7
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...
新標準控制器 效能最高提升 140%  Toshiba 發佈 15nm eMMC 及 UFS
文章索引: 記憶體 Toshiba IT要聞
Toshiba 27 日公佈新一代 e-MMC 及 UFS 內嵌式晶片,採用 15nm 工藝製造,內建 e-MMC (JEDEC 版本 5.1) 及 UFS (JEDEC 版本 2.1 集成控制器技術,有效令讀寫速度最高提升達 140% 。最新的 UFS 控制器更採用 M-PHY 3.0 內核及數碼 UniPro 1.6 內核,令控制器及 NAND 更配合,發揮更佳效能。

eMMC 及 UFS 主要將 NAND Flash 記憶體整合控制器成為單一封裝,能有效節省內部空間,令設計人員能靈活運用內部架構進行產品輕量化。

同時,將主處理器對儲存元件的處理負載轉移至控制器中,包括: bad block management 、 error correction 、 wear leveling 及 garbage collection 等,能令處理器釋出更多資源處理其他程序。
64層立體堆疊技術 容量大幅提升 Toshiba 發佈 BiCS FLASH 3D 記億體
文章索引: 記憶體 Toshiba IT要聞
Toshiba 宣佈推出新一代 BiCS FLASH 3D 堆疊式技術記憶體,其技術已可推堆疊高達 64 層,相對上代 48 層的記億容量高出 1.4 倍,成為現時最高堆疊層數的記憶體,據官方表示,樣版已陸續付運,並透露將即將完工的日本四日市新廠房中量產,相信很快於市場出現。

據 Toshiba 表示,最新記憶體採用 3-bit-per-cell (triple-level cell, TLC) ,並能達到 256Gb 容量,其相比以往的堆疊式記憶體更容量更大,而且成本下降,相比 48 層堆疊式記憶體,容量擴充 40% ,代表於每片晶圓上所提供的容量更大,意味日後產品的每 bit 即將下降。
功率加強兩倍 達到有線充電效能 Toshiba 新無線充電技術
文章索引: 其它 Toshiba IT要聞
Toshiba America Electronic Components (TAEC) 近日發佈最新無線充電技術研究,為加強無線充電技術的實際應用範疇, TAEC 積極將功能及效率加強,更以首個單一晶片無線充電收發器登場,引起市場關注,推動下代借能裝置必備的無線充電技術進程。

TAEC 早前發佈的無線充電晶片型號為 TC7766WBG ,其採用符合主流的 Qi V1.2 標準制式,市場上備有三款主流無線充電標準,句括 A4WP 、 PMA 及 Qi , A4WP 以磁共震無線充電,而 PMA 及 Qi 則利用電磁感應式充電,現時 A4WP 及 PMA 已宣佈合作成為聯盟,將兩種不同技術進行整合。

同時, TAEC 最新推出的晶片主要加強電流輸出及電壓支援範圍,其輸出功率強化至 1.7A ,相對以往無線 Qi 充電的輸出功率大大增強,直迫有線充電的充電效率。此外, 其電壓亦能支援 5 - 14V 的範圍並最大輸出升級至 15W ,雖然規格上加強化了,但其尺吋保持跟上代一樣。
主要硬件組合多達24組 處理器及ROM成關鍵 iPhone 6S/6S+ 硬件來自多家供應商 Apple iPhone 6S/6S+ 近日烽煙四起,內建的 A9 SoC 處理器因由兩家不同供應商提供,效能及功耗出現差異,令用家十分困擾,更指若非 TSMC A9 SoC 處理器的手機,將會作出更換。其實除了 A9 SoC 處理器外, iPhone 6S/6S+ 內部各零件均由多間供應商提供,內建的 NANA Flash 、 RAM 及屏幕亦各有不同,主要供應商包括 Micro 、 LG 、 Samsung 、 SK Hynix 、 Sharp 、 TSMC 及 Toshiba 。

A9 SoC 處理器方面,主要由 Samsung 及 TSMC 供應,兩者生產的工藝制程有所不同, Samsung 以 14nm FinFET 制程生產,型號為「 APL0898 」,另外由 TSMC 生產的 A9 SoC 處理器則採用 16 FinFET 制程生產,但據用家或科技公司自行測試所得的結果顯示,由 TSMC 所生產的 A9 處理器無論功耗或效能亦相對 Samsung 所生產的 A9 SoC 處理器較優。

此外,以上事件更受到 Apple 重視,罕見地發表聲明指 iPhone 6S 或 6S+ 配搭的處理器所提供的性能確有不同,但同樣符合 Apple 要求的生產標準。續稱,每款 iPhone 手機的性能均會出現有限度而且輕微的性能差異,差異值約為 2%-3% 。
TOSHIBA量產QLC顆粒及BiCS NAND 三年內數據中心SSD產品可達128TB TOSHIBA 25 日宣佈正式量產基於 3D 堆疊技術的 BiCS NAND Flash 及自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) ,全新的 NAND FLASH 技術可以進一步降低 SSD 儲存容量成本,同時亦令 SSD 產品容量追上傳統機械硬碟,預計三年內企業用 SSD 產品將會提升至 128TB 容量。

據了解, TOSHIBA 將會加速推動 SSD 容量發揮,傳統 HDD 的儲存容量優勢不再,計劃量產自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) 及 BiCS 3D NAND Flash 堆疊技術,雖然 SSD 容量開始追上傳統 HDD ,但寫入壽命仍然是 NAND Flash 技術的主要問題,高容量企業用 SSD 主要用作應付大量讀取的伺服器應用為主。
7
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...