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Intel 宣佈 IM Flash Fab B60 擴建完成 將全力投入生產 3D XPoint 技術產品
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Intel 在今日宣佈與 Micron 合作在美國 Utah LEHI 架建的 IM Flash 晶圓廠 Building 60 已完成擴建,該晶圓廠將主要生產 3D XPoint 技術及採用 Intel Optane Technology 為基礎的產品之中,包括消費用戶端的 Intel Optane Memory、最新推出的 Intel Optane SSD 900P Series 以及 Intel Optane SSD DC P4800X Series 等。

Intel 與 Micron 合資的 IM Flash 晶圓廠成立於 2006 年,為 Intel 與 Micron 生產 non-volatile memory ( NVDIMM ) 非揮發性記憶體,並負責生產用於 SSD、手機、平板電腦等產品中的 NAND Flash。IM Flash 晶圓廠於 2015 年開始研發 3D XPoint 技術,這是 25 年來第一個全新的記憶體方案,該技術的開發是為了滿足不同類型客戶快速增長的數據需求。

3D XPoint 架構的非揮發性記憶體運作原理是以快閃記憶體單元的選擇器和儲存部分採用硫族化物作材料,使用電阻並且是位元可尋址,基於「 bulk 材料的電阻變化」,從而比傳統的快閃記憶體於讀寫運作上更快、更穩定,而且各個資料單元不需要電晶體,因此封裝密度將是 DRAM 的 4 倍。
結合 DRAM + NAND Flash 兩者優點 Micron 發佈 32GB NVDIMM-N 記憶體
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Micron 在 SC17 展會上宣布推出一款新型的 32GB NVDIMM-N 產品,相較 Micron 現有的 NVDIMM 容量增加了一倍,內建 64GB SLC NAND Flash 並將速度提升至 DDR4-2933 CL21,能夠支援數據分析及在線交易處理應用中不斷提高的性能、效能及運行時間的需求,為系統設計人員及 OEM 廠商提供更靈活的方案。

Non-Volatile DIMM (NVDIMM) 非揮發性記憶體對於 Micron 來說並非一款全新的產品,其實 Micron 第一款取得 JEDEC 標準的為 DDR3 NVDIMM 記憶體,此前亦有推出過 DDR4 8GB 及 16GB 容量,至於新一代的則為 32GB 容量的 DDR4 NVDIMM-N 產品。

NVDIMM 非揮發性記憶體有別於我們日常的 DRAM 記憶體,一般來說 DRAM 主要的特點是存取速率快,但缺點就是當電源供應中斷後,記憶體所儲存的資料便會消失,但 NVDIMM 非揮發性記憶體則結合了 DRAM 記憶體及 NAND Flash 快閃記憶體,讓系統不會因為突如其來的斷電導致資料損失。
全球首款 4x8GB 記憶體達 4333MHz 速度 CORSAIR 發佈 VENGEANCE LPX 4x8GB DDR4 Kit
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CORSAIR 日前推出了旗下全新的記憶體產品「CORSAIR VENGEANCE LPX CMK32GX4M4K4333C19 kit」,據稱為全球首款 4x8GB ( 32GB ) DDR4 記憶體可運行 4333MHz 速度,採用 Samsung B-die IC,規格為 CL19-26-26-46,工作電壓為 1.5V,完全兼容 XMP 2.0,用家可以通過單擊 BIOS 設置來獲得這些高性能值。

Corsair 表示,全新「CORSAIR VENGEANCE LPX CMK32GX4M4K4333C19 kit」擁有高容量、高頻率特性,專為超頻玩家及愛好者而設,幫助他們追求現時最苛刻的 PC 性能基準世界紀錄,CORSAIR 具備完整系列的 DDR4 記憶體,由超頻玩家愛好的 VENGEANCE LPX 系列、到具發光燈效的VENGEANCE RGB 系列以及高端設計的 DOMINATOR PLATINUM 系列,均能為用家帶來了同樣的性能和質量承諾。

根據 Corsair 官方實測,在使用全新的 CORSAIR VENGEANCE LPX CMK32GX4M4K4333C19 Kit 套裝配合 ASUS ROG MAXIMUS X Hero 主機板以及Intel Core i5-8600K 處理器,在 Intel Z370 晶片組平台運行雙通道 4x8GB 32GB DDR4 記憶體,該記憶體套件結合了 CORSAIR 超高頻率及高容量,在MemTest 上能夠輕易運行 4333MHz 速度。
具有 64GB/s 數據 I/O 頻寬 Samsung 透露下代 GDDR6 記憶體資料 Samsung 在日前正式公佈關於下一代 GDDR6 記憶體的資訊,全新 GDDR6 記憶體預計將以 16Gbps 的速度進行圖像處理,64GB /s 的數據 I/O 頻寬能夠達到 5GB / s的速度,工作電壓為 1.35V,並將成為下一代圖形密集型應用中速度最快及最低功耗的 DRAM。

CES 2018 在來年 1 月舉行,根據以往的慣例主辦單位方會提前公佈及頒發各種獎項,Samsung 在 CES 2018 年度共取得 36 項設計與創新獎項,當中的一項就是下一代的 GDDR6 記憶體。
CORSAIR記憶體風扇 Dominator Airflow Platinum RGB Fan CORSAIR推出全新「Dominator Airflow Platinum RGB Fan」散熱器,為記憶體模組帶來更佳的冷卻效果,提升記憶體超頻能力及穩定性,內建2組5cm RGB散熱風扇,配合附連的Lighting Node Pro控制器,可透過CORSAIR Link公用程式作出RGB光效控制,散熱與型酷兼備。
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