「一切只為性能」口號一直以來是 GALAX HOF 系列開發產品的理念，現在更延續優化推出 HOF EXTREME 記憶體系列，GALAX HOF EXTREME 系列記憶體定位於旗艦高端的產品，特別針對超頻玩家度身訂造並特殊優化，而其中 EXTREME 代表極限超頻 / 極致效能 / 極速降溫，是其系列產品的獨特之處，讓用家能更輕易體驗到超頻的樂趣與穩定的極速性能。

電腦業界對於昨日南韓慶尚北道浦項市北方發生規模 5.5 地震甚感關注，據當地消息指在南韓全國均能感受到搖晃，除了 LGD 龜尾廠部分設備因地震暫時停機外，Samsung 及 SK Hynix 兩家記憶體廠部分機台也因地震自動中止運轉，隨後立即恢復正常運作，並對外表示後續影響仍在查證當中，現貨價格呈現停止報價的情況。

由於韓國是全球半導體產品、顯示器件以及智能終端產品的重要生產地，地震發生後，產業界對地震造成的影響也頗為關注。而業界最擔心的可能是韓國最大企業 Samsung 的 DRAM 和 NAND Flash 晶圓產線生產情況。

根據 DRAMeXchange 半導體研究中心第一時間調查顯示，Samsung 及 SK Hynix 等廠商工廠距離震中央至少有 300 公里以上的距離，地震僅有 0-1 級，目前正常運作中，不需停機檢查。但有業界人士稱由於部分設備對於震動很敏感，當感受到震動系統將會立刻停止運作避免造成損害，在確認正常隨即會恢復運作。而 LGD 樂金顯示器龜尾廠部分設備因地震暫時停機，但在檢查後已重新運作。

GALAX 特別為 MSI 主機板玩家們，推出全新「Gamer III D4-2400 8G」RGB 記憶體模組，具科幻感的金屬散熱器設計、頂端加入導光條及 RGB LED 顆粒，支援 MSI 主機板 Mystic Light Sync 光效同步技術，提供高達 9 種可編程 RGB 燈光效果，記憶體光效同步不再是 ASUS AURA Sync 的專利。

DRAMeXchange 日前公佈記憶體儲存研究調查報告，指出 2017 年第三季度的 DRAM 產業營收表現又再度創下歷史新高，受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類 DRAM 產品合約價普遍較前一季再上漲約 5%。從市場面觀察，第三季度 DRAM 總營收較上季再成長 16.2%，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。

展望下一個季度，2017 年第四季 DRAM 價格平均漲幅將落在 10%。其中，PC-OEM 廠已議定第四季度合約價格，就一線大廠訂價來看，均價已正式突破 30 美元，落在 30.5 美元，較上一季平均漲幅約達 7%；從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動，配合 DRAM 供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以 Samsung 為首的 DRAM 廠決定調升行動式記憶體報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式記憶體在第四季漲幅約有 10-20% (取決於不同的容量)；而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲 6-10%。

綜觀第三季營收表現，Samsung 依然穩坐 DRAM 產業的龍頭，營收來到 88 億美元，較第二季成長 15.2%，再度創下歷史新高；而 SK-Hynix 營收金額來到 55 億美元，較前一季成長 22.5%，成長動能顯著，兩大韓廠的市占各為45.8% 與 28.7%，合計已囊括 74.5% 的市占率。Micron 仍舊維持第三，營收金額為 40 億美元，季增 13.0%，市占 21.0%。由於 SK-Hynix 本季平均銷售單價高於美光，導致兩者三季的市占差距持續擴張；展望第四季，由於 Micron 逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系廠，預計將縮減與第二名的市占差距。

Intel 最新在剛剛完結的 USB Global Technology Conference 中公佈了 Optane DIMM 的推出時程，透露了將會在 2018 年下半年推出，Intel 把 Optane DIMM 描述為未來一款主要的儲存設備，將採用自家研發的 3D XPoint 技術，並預計 Optane DIMM 將能夠比現有的 DDR4 DRAM 提供更高的密度及更低的價格。

Intel 表示，Optane DIMM 具有廣泛的應用用途，適用於 Intel 不同的戰略計劃 ( 如 RSA 機架擴展架構 ) 之中，並表明基於 3D XPoint 技術的 Optane DIMM 非常適合用於 Exascale Supercomputing 超級運算平台的開發，能夠通過提供更密集且持久的方式拉近與處理器之間的距離，優化數據傳輸效率。

Intel Optane DIMM 將會是現時記憶體的進階產品，其儲存密度將遠高於目前的 DDR4 DRAM，同時價格亦較 DDR4 DRAM 更低 ，Optane DIMM 標誌著二十多年來記憶體的最大變化，結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點，具有 DRAM 的速度及低延遲，同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度，即使在斷電的情況下仍具有數據儲存的能力。