隨著高畫質與 3D 影像內容應用的興起，一些新興智能型可攜式電子裝置對高速大容量傳輸需求也日益提高，現有的一些 NAND Flash 控制介面標準，在小型行動裝置上的傳輸速率可能不敷市場所需，因此不少大廠已開始推動 UFS 規格。

據了解，近期 JEDEC Task group 中的一些主要成員如： Samsung 、 Nokia 、 Micron 、 Intel 、 Toshiba 、 TI 、 ST 、 Qualcomm 、 SanDisk 等正在積極推動新的 NAND Flash 控制介面標準 UFS (Universal Flash Storage) 的規格制定，希望能制定一種在能夠廣泛應用於內嵌裝置領域上的高性能通用開放介面標準。

以目前 NAND Flash 主要的應用規格來說，大部分內嵌裝置普遍基於最高速度只有 52MB/s MMC 訊號傳輸架構的 eMMC 介面為主，為因應未來高速傳輸大容量資料的 NAND Flash 產品應用， UFS1.0 的最高傳輸速率將提昇到 300MB/sec ，而未來的 UFS2.0 更可達 600MB/sec 。

市調機構 DRAMeXchange 2 日發表全球 DRAM 產業第三季營收報告，指出總營收達到 108 億美元，不過，儘管總產出量較第二季約成長 15% ，但由於 DRAM 價格於第三季不斷下降，因此營收較上季僅微幅成長約 3.4% 。其中第三季 DDR3 2GB 合約均價較上季下滑約 13% ， DDR3 1Gb eTT 顆粒現貨均價較上季下跌 18% 。

據營收報告顯示，全球 DRAM 產業第三季營收數字達 108 億美元，僅相較第二季營收 104 億美元僅微幅成長約 3.4% ，其主要原因在於第三季 DRAM 合約價受到 DRAM 產出增加與 PC 需求旺季不如預期影響， DRAM 價格呈現下滑走勢，令到雖然總產出量較第二季約成長 15% ，但營收增長偏低。

韓系廠商依然領導市場，其中 SAMSUNG 仍舊穩佔龍頭位置，與第二季相比成長 21.9% ，其營收佔整體達 20% ，而且其市佔亦大幅成長至 40.4% ； Hynix 則以 19.8% 市佔排行第二，不過其實際表現則由於 46nm 良率提升不如預期影響產出，令市佔錄得輕微下跌，均價亦下跌 9% 。

集邦科技旗下研究部門 DRAMeXchange 於一日發表十月份 DRAM 調查報告，指出十月下旬 DRAM 合約價錄得下跌，而且其跌幅加劇至創下近一年以來最大跌幅，其中 DDR3 2GB 合約均價更曾跌至 15.2% 高位，據集邦科技預估，今年年底 DDR3 合約價格可能會出現按季度下跌超過 30% 。

據報告指出，經過十月上旬 DRAM 廠開出低價仍無法刺激需求下， DRAM 十月下旬合約價跌幅加劇，並創下近一年以來最大跌幅，其中 DDR3 2GB 的合約均價跌破 30 美元水平，從 31.5 美元下跌至 27 美元，跌幅達 14.3% ，而且更曾經出現試探至 26 美元的低價成交，跌幅高達 15.2% 。

同時，在合約市場中已漸離開主流的 DDR2 合約價亦出現同步下跌，主要是由於目前 DDR2 比例在合約市場已低於一成，各廠商在訂購 DDR2 記憶體時，大多以 DDR3 同價的方式來議定，因此在 DDR3 出現跌價時，亦連帶 DDR2 合約價下跌。

近年 SSD 固態硬碟發展迅速，無論在針對高效能應用的企業應用，或是簡單的家用市場，均續漸普及，據市場調查機構 DRAMeXchange 26 日發表的報告顯示， 2011 年固態硬碟出貨量將會達倍數成長，同時亦直接提升 NAND Flash 記憶體顆粒出貨表現。

由於 SSD 固態硬碟傳輸速度快，而且提供省電與抗震動的特點，因此在市場上越來越普及，儘管由過去 2009 年與 2010 間，在 NAND Flash 的價格維持高檔，加上 SSD 減價需求不大的情況下，讓固態硬碟的價格下降空間有限，不過仍受到不少用家歡迎，其中最主要對象為高階的伺服器市場、工業 / 軍用市場與高階的商用行動電市場，而一般的家用消費型固態硬碟，則主要以 32GB/40GB 的低容量為主。

據 DRAMeXchange 表示，未來高畫質影音與大容量檔案傳輸的需求將大幅提升之下，對於固態硬碟的需求將會開始提升，加上隨著 NAND Flash 廠商在今年第四季將陸續轉進 2xnm 的製程，令成本有更大下降空間，將有助 SSD 固態硬碟銷售加快。