市調機構 DRAMeXchange 指出，由於供應商控貨，加上客戶以及中國手機市場需求， 4 月下旬主流 MLC NAND Flash( 儲存型快閃記憶體 ) 合約均價大致上漲 8% 到 18% ，預期 5 月上旬主流的 NAND Flash MLC 合約均價可望再上漲約 5% 以上。

近期部份下游電子業者預期短單效應將可能延續到 6 月，且 NAND Flash 供應商目前傾向緩漲 5 月合約價，如果 6 月需求不如預期，仍會努力穩定價格，使記憶卡客戶有調整記憶卡價格的緩衝時間。

根據 DRAMeXchange 觀察， NAND Flash 下游系統大廠客戶多採取季度備貨的方式，因此採購量會較一般的記憶卡客戶的需求量大，使二線客戶的供給大減，現在部分下游系統客戶在庫存水位下降後，目前已開始為第三季初期新產品備料。

據市調機構 DRAMeXchange 表示， DRAM 顆粒現貨價格自 4 月 13 日的 0.95 美元上漲至 4 月 16 日的 1.13 美元，漲幅達 19% ，市場人士認為 eTT 的主要供應者如力晶和 Elpida 在短期間將停止顆粒出貨至現貨市場中，現貨市場買家進場補貨，拉高庫存，帶動 DDR2 1Gb eTT 價格一度上漲至 1.20 美元。

上週現貨市場傳出 Elpida 將停止出貨給台灣模組廠客戶，力晶也決定到六月底前將出貨的數量控制在最低水位，影響所及，也讓投機性買盤在現貨市場中發酵並讓 DDR2 1Gb eTT 價格推升至 1.20 美元。

據了解， Elpida 和力晶在現貨市場中的市占率將近 60% ，其中出貨亦包含給最大的模組廠商 Kingston ，市場人士相信由於現貨市場的供給量大減將有助於 DDR2 1Gb 在六月或到第三季出現 1.5 美元的價格，儘管 Hynix 與南科將會持續供貨到現貨市場，但數量不多將不影響整體價格上漲的動能。

市調機構 DRAMeXcahnge 表示，從 3 月中下旬起 NAND Flash( 儲存型快閃記憶體 )16GB MLC 現貨市場價格持續走揚，主要原因是大廠逐漸淘汰產能、第二季高容量顆粒供貨提升，供應商希望未來合約價能調漲美金 3.5 元以上。

由於今年供應商的目標是改善獲利，因此在 3 月的季底調降庫存效應過後，供應商們仍希望以節制產出的方式，使價格上漲到晶粒的成本以上。加上上半年 16Gb MLC 主力製程是處於 5xnm 及 4xnm 交替期，因此供應商也希望未來合約價能再逐漸調漲到美金 3.5 元以上，以減少虧損，預期供應商第二季產品策略調整及較佳的現貨市場氣氛， 16Gb MLC 價格短期可望持續堅挺走揚。

在產品策略調整方面，近來大廠淘汰部份 200mm 的 NAND Flash 產能，使一些 5xnm 16Gb MLC 的供應量在現貨市場減少，形成支撐價格的力道，同時，供應商在第二季中也計劃要增加供貨高容量顆粒給系統廠客戶，以配合第三季 NAND Flash 終端應用產品需求，因此對記憶卡及 UFD 客戶的供貨比重稍減，也有助支撐中低容量的顆粒價格。

據市調機構 DRAMeXchange 指出， 全球 DRAM 產業歷經了長達兩年景氣寒冬，大部分 DRAM 廠面臨了現金吃緊與短期負債償還問題，在現金壓力之下，預估由於部份 DRAM 廠商直到年底產能使用率都將維持低於 50% ， 2009 年的位元成長率將僅 2.43% ，比起 2008 年的 66% 及 2007 的 95% 都呈現大幅度的縮減。

DRAMeXchange 大幅調降對 2009 年 DRAM 元位成長率的預測，由原本的 17.82% 調降至目前僅 2.43% ，主要原因是部份 DRAM 廠商因為顆粒價格持下滑及手上資金的壓力，將持續減產以保持現金水位也導致產能運用率低，也將大幅降低今年位元成長率。

在 DRAM 需求方面， DRAMeXchange 亦調降位從 19.82% 下修至 13.84% ，主因是 PC 出貨量今年將呈負成長及記憶體搭載量僅微幅成長，集邦科技認為供給端的位元成長率降至 2.43% ，若加上庫存水位可以進一步下降的話，預期下半年將有機會帶動 DDR2 的顆粒價格上揚至 1.2-1.5 美元間。

NAND Flash 合約價格從去年底觸底反彈，據市調機構指出，儘管上游業者控制產能有成，但時序已經步入傳統淡季，不利價格走揚，而下游業者現在則必須面對成本壓力，且終端應用產品的 content per system( 平均單一產品容量 ) 的升級速率也將延遲。

以主流的 16Gb 與 32Gb 為例， 16Gb 顆粒價去年 12 月上旬合約價為 1.65 美元，今年 3 月上旬已達到 3.15 美元，平均漲幅達到 91% ；而 32Gb 顆粒合約價格也由去年 12 月上旬的 3.62 美元漲到今年 3 月上旬的 5.98 美元，平均漲幅也達到 65% ， DRAMeXchange 認為對於 NAND Flash 上下游廠商而言，價格快速攀升顯示市場策略歷經調整。

目前上游 NAND Flash 供應商以暫緩新晶圓產能擴充或漸進地淘汰部份 200mm 設備，以降低產能利用率，部份廠商也以提升製程技術來做為 NAND Flash 位元產出量的增長方式，以降低傳統淡季效應衝擊，並因應全球經濟不景氣。