據 Digitimes 最新消息，Samsung 位於 Pyeongtaek 平澤的 NAND Flash 晶圓廠在 3 月 9 日出現停電事故，市場觀察人士稱，在 Samsung NAND Flash 晶圓廠半小時停電期間，大約 5,000-60,000 個晶圓被損壞，三月份受損的晶圓相當於 Samsung 整體 NAND Flash 產量的 11%左右，TechNews 預計損失相當於 3 月份的全球供應的 3.5% 左右。

Samsung 方面則表示，雖則 NAND Flash 晶圓廠停電約半小時，但備用電源 ( 設計為 20 分鐘 ) 的有效啟動應對了突發狀況，所以不會對 NAND Flash 運營造成顯著影響。

根據 DRAMeXchange 的數據，NAND Flash 市場在 2018 年第一季度出現了輕微的供過於求的局面，這是因為去年缺口明顯時，主要 NAND Flash 晶圓廠均加碼提升產能和良率，同時主要供應商亦提高 3D NAND Flash 的產量，加上終端市場需求增長因季節性因素而放緩，NAND 合約定價保持平穩或略有下降。

TEAM「T-Force Night Hawk RGB」記憶體模組正式登陸香港，以獨特「鷹眼」作為設計藍本，壓鑄及CNC精密切割等先進製造工藝，打造鷹翅對稱式造制設計，支援ASUS AURA SYNC及GIGABYTE RGB Fusion，可與ASUS及GIGABYTE主機板作燈效同步控制，鷹眼光芒銳利閃爍，宛如一隻黑夜中的夜鷹蓄勢待發，令人愛不惜手。

Intel 與 Micron 於 2018 年 1 月 8 日共同宣布，在完成第三代 3D NAND Flash 研發後，雙方將開啟各自的研發之路，雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash，預計第三代將可堆疊 96 層，也意味著 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發，Intel 將正式與 Micron 分道揚鑣。

儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響，但在確定分家之後，雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據記憶體存儲研究 DRAMeXchange 調查，Intel 與紫光集團正積極研擬後續合作計畫，雙方可望建立正式銷售合作關係。

從 Intel 的動向來看，Intel 一直以來高度關注中國市場，在 CPU、modem、記憶體等領域皆積極尋求不同的合作或合資機會。除此之外，Intel 也持續擴大在中國的產能，包含在中國大連地區以 3D NAND 為主的自主產能將持續擴張。近日 Intel 與中國紫光存儲 (紫光集團旗下子公司) 正積極擬訂長期合約，未來在此合約架構底下，紫光存儲將能夠獲得一定比例來自Intel 的 NAND 晶圓，經自行封裝測試成不同產品後，由紫光存儲的自有渠道進行銷售。

正如大家所見，DRAM 產品如繪圖卡記憶體、DDR4 記憶體等，在近兩年價格不斷飆升，在去年底，就有消息指中國國家發展和改革委員曾與 Samsung 約談，關注儲存晶片價格問題，DRAMeXchange 在日前報導，指出 Samsung 及中國政府將簽署“諒解備忘錄”，以保護 DRAM價格保持在可接受的範圍內。

中國政府在新的 一年宣佈調查之前對發改委進行的監管 ，國家發改委負責中國國務院的宏觀調控工作。由於製造晶片的許多東西基本上都是在中國製造的，同時亦是資源最缺乏的地方，因此更高的價格可能造成一個長期的對亞洲地區經濟的影響。

這就是國家發改委現在主動干預DRAM價格的原因，Samsung是大型的記憶體生產企業之一，因此發改委希望藉著與 Samsung 雙方簽署 MOU 諒解備忘錄，協議將涵蓋了更高的產量，並希望可以壓抑 DRAM 價格漲幅。

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