雖然已臨近年終假期消費量季，但由於受歐債風暴影響下，市場早已預期年年終假期很大可能出現旺季不旺的狀況。其中據市趁調查構 DRAMeXchange 發表的 12 月上旬 NAND Flash 價格走勢報告指出， 12 月上旬 NAND Flash 合約均價呈現部分持平及部分下跌 5-7% 的狀況。

據報告指出，雖然 NAND Flash 價格在 9-10 月基於 OEM 訂單需求稍增而暫緩下跌，但由於多數下游客戶目前庫存足夠應用，不少廠商均傾向待年終假期後才決定明年 1 月中前中國農曆年假期前的所需的庫存回補量，因此第四季仍然呈現持續緩跌的狀況，在市場處於節前的買氣觀望氣氛下， 12 月上旬的 NAND Flash 合約均價呈現持平，部分更下跌 5-7% 。

展望 2012 年首季， NAND Flash 市場將受多個因素影響，其中儘管市場預期歐洲已針對歐債風暴達成解決方案，但預期上半年仍處於調整期，復甦時間需要等待到明年下半年，因此上半年歐債影響的問題仍然未許樂觀。

ADATA 繼上週舉行瘋狂購物日取得良好反應後， ADATA 15 日宣佈加推瘋狂購物日第二波，將於 17 、 18 日一連兩天為旗下 S102 PRO USB3.0 隨身碟推出優惠大行動，用家可於深水埗及旺角指定商戶，以特惠價購買 ADATA S102 PRO 。

ADATA S102 PRO USB3.0 隨身碟採用鋁合金外殼配搭鈦金屬設計，長度較上代縮減 10mm ，重量亦由上代 15g 減至 13g ，內部設計作出了強化令讀寫性能進一步提升，採用了可同步 NAND Flash 記憶體顆粒能同時讀寫數據，減低同步讀寫延遲令傳輸速度得以提升。

據 ADATA 指出，新版本「 Superioer S102 PRO 」的理論性最高讀取速度約 100MB/s ，理論性最高寫入速度約 25MB/s ，相較上代僅 68MB/s Read 和 18MB/s Write 提升不少 。

市場調查機構 DRAMeXchange 14 日發表 12 月上旬 DRAM 價格走勢報告，指出由於目前泰國洪災衝擊 HDD 產業尚未完全解除，加上踏入 12 月傳統 PC 出貨淡季，截至目前為止， 12 月上旬 DDR3 4GB 和 DDR3 2GB 合約均價均呈現下跌，但預期 2012 年 DRAM 後市仍然樂觀。

據 DRAMeXchange 發表的報告指出， 12 上旬 DDR3 2GB 均價為 9.25 美元，下跌約 3% ， DDR3 4GB 均價則下跌 6% ，均價為 16.5 美元， 2Gb 顆粒價格跌破 0.9 美元，其中 DDR3 4GB 由 5 月起已跌超過 55% 。

隨著聖誕假期臨近，歐美客戶為配合假期已早於上旬議定合約價，但成交量較上月明顯清淡，尤幸 DRAM 廠陸續宣佈減產，跌幅已較為收窄，預期減產效應將於明年第一季呈現，因此 2012 年 DRAM 後市可以抱持審慎樂觀的態度。

ADATA 9 日宣佈舉行「 ADATA SSD 深水埗瘋狂購物日」，讀者可在本星期六、日 (12 月 10 日、 11 日 ) 於深水埗指定 7 家商戶，均可以用超特惠價錢購買 ADATA 兩款高階型號 SSD 產品，數量有限、活動只限兩天。

特價型號包括 ADATA S510 與 S511 ，其中 ADATA S510 60GB 、 120GB 型號售價分別由 HK$739 、 HK$1,359 減至 HK$699 、 HK$1,099 ， ADATA S511 60GB 、 120GB 型號則由 HK$789 、 HK$1,599 減至 HK$729 、 HK$1,199 。

ADATA S510 、 S511 系列均為高階型號，採用 SandForce SF-2281 控制晶片，支援 SATA 6Gbps 規格，最高可達 550MB/s 讀取速度，以滿足多元化專業玩家大量存取速度的需求。

Intel 與 Micron 7 日共同宣佈成功推出全球首款 20nm 制程 128Gb MLC NAND 晶片，同時更成功把 8 顆晶片封裝於指尖大小的晶片上，達成 1Tb 資料容量的 NAND Flash 顆粒，此舉將進一步擴大雙方在 NAND Flash 生產技術上的領導地位，兩家公司同時宣佈正式量產 20nm 64Gb MLC NAND Flash 產品， 2012 年 1 月向業者提供 20nm 128Gb MLC NAND Flash 樣本，預期於 2012 上半年正式上市。

單片容量達 128Gb 的全新 20nm 制程 MLC NAND 晶片是由 Intel 與 Micron 合資的 IM Flash Technologies 成功開發，並同時實達成在指尖大小的封裝中，集成 8 塊 128Gb 單片 NAND 晶片實現 1Tb = 128GB 資料存儲容量的 NAND Flash 顆粒，其足以把所有圖書館內的學術著作記紀在內。

與 Intel 及 Micron 現有的 20nm 制程 64Gb NAND 晶片相比，全新 128Gb NAND 晶片在存儲容量和性能方面均提升了一倍，同時符合高速 ONFI 3.0 規範，傳送速率可達 333 MT/s ，提供更經濟及高性能的 SSD 存儲解決方案，以滿足 Tablet 、 Smartphone 及大容量 SSD 的設計需求。