繼上月 NAND Flash 價格結束自 5 月底以來的連續升勢後，市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的 8 月上旬 NAND Flash 合約價走勢報告顯示， 8 月上旬 NAND Flash 合約價持續走跌，較七月下旬下跌 6-8% ，主要原因來自終端需求持續疲軟以及美系廠商季底效應。

據 DRAMeXchange 指出，面對終端需求持續疲軟，加上及美系廠商季底效應，系統客戶對於新產品上市後續銷售預估轉趨保守，減低了廠商對 SSD 與 eMMC 等 OEM 產品的備貨動力。同時，在通路市場方面，記憶卡與隨身碟銷售狀況仍未見起色，在庫存水位偏高下模組廠採購意願薄弱。

同時，美系 NAND Flash 供應商受季底財報結算，為了提升財報狀況以達到較亮麗的表現，廠商採取較為積極的價格策略來提升買氣，同時也為其他家業者帶來了價格下跌的壓力，令 NAND Flash 合約價在 8 月上旬維持下跌走勢，跌幅為 6-8% 。

固態硬盤 SSD 速度上的優勢眾所周知，面對多線程運作及讀寫情況下，傳統硬碟機會受到運轉馬達的物理性限制，影響性能。 除了應用至一般用家外，近年亦有不少商業或伺服器平台採用 SSD 產品以提高效能，為了讓更多企業用戶了解 SSD 所帶來的效能提升， PLEXTOR 日前舉辦 PLEXTOR SSD 商業及工業應用研討會，向一眾企業用戶講解 SSD 於工商業的實際應用及效益。

是次活動主要為邀請企業用戶為主，會場內展示了 PLEXTOR 現時在不同方面上的 SSD 產品以及接著會推出的新品，在 2.5 吋 SSD 市場上， PLEXTOR 主要設有 M5P 及 M5S 等型號，採用 SATA 6Gbps 介面，同時也針對 Ultrabook 、 Notebook 、 NUC 等產品推出採用 mSATA 的 M5M 及只有 1.8 吋的 M3S 等，現場不少用家也對 PLEXTOR 推出的 SSD 感到興趣，場面熱鬧。

( 左 ) 只有 1.8 吋體積的 M3S 專為 Ultrabook 產品而設 ( 右 ) 設有大量電容作 Power Protection 的 SSD 產品

繼標準型記憶體表現亮麗後，市場調查機構 DRAMeXchange 14 日發表第二季行動記憶體表現報告，其中指出韓系廠商 SK Hynix 仍然排行第二位，但季度成長卻是一眾廠商之冠，營收與上季相較成長超越 30% 之多，整體行動記憶體總營收則增加 11% ，營收逼近 30 億美元，佔整體 DRAM 營收的 34% 。

據 DRAMeXchange 指出，隨著智慧型手機應用普及，第二季智慧型手機出貨季成長約 7% ，總出貨量達到 2.2 億台，而且準備後續旺季來臨，不少廠商均積極為行動記憶體進行備貨，使得第二季行動記憶體表現理想。

在各記憶體廠商之中，仍以 Samsung 擁有超過 50% 的市場佔有率穩守龍頭之位，但市佔出現微跌，由 55.8% 下跌至 50.3% ，營收則維持 14.5 億美元。主要原因是雖然 Samsung 所生產的行動式記憶體以供應 Samsung 手機部門為主，但在維持供應鏈穩固的考量之下， Samsung 手機部門開始擴大對外採購零組件，進而採購 SK Hynix 、 Elpida 等廠商的記憶體，讓對手市場得到提。雖然此舉會影響 Samsung 自家行動記憶體的市佔，但在目前 Samsung 已獲得超過 50% 市佔率下，，釋放某部分行動式記憶體產能，讓各產品線之間的調配更有彈性，對長遠發展而言甚為理想。

繼去年推出 Premier Pro 系列 SP300 微型固態硬碟後， ADATA 14 日宣佈推出進階版 Premier Pro 系列 SP310 微型固態硬碟，採用 mSATA 介面設計，支援高效能讀寫表現，而且可配合 Intel Smart Response Technology 智慧反應技術，將固態硬碟當成快取使用，利用「硬碟＋ SSD 」混搭方式強化傳統機械式硬碟性能。

ADATA Premier Pro 系列 SP310 微型固態硬碟針對擁有 mSATA 插槽的系統而設，讀寫速度可達到最高 410MB/s 和 180 MB/s ，而 4KB 隨機寫入最高速度則可達 45,000 IOPS ，採用 JMicron JMF667 控制器，具備 S.M.A.R.T 自我監測、分析及報告技術，還支援 NCQ 原生指令排序，以及 TRIM 指令，為 SP310 微型固態硬碟進行最佳化。

Micron 14 日宣佈剛於 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 上發表 16nm NAND 工藝技術，實現了現時 NAND 業界中最小的 128GB MLC NAND 閃存設備， 同時更獲得閃存峰會 2013 的創新產品和解決方案年度最佳獎項。

是次創新產品和解決方案年度最佳獎項由 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 專家小組評估，根據應用技術獨特性，閃存技術的創新以及該技術市場意義等作為標準。

透過最新發表的 16nm NAND 工藝，讓 NAND Flash 可在現有的多層單元設備 (MLC) 中，提供平方毫米位寬最高，而且價格最低廉的方案 ，並可在單一晶圓上創造幾乎可達 6 TB 的存儲量。