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【跑贏 AMD!?】Z690 首次現身,今年年底登場 Intel 12 代 ADL_S 兼容 DDR4、DDR5 兩代 RAM
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早前曾有業內人仕透露 AMD Zen 4 處理器或受 TSMC 5nm 產能不足的影響略延至 2022 年上市,相反對家 Intel 在擁有自家生產線的情況下,搶先一步在今年底推出全新第 12 代 Core 系列 Alder Lake-S 處理器,更有機會率先在下一代新平台支援 DDR5 記憶體及 PCIe 5.0,日前在 HWiNFO 即將推出的

中,除了解決了已知 Alder Lake 處理器 IMC Gear Mode 及 DDR5 Wrong CRC 等問題之外,同時亦新加入支援部份 ASUS Z690 系列及 ROG MAXIMUS XIV 的主機板,更是 Z690 平台首次公開現身,難度 Intel 今次真係「跑贏」AMD ??

在 HWiNFO 發現到的資料,可以看到硬件識別工具 HWiNFO 公開了即將推出的到 v7.03-4460 Beta 版本,在更新描述中可以看到「Added preliminary support of some ASUS Z690 and MAXIMUS XIV series」、「Fixed reporting of IMC Gear mode on Alder Lake」、「Added workaround for reporting of DDR5 modules with wrong CRC」等關於
散熱孔距 78 x 78 不相容舊散熱器 Intel 12 代 Alder Lake-S 需使用新扣具
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據散熱器廠商透露,Intel 第 12 代 Core 處理器 ( 代號 Alder Lake-S) 將會改用 LGA1700 接口,散熱器規格亦有所改變,扣具孔距由原本 LGA115X / LGA1200 的 75mm x 75mm,變成 LGA1170 的 78mm x 78mm,因此現有散熱器需要更改扣具設計,否則無法過渡至 12 代新平台。

據了解,全新第 12 代 Alder Lake-S CPU 將採用增強版的 10nm ESF 制程,相較現有 10nm SuperFin 功耗再降低 15%,更採用了全新 big.LITTLE 混合式 CPU 架構,大核心將會採用全新的 Golden Cove CPU 核心,小核心將採用 Atom 的 Gracemont 核心,8 大 8 小提供最高 16 核心、24 線程,性能表現絕對不能忽視。

Alder Lake 的大核心 Golden Cove 的性能相較 Tiger Lake 的 Willow Cove 核心,在 IPC 性能上有至少 20% ,小核心 Gracemont 則與 Skylake 性能相約,綜合 IPC 性能大慨會有 16~18% 性能長。
10nm 、單晶片 40 核心、8 通道 DDR4 Intel Xeon Scalable (Ice Lake-SP) 登場
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10nm 制程、代號 Ice Lake-SP 的第 3 代 Xeon Scalable 伺服器處理器,相較舊有 14nm Cooper Lake 只有 28 核心,全新 Ice Lake-SP 是單晶片實現 40 核心、80 線程,採用全新 Sunny Cove CPU 微架構,官方宣稱平均性能可提升 46%,同時亦是首款支援 AI 運算加速的伺服器處理器。

據了解,Intel 第 3 代 Xeon Scalable 伺服器處理器採用 LGA 4189 封裝,尺寸為 77.66mm x 56.66mm,面積達到 4,400mm² 相當誇張,支援最多雙路配置,單顆最高 40 核心、80線程,50MB L2 Cache、60MB L3 Cache,支援 8 Channel DDR4-3200 系統記憶體,支援 64 條 PCIe 4.0 Lanes,並支援新一代 AVX 512 指令集。
傳 Intel 考慮修改制程節點命名方式 2023 年 7nm 制程可能改名成 5 nm !!
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不能否認,Intel 制程命名相較 TSMC、SAMSUNG 都更為嚴謹,就連光刻機龍頭 ASML 都表明,從技術指標來說 Intel 的 7nm 制程規格相等於 TSMC、SAMSUNG 的 5nm 制程,但從市場推廣來說卻非常不利,市場傳言 Intel 正考放棄以節點名的方式,以迎合行業慣例。

現時,Intel 正量產 10nm 行動 / 伺服器處理器,其電晶體密度高達 100.76MTr/mm²,其實遠超過 TSMC 7nm HPC 的 66.7MTr/mm²、TSMC 7nm FF+ 的 96.5MTr/mm² 及 SAMSUNG 7nm 的 96.5MTr/mm²,但使用制程節點來命名做法對於 Intel 來說相當不利。

據消息人仕指出,Intel 正考慮修改制程命名方式,不再使用制程節點作命名的做法以迎命行業慣例,其中一個原因是 Intel 未來將會接代工訂單,如果再使用舊有命名方式做營銷會非常被動。
Intel 也來搶 TSMC 晶片代工單 與 SiFive 簽訂協議代工 RISC-V 晶片
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Intel 執行長 Pat Gelsinger 於 24 日清晨舉辦了「Intel Unleashed: Engineering the Future」視像直播,宣佈 IDM 2.0 (Integrated Device Manufacturing) 計劃,未來不僅會擴大使用第三方晶圓代工廠,同時亦會成為晶圓代工廠,計畫投資約 200 億美元,在美國亞利桑那州建立兩座新晶圓廠,目標是成為美國和歐洲當地晶圓代工產能的主要供應商,現時已得悉 SiFive 已與 Intel 晶圓事業群IFS 達成協議,可以期待未來由 Intel 生產 7nm RISC-V 晶片面世。

Intel 執行長 Pat Gelsinger 上任後推出了 IDM 2.0 計劃,Intel 未來仍會保持大多數晶片均由自家生產,這一關鍵優勢是可實現產品最佳化、提高經濟效益和供貨彈性,現時 Intel 7nm 進展順利更積極使用 EUV 技術將可重新架構並簡化流程,預期今年第 2 季為其首款 7 nm 產品、代號 Meteor Lake 的運算晶片完成流片。

此外,Intel 將會擴大與第三方晶圓代工廠合作,計劃將通訊及網絡晶片、晶片組、繪圖核心交給第三方代工,此舉將提供更佳的彈性和規模,並且最強化 Intel 產品藍圖的成本、效能、時程和供貨。
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