由於踏入 PC 出貨淡季，加上早前泰國洪災影響硬碟供應鍊，據市場調查機構 DRAMeXchange 28 發表的 DRAM 十一月下旬合約價走勢報導指出，十一月下旬合約價再度下跌，其中 DDR3 4GB 均價跌幅約 7.9% ，而 DDR3 2GB 更正式跌破 10 美元價位，跌至 9.5 美元。

據 DRAMeXchange 指出，由於十一月 PC-OEM 廠商買貨意願不高，在交投淡靜而且 DDR3 2Gb 現貨顆粒價格較上月大跌近 25% 下， DRAM 以低價開出，十一月下旬 DRAM 合約價 DDR3 4GB 均價為 17.5 美元，跌幅約 7.9% ， DDR3 2GB 則跌至 9.5 美元，跌幅約 7.3% 。其中 DDR3 2GB 合約價更是由 5 月起的 18.75 美元高點下跌至 11 月下旬的 9.5 美元，跌幅達到近 50% ，現貨市場 DDR3 2Gb 顆粒跌幅更高達 70% ，來到 0.74 美元價位。

由於各 DRAM 廠陸續跌破現金成本，不少廠商已開始減產或轉型，其中 Elpida 和台系廠商南科已於 11 月宣佈減產，而 Elpida 廣島廠方面將預計縮減約 25% 的產能，減產效應將會在 2012 年第一季出現，隨著二次減產機制啟動，全球 DRAM 產業投片量已從今年高點的每月 1300K 下調至 1100K ，幅度約為 16% ，雖然預期明年將有助縮減供過於求問題，但短期內 DRAM 市場仍將處於供過於求的狀況，因此直至年底前 DRAM 合約價格走勢仍未樂觀。

受到泰國水災令硬碟供應短缺影響，整體 PC 出貨量同樣下跌，據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，十一月上旬 2GB DRAM 合約均價呈現輕微跌幅，在供過於求的情況下，預期十一月下旬跌幅可能會持續。

據 DRAMeXchange 發表的十一月上旬 DRAM 合約價報告指出， 2GB 模組合約均價最低到美金 10 元關卡，比較十月下旬跌近 2.38% ； 4GB 模組合約均價為 18.5 元，同樣小跌 2.56% 。 2Gb 顆粒現貨市場最低價為美金 0.7 元，自十一月初起已跌近 9.64% ，情況已在 DRAM 廠的現金成本之下。同時，在過於求的狀態下，合約價將能會持續下跌。

在嚴重供過於求的時期下，一線大廠憑製程轉進能力及上下游縝密的垂直整合，其經營情況仍然穩定，但製程不若一線大廠先進的廠商，在 DRAM 價格持續探底下只能減低現金流出，除了積極轉進非標準型 DRAM 產品外，不排除 DRAM 產業的將再次啟動減產機制。

由於銷售不如預期，據市場調查機構 DRAMeXchange 指出， 11 月上旬主流 NAND Flash 合約價較上期下跌約 2 ~ 4% ，除了高容量產品因 PC 、智慧型手機與平板電腦的銷售疲軟影響外，泰國水災也對數位相機的出貨出現影響，令記憶卡市場更為軟弱。

面對全球經濟不穩定狀況，預期感恩節、聖誕節以及中國農曆新年等需求能 見度不高，加上在 NAND Flash 晶片供應商因轉進 2ynm 製程而增加供給的不利情況下，預期 NAND Flash 合約均價在第四季將持續面臨下跌壓力。

展望未來，在搭載 HDD 與 SSD 達成 Hybrid HDD 的解決方案能夠提高開機速度與執行效能的情況下， Ultrabook 將為 NAND Flash 市場扮演重要關鍵，隨著 NAND Flash 製程轉往 2ynm ，成本將進一步下降，預期 SSD 的角色將從目前的「 Cache 」轉變成「 Storage 」，大幅增加對 NAND Flash 的需求量。

目前 NAND FLASH 主要是日韓廠商以大量市場佔有率及較先進制程技術取得領導，但據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，台系廠商力晶將於 2012 年起大幅增加 NAND FLASH 投片量，以及轉移到 NAND 2Xnm 減低成本，並保留 DRAM 技術以備未來需要。

據 DRAMeXchange 指出，力晶有意於明年大幅降低標準型 DRAM 投片量，僅以最低的產能維持 DRAM 的技術發展，預期標準型 DRAM 的投片僅佔總投片量的 20% ，並於明年起全數轉入 30nm 4Gb 生產，以空出的產能將會以 NAND FLASH 填補，並轉移到 NAND 2Xnm 的製程。

雖然力晶把產能轉移至 Flash 產品以及 LCD Driver 及非標準型 DRAM 產品，但力晶仍會保留 DRAM 技術，以備日後 3D-IC 以及 TSV 的技術成熟時，以憶體為中心做晶片組的整合，進而加強在大中華地區成為最完整技術領域的晶片廠。