅有保持獲利者
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市調機構 DRAMeXchange 調查統計, 2008 年第三季標準型 DRAM 合約價格下跌約 34% ,現貨價格下跌更高達 52% ,合約與現貨價的價差由第二季的 0.3%(2.13 美元 vs 2.12 美元 ) 擴大至第三季的 14.7%(2.07 美元 vs 1.76 美元 ) ,雖然合約價季均價只小跌 2.8% ,但八、九月份合約價跌幅仍分別是 11% 及 15% 。

第三季最後一家 DRAM 廠商 Qimonda 的財務數字終於在日前公佈,營業額為 6.13 億美金,仍較前一季微幅上升 2.2% , 則全球 DRAM 第三季營收僅微幅下降 2.4% ,來到 63.55 億美金。相較於第二季,第三季產品比重在現貨市場較高的 DRAM 廠,受到 DRAM 現貨價下跌幅度擴大,營收下降較高。唯一在營收逆勢成長最高的 Nanya ,主要是受到 Inotera 轉換新製程關係產出量提昇及自有 12 吋廠投片量增加雙重加持下第三季產出增加約 32% 。

從各家財務報表上顯示的營業利益率數字中, Samsung 是第三季在 DRAM 領域唯一獲利的記憶體廠商, DRAM 營業利益率由第二季的 5% 下降至第三季的 4% 。台系 DRAM 廠商則普遍表現不佳,營業利益率在 -48% 至 -70% 間。
DDR2 1Gb原廠價比eTT更低 下滑至0.77美元  創歷史新低
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據市調機構 DRAMeXchange 指出,上週 DDR2 1Gb eTT 的顆粒價格從 0.87 美元下滑至 0.81 美元,跌幅達 6.9% ,從第四季開始僅僅二個月間跌幅高達 33.6% , DDR2 667 MHz 1Gb 顆粒價格也不遑多讓,價格從 0.86 美元下滑至 0.77 美元,跌幅約 10.5% ,截至目前為止的第四季跌幅更高達 36.8% ,創下 DDR2 顆粒價格歷史新低價。

以往在現貨市場中原廠顆粒因為經過嚴謹測試的關係,原廠顆粒價格大都高於 eTT 顆粒價格,但現今原廠顆粒價格皆低於 eTT 顆粒價格,顯見 DRAM 原廠的庫存壓力極大與市場供過於求的情形仍未有效紓解。

在合約市場,十一月下旬的合約價正式跌破 10 美元信心關卡, DDR2 667 MHz 1GB 與 2GB 的模組平均價約落在 9.5 美元與 20 美元左右,跌幅將近 10% ,截至目前第四季的跌幅分別為 30% 與 26% ,也創下了合約市場有史以來的新低價, 11 月開始 PC 市場開始步入傳統淡季,加上整體市場需求銳減,合約價不排除繼續探底,但下跌空間有限。
DRAM產量減少 封測業同受影響 封裝及測試利用率大幅下降
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據市調機構 DRAMeXchange 指出,隨著 DRAM 產業的嚴重供過於求與全球經濟的持續惡化下, 2008 年的 DDR2 1Gb eTT 顆粒價格就從年初的 1.76 美元下滑至目前的 0.92 美元,跌幅達 48% , DDR2 667 1Gb 顆粒跌幅更高達 53% 。

此外 DRAM 產業經過了長達近二年的虧損甚至近期顆粒價格跌破變動成本後, DRAM 廠面臨到現金流出與手上現金嚴重不足的危及存亡之秋,自今年九月開始, DRAM 廠如力晶、爾必達 (Elpida) 、海力士 (Hynix) 、茂德與華亞等紛紛宣佈減產,減產達 13% ,再次反映出 DRAM 市場環境的惡劣。

面對著 DRAM 產業的冰河時期, DRAM 廠從降低製造成本、鼓勵員工休假甚至減少投片量來因應這波的不景氣,但同時也影響著下游的封測產業,根據集邦科技統計,自 DRAM 顆粒價格下滑之後, DRAM 原廠也要求下游的封測廠商可以共體時艱,降低封裝與測試成本。
南亞與華亞加入減產行列 全球DRAM產能累積減少~13%
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繼力晶、 Elipda 、 Hynix 與茂德紛紛宣佈減產後,日前南亞科與華亞也於法說會正式宣佈加入減產的行列,南亞科方面,除了與 Mircon 合作的亞美與 Fab3 Phase2 擴廠計畫暫緩外,原有的 Fab3 Phase1 也因應轉換至 Micron) 疊製程的關係,到明年第一季投片量也將從 3 萬減少至 1 萬 5 仟片,而華亞方面也從十月開始減產 20% ,產能 從原有 13 萬 片修正至 10 萬 4 仟片。加上之前所減產的部份,集邦科技估計所減少的產能佔全球產能的 12-13% 左右。

上週 (10/21-10/27)DDR2 1Gb eTT 的價格由 1.05 美元下跌至 1.01 美元,整體跌幅約 3.8% , DDR2 667 1Gb 由 1.06 美元下跌至 0.99 美元,跌幅 6.6% 左右, DDR2 667 1Gb eTT 與原廠顆粒價格雙雙直逼 1 美元的歷史新低價,更遠低於 DRAMeXchange 預估的現金成本 1.3-1.5 美元。

隨著 DRAM 顆粒價格不斷探底,減產的目的也從價格回升轉為讓握有更多的現金以求生存,以往 DRAM 廠商靠著製程轉換來降低成本並提昇競爭力的路在現階段也已不可行。據統計, 6Xnm 製程約落在 1.9 美元,而即使到了 5Xnm 製程,成本也需 1.4 美元左右,以目前的 DRAM 顆粒價格落在 1 美元來看,切入 5Xnm 不光無法獲利,更需投入更多的資本來投資設備來轉換製程;除此之外, 5Xnm 製程也比 6Xnm 製程多出 30%-40% 的顆粒數,更讓供過於求的市場再次蒙上陰影,價格回復之路更加艱辛。
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