Samsung 繼早前於 6 日宣佈推出採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體後，最新於 13 日在其官方網站中宣佈，將推出第一款基於 3D V-NAND 快閃記憶體而成的固態硬碟「 V-NAND SSD 」，為 2.5 吋 7mm SSD 產品，主要針對伺服器器和數據中心等企業級市場應用，據 Samsung 表示產品目前正開始生產，相信不久便會正式上市。

V-NAND SSD 採用剛發佈的 V-NAND 快閃記憶體，記憶體採用垂直單元結構，在 3D 結構的平面細胞層垂直堆疊，在 CTF NAND 的架構中，電荷被暫時放置的非導電層的快閃記憶體中，採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的干擾，通過使用 3D CTF 層的 NAND Flash ，使單一芯片上可提供 128 Gb 容量，透過這些技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力，夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制，提升性能和面積比的計率，也可提升可靠性表現。

據 Samsung 指出，即將上市的 V-NAND SSD 分別推出 960GB 、 480GB 兩款容量版本，搭配 SATA 6Gbps 主控制器，配合 2.5 吋 7mm 規格提供更大的設計靈活性和可擴展彈性。其中， 960GB 容量搭載 64 顆 MLC 3D V-NAND 快閃記憶體，持續和隨機寫入速度提升超過 20% ，而且功耗也可降低超過 40% 。

隨著 Micron 正式購併 Elpida ， DRAM 產業寡佔市場格局亦已確立，在各大 DRAM 供應商早前已按規劃減少標準型記憶體影響下，主流模組 4GB 均價在第二季上揚，其中 4Gb 顆粒價格更是達近年新高，也讓 DRAM 廠總營收在第二季中錄得新高，並創下近三年來單季最高漲幅。據市場分析預期，隨著 DRAM 產業供應端仍持續進行結構調整，第三季全球營收預估仍將維持小幅成長，似乎用家最想看到 DRAM 價格回落的日子仍遙遙無期。

據全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，在過去數月來觀察所見，第二季主流模組 4GB 均價累積上揚 16% ，由 23.5 美金漲至 27.25 美金，同時 DRAM 廠總營收再創新高，達 85.3 億美元，季成長 24% ，創下近三年來單季最高漲幅。

在各 DRAM 廠商之中，目前仍以 Samsung 和 SK Hynix 兩大韓系廠商合共佔下整體市場的 62.7 佔有率繼續領導市場，但較上一季度出現小幅衰退，排名第一的 Samsung 季度營收成長僅 7.7% ，相反第二的 SK Hynix 卻錄得高達 40.7% 的大幅增長。

近期不少廠商為 NAND Flash 市場積極創新，據外電報導指出，由來美國的 Crossbar 5 日在其官方網站宣佈，自主研發一款提供大容量、高性能和非易失性存儲的 Resistive RAM 電阻式記憶體，可在 200mm 面積的晶片下提供最多 1TB 儲存容量，而且寫入效能、可靠性和耐用性也比較現時 NAND Flash 得到倍數增長。

據報導指出， Crossbar 研發的 Resistive RAM 電阻式記憶體採用三層式結構，相容主流的 CMOS 製造工藝，透過 3D 堆疊進一步擴大容量，每一個存儲單元會放置在橫豎交錯的互連層內，形成頂部金屬電極、中層切換媒介以及底部電極的結構。

透過 3D 堆疊， Resistive RAM 電阻式記憶體能夠提供比現時一般 NAND Flash 快閃記憶體快 20 倍的寫入性能，也可在 125 ℃環境下使用長達 10 年的壽命，而且功耗也較 NAND Flash 低，同時 Resistive RAM 電阻式記憶體擁有面積更細少的優勢。

全球市場研究機構 TrendForce 針對第二季 NAND Flash 市況發表最新調查報告，受惠 NAND Flash 第二季顆粒合約價格持續上升，加上 eMMC 與 SSD 等系統產品出貨穩健，第二季 NAND Flash 品牌供應商整體營收較首季增加 11.2% ，同時也較去年同期大幅提升 30% 以上，隨著 NAND Flash 產業秩序逐漸穩定，據 TrendForce 估計， NAND Flash 產業長期發展樂觀。

據報告指出，第二季 NAND Flash 品牌供應商營收達 57.75 億美元， 較第一季上升 11.5% ，其中以 Samsung 錄得 21.84 億美元，並以 37.8% 市場佔有率繼續排行首位；第二位廠商為 Toshiba ，營收約為 16.59 億美元，市場佔有率約 28.7% ； SK Hynix 以 8.4 億美元營收及 14.6% 市佔率再次重回第三位； Micron 則錄得 6.78 億美元及 11.74% 市場佔有率，排名再度下降至第四位；而第五位繼續為 Intel ，營收為 4.13 億萬美元，市佔率為 7.2% 。

據了解，目前 Samsung 受惠智慧型手機與平板電腦出貨成長動能，使其 NAND Flash 業務依舊維持穩，加上固態硬碟持續成長，以及記憶卡與隨身碟平均容量持續提升下， Samsung 正持續擴張 SSD 、 eMMC 與 eMCP 的市場佔有率，同時也積極推廣 TLC-Basis 固態硬碟。另一方面，為減製造成本， Samsung 也積極地加快 21nm 至 19nm 的製程轉進，務求進一步鞏固其成本優勢。

為針對嵌入式 NAND 存儲和固態硬碟應用市場，並加速 NANA Flash 快閃記憶體技術發展， Samsung Electronics 6 日於其官方網站中宣佈目前已正式量產採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體，採用垂直單元結構，能夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制，提升性能和面積比的計率，而且也可提升可靠性表現。

據 Samsung Electronics 表示，過去 40 年來， Samsung Electronics 一直專注研發傳統平面結構的快閃記憶體。由於製造工藝技術進入 10nm 製程，其比例限制變得更大，加上可靠性也會受到影響並提升開發成本和時間，因此 Samsung 早前研究利用 3D 垂直設計技術生產 V-NAND 快閃記憶體。

新推出的 V-NAND 利用基於 3D 電荷捕獲型 NANA Flash(CTF) 技術和垂直互連工藝技術，利用垂直單元結構，在單一芯片上可提供 128 Gb 容量，透過這些技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力。