日本政府在 7 月 1 日突然宣佈將對韓國執行經濟制裁，限制日本半導體材料、OLED 顯示面板材料出口韓國，由於 Samsung、SK-Hynix 兩家韓系大廠在 DRAM 領域擁有全球 7 成的市場份額，日本製裁對韓國的儲存晶片產業及全球 DRAM 市場造成極大影響，最新有消息指，在一周內記憶體現貨價格已飆升 12%，記憶體現貨價格更出現了 10 個月來的首次上漲。

DRAM 市場瘋狂漲價持續到了 2018 年第三季度，去年 9 月份 DRAM 價格開始下滑，一直持續到了現在，降價時間只有短短的 10 個月，就因為日本對韓國執行經濟制裁將改變 DRAM 的價格走勢。

記憶體儲存研究 DRAMeXchange 指出，DRAM、NAND 因日韓貿易戰及 Toshiba 跳電產能減少，近期呈現現貨價格上漲，日韓貿易戰的爆發，使得業界盛傳記憶體價格將反轉，DRAMeXchange 分析指，因DRAM價格已歷經連續三個季度快速下滑，下游模組廠的庫存水位普遍偏低，也因此部分模組廠利用此一原物料事件，開出上揚的價格或表示將停止生產。

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NAND Flash 及 DRAM 市場真係「一波未平一波又起」，在上月 15 日全球第二大儲存記憶體製造商 Toshiba 發生的停電事故仍未解決，在 7 月 1 日日本政府突然宣布將對韓國執行經濟制裁，限制日本半導體材料、OLED 顯示面板材料出口韓國，並於 7 月 4 日起正式施行，是次日本執行的經濟制裁對於 Samsung、SK-Hynix 兩大韓國半導體廠商在 NAND Flash 及 DRAM 生產不免會受到影響。

日本限制出口韓國的材料主要有三大品類，分別是電視和手機 OLED 面板上使用的 Fluorine Polyimide 氟聚酰亞胺、半導體制造中使用的 Resist 光刻膠及 Eatching Gas 高純度氟化氫。據了解，日本當前基本上已壟斷全球的氟聚酰亞胺、氟化氫材料市場，分別佔全球份額的 90%、70% 之多。

除了 Samsung 及 LG 製作電視、智能手機的材料會受影響之外，Resist 光刻膠及 Eatching Gas 高純度氟化氫更會在半導體制造中大量使用，光阻層材料基本上是用於集成電路和晶片製造，這種材料是用來將電路的構造轉移到半導體基底。

繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光（EUV）微影技術後，同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產，Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加 2～3 倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外，佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM，也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。

中美貿易戰升溫，連半導體廠商亦無法避免受影響，加上華為列入貿易黑名單事件將緊張情勢升溫，就現在的情況來看下半年半導體產業景氣仍存在不少的變數，記憶體儲存研究 TrendForce 指出，受到美國禁用華為事件持續發酵，華為智慧型手機以及伺服器產品在未來的兩至三個季度恐將持續遭受嚴重的出貨阻礙，衝擊下半年 DRAM 產品的旺季需求與價格落底時間，TrendForce 正式下修第三季 DRAM 價格展望，跌幅由原先預估的 10%，擴大至10~15%。

TrendForce 指出，原先在只有三家大廠的競爭態勢，以及 DRAM 製程技術已經面臨物理極限的前提之下，預估 DRAM 價格要跌破供應商的生產總成本(fully-loaded cost)可能性極低。然而，中美貿易戰升溫恐使得今年下半年需求急凍，不確定性氛圍提高使得資料中心的資本支出放緩，在今年年底前，體質較弱的 DRAM 供應商恐怕將認列帳面上現有庫存損失，財務報表正式轉為虧損狀況。