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隨溫度改變、5 速呼吸 LED 光效 GeIL Super Luce 雙通道版本全面上市
文章索引: 記憶體 Geil 腦場特攻
代理商 OC Computer 宣佈正式引入 GeIL Super Luce 系列 Dual Channel 雙通道版本,以滿足 Intel 全新 100 系列晶片組平台玩家,頂端設有 LED 光效並加入獨家「 iLUCE Thermal-beaming 」技術,會因應工作溫度而改變呼吸燈效果。

GeIL Super Luce 系列 Quad Channel 四通道版本稍早前已登陸香港市場,主要針對高階 Intel X99 平台,近日代理商進一步引入 Dual Channel 雙通道版本,包括 DDR4-2400 、 DDR4-3000 及 DDR4-4000MHz 速度、 8GB 及 16GB Kit 容量,另備有藍色、紅色及白色 LED 版本可供選擇,以滿足 Intel 100 系列平台玩家需求。

產品特別加入了「 iLUCE Thermal-beaming 」溫控 LED 光效技術,因應記憶體模組的工作溫度,改變頂端的 LED 呼吸燈光效的頻率,讓玩家能實時監察記憶體模組的溫度狀況,加入了一顆 Nuvoton N79E84 微控制器,它具備了溫度傳感功能及 LED 照明制功能,監察記憶體模組的工作溫度,提供 5 個不同的 LED 呼吸燈光效頻率。
保留 MLC 用料、保養提升至五年 KLEVV URBANE U610 系列 SSD
文章索引: 記憶體 KLEVV 新品快遞
現時 SSD 的售價相當平易近人,一般三四千元的組裝平台要配備 SSD 亦不困難,隨著 NAND Flash 製作技術提升,有不少廠商都開始引入以 TLC NAND 製作的 SSD ,不過每位用家對 TLC 的意見各有不同,有部份用家堅持選擇以 MLC 製作的 SSD 產品,而著名韓國記憶體品牌 KLEVV 就新推出 URBANE U610 系列 SSD ,正正就保留使用 MLC NAND 顆粒,同時更提升保養期至 5 年,定價亦是市場上所有 5 年保養的 SSD 產品中最便宜。
Felton 推出 KLEVV 記憶體限定優惠 DDR3-2400 8GB Kit 只需三百元有找 Felton 的優惠源源不絕,繼機箱及主機板之後,今次就輪到記憶體的產品優惠, KLEVV Genuine DDR3 華麗白光記憶體只需 $280 起,不過在體驗優惠之前,大家就先要在進行指定動作:讚好 Felton Facebook 專頁、分享活動帖、填寫表格,完成後就可以透過優惠價購買不同類型的 KLEVV Genuine DDR3 華麗白光記憶體。

今次 Felton 的 KLEVV 記憶體優惠,分別提供 DDR3-1600 至 DDR3-2400 不同型號,當中包括有 4GB x2 及 8GB x2 的組合,其中一款 KM3G4GX2C-1866-09-10-09-27-0 原價 $355 ,優惠價只需要 $280 即可購買,是一款 DDR3-1866 4GB x2 的產品。另外高階類型還有 DDR3-2400 8GB x2 的 KM3G8GX2Y-2400-11-13-13-31-0 ,優惠價後只需要 $499 。

要取得今次優惠,除了要讚好 Felton Facebook 專頁及分享活動帖之外,記得填寫表格:
ADATA x HKEPC 夏日團購第二波  Premier SP550 960GB SSD 只需 $1,599
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ADATA 聯同 HKEPC 的團購優惠一浪接一浪,繼日前的 HM900 3TB 團購優惠後,今日的 ADATA x HKEPC 夏日團購第二波就有 Premier SP550 960GB SSD ,只售 $1,599 就可以購買,同樣限量訂購, HKEPC 會員先到先得。
IBM 優化內建儲存技術 有望成為主流  Phase-change memory 技術突破
文章索引: 記憶體 IBM IT要聞
IBM 早前開放量子電腦雲端服務給不同機構試用引起關注,日前再發表 Phase-Change Memory 記憶體技術突破,將 Phase-change memory 成本大大降低,有助其商用化腳步加快,有望取代現有記憶體成為主流。

( 相變化記憶體 ) 技術出現於 1970 年代,其優點擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等,提供非揮發記憶體特性,該技術具有與傳統 CMOS 製程與週邊電路最高的相容性,很大機會取代 現時 Flash 、 SRAM 、 DRAM 等記憶體技術。

其原理主要利用電流產生熱量以改變材料結構,實現儲存功能,依靠電流脈衝令變相材料形成不同程度電阻,系統以判斷不同電阻值而形成判斷 「 0 」或「 1 」數碼信號。現時技術僅能於每個儲存單元上提供 1bit 的信號儲存,而 IBM 最新技術發佈表示,已成功找出每個儲存單元上儲存 3bit ,讓變相材料於高溫特性令記憶體進入多重狀態。
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