小僧翻到鋪頭，見到少量 GALAX HOF OC Lab RGB 記憶體到貨，白色散熱器、大大個 HOF 皇冠、ARGB 燈效，更重要係 DDR4-4000 CL19 16GB Kit 只係賣 HK$899， 同其他 3600 同價係咩玩法，一定係幻覺、嚇我唔到嘅 ?

雖然之前有許多消息稱今年 Intel 及 AMD 都會推出支援 DDR5 記憶體的平台，但是目前來看最快都要等到明年，因為 Samsung 最新宣佈將在 2021 年量產 DDR5 記憶體，並將率先為 DRAM 記憶體顆粒生產引入 EUV 工藝，有望可為新的記憶體帶來更快的速度及更高的性能。

在半導體製造之中，光刻機是不可或缺核心設備，最先進的極紫外光刻機更多用於復雜的邏輯晶片製造及處理器製造中，例如台積電去年 10月宣佈已開始大規模生產基於 7nm+ EUV 光刻技術的晶片，AMD 即將推出的 Zen 3 處理器及 Intel 計劃明年推出的 7nm 產品就會用上 EUV 技術。

EUV 技術是利用波長較短的紫外線將圖案刻入矽中，與傳統的多製版方法相比，EUV 技術具有精度高、減少重複步驟、提高製版精度等優點，將可以實現更好的性能和更少的缺陷晶片的產量，反過來就可降低了晶片製造商的成本，並縮短了開發時間。

今日，DRAMeXchange 發佈分析稱，雖然疫情在中國看似趨緩，然而在中東、歐洲、美國急速擴散，WHO 世界衛生組織已將「武漢肺炎」成為全球大流行傳染病，將讓全球經濟陷入系統性風險，記憶體市場恐怕提前反轉進入不景氣週期。在 2020 年第一季及第二季 DRAM 與 NAND Flash 均價仍維持上漲，主要是因為年初客戶端庫存水位偏低，雖在價格走勢持續上揚的前提下，採購備貨意願強烈。

DRAM 及 NAND Flash 價格週期大概 3~4年，兩者的價格分別在 2019 年 12 月及 7 月觸底，當前為週期底部復甦階段，在當前供求關係沒有出現明顯轉換情況下，後續價格下行空間不足，預計未來上漲概率較大，若因為「武漢肺炎」事件持續將會導致供應商出現短期不利變化，不排除價格短期快速上漲可能性。

DRAMeXchange 表示，DRAM 及 NAND Flash 價格真正的挑戰會從第三季開始，隨著需求萎縮導致庫存去化不易，將大幅削弱客戶端採購能力，使得價格漲幅受到抑制，在 NAND Flash 領域更可能由漲轉跌。

武漢肺炎在全球肆虐，除了中國内地成重災區之外，南韓疫情同樣嚴峻，目前已累計有 7 千多宗確診病例，半導體行業有大量的原材料源於日、韓兩地，記憶體產量或多或少將會可能受阻，而目前 DRAM 價格較 3 個月前低谷期已暴漲 4 成。在 NAND Flash 及 DRAM 報價持續向上的情況下又有「事故」發生了，日前 Samsung 位於華城的半導體廠發生火災，當地居民稱，大火的黑煙覆蓋了週邊地區，最終持續燒足 2 個半小時後才被撲滅。

據了解，位於韓國首爾南部、京畿道華城的工廠是 Samsung 目前最先進的晶片生產基地，主要生產先進極紫外光 EUV 工藝邏輯代工、高階 DRAM、NAND Flash 等產品。

是次火災在 3 月 8 日晚上發生，當地居民表示，發生火災的時候大火的黑煙覆蓋了週邊地區，隨後消防部門就迅速趕到，消防部門出動了 48 輛消防車及 124 名消防員趕到工廠進行滅火。最終大火持續了兩個半小時，在當地時間週一凌晨才被撲滅，消防部門目前正在對起火原因進行調查。

Thermaltake「TOUGHRAM RGB」DDR4 記憶體模組正式進軍香港，頂端 TT 造型導光燈條設計搭配 10 顆高亮度 LED 顆粒，帶來出色的 ARGB 燈光效果，2mm 厚度鋁合金散熱片提供優異的散熱能力，此次送測為 DDR4-4400 CL19 16GB Kit 版本，採用 SK Hynix DJR 記憶體顆粒提供出色的超頻能力，DDR4-5100 風冷超頻不是夢，更重要是仲係舊價 HK$1,399，完全無得輸。