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2012-05-30
2012-05-24
近期 DRAM 買賣雙方就議定合約價方面爭持,導致五月上旬合約價要延宕至第四週才正式確定,據市場調查機構 DRAMeXchange 指出,五月上旬 4GB 與 2GB 模組合約價上升 5% 和 4.8% 。同時,隨著 5 月初 Micron 正式購併 Elpida ,記憶體市場的三強鼎立趨勢確定, DRAM 產業將正式進入寡佔市場走勢。據 DRAMeXchange 表示,由於廠期望 DRAM 合約價格可以較上季約有 7% 至 10% 升幅,但買方目前庫存水位仍高,預期庫存已足夠 3 至 4 週應用,部份 PC-OEM 廠商庫存更高達應付 2 個月或以上,為了在歐洲市場不確定性的情況下減低風險, PC-OEM 廠商對備貨採取謹慎態度,買賣雙方在議價上出現拉扯而令五月上旬的合約價延至第買週才確定, 4GB 與 2GB 模組的均價分別達到 21.25 與 11 美元,漲幅約 5% 和 4.8% 。
除了合約價格走勢報告外, DRAMeXchange 亦就目前 DRAM 市場發展情況進行分析,指出標準型記憶體價格在去年下半年跌幅高達 50% ,而且目前標準型記憶體市況仍處於供過於求,一線 DRAM 廠已積極將現有產能轉移至毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體,其中韓系 DRAM 廠在標準型 DRAM 比重僅剩約 40% ,以補助標準型記憶體供過於求帶來的虧損狀況以讓標準型記憶體逐步走回健康面。
2012-05-23
DRAMeXchange 22 日發表第二季 NAND Flash 市況調查報告,指出雖然部分新型號智慧型手機、平板電腦與 Ultrabook 行動電腦即將於 5 、 6 月推出市場,但由於經濟環境不穩定,加上第二季整體銷售情況受到傳統淡季影響,其中記憶卡與隨身碟市場更需求軟弱,因此預期第二季出貨量將較第一季減少。據 DRAMeXchange 調查指出,零售市場的記憶卡與隨身碟市場除了淡季影響,同時亦受到如 Google Drive 、 Dropbox 與 Evernote 等雲端運算服務影響,令用家對記憶卡和隨身碟作儲存的需求亦大減,因此即使新型號智慧型手機、平板電腦與 Ultrabook 行動電腦即將於 5 、 6 月推出市場,也未能為 NAND Flash 提交亮麗成績,預期第二季出貨量將較第一季約略下滑約 5% 。
受到需求不振影響,五月上旬主流 NAND Flash 合約價較四月下旬下跌約 8-14% ,多數 NAND Flash 供應商對第三季市況仍較為保守,預期上半年供過於求的情況將持續,預期歐債問題將影響總體經濟令新舊平台轉換時程持續影響第二季與第三季的 NAND Flash 終端需求,同時部分廠商因更換零組件供應所出現的產品良率問題,加上處理器平台轉換導致產品出貨量時間現遞延,基於第三季為廠商傳統備貨時間,預期 NAND Flash 需求將從第三季季中之後才會有比較顯著的提升,第二季 NAND Flash 整體需求位元成長率僅較第一季成長 9.3% ,
著名記憶卡品牌 SanDisk 近期加入 SSD 固態硬碟大軍行列,推出 SanDisk Extreme SSD 系列產品,分別推出 480GB 、 240GB 和 120GB 容量選擇,早週更特別為 HKEPC 會員推出「 SanDisk Extreme SSD 優惠計劃」,繼首波的 480GB 容量會員限量優惠後,本週再推出優惠第二擊,用家可以優惠價港幣 $1,799 購買原價為港幣 $1,999 的 240GB 容量 SanDisk Extreme SSD 乙隻,同時只需提交「 SanDisk Extreme SSD 」開箱文用報告,更有機會獲全數或半價現金回贈優惠,此外為答謝 HKEPC 會員支持,凡參加是次活動更可免費獲贈 SanDisk Cruzer Switch 16GB USB 隨身碟乙隻。
2012-05-18
針對流動裝置市場, Samsung 17 日宣佈開始量產採用 20 nm 制程,容量達 4 Gigabit 的 LPDDR2 (Low power double-data-rate 2) 記憶體顆粒 ,令手機或平板電腦等手式行動裝置記憶體容量增加,並有助減低機身體積。隨著大屏幕及四核心處理器廣泛應於手提電話及平板電腦上,用家對行動裝置要求不斷提升,更高省電效能和高容量記憶體的配備需求日益增加, Samsung 所生產的 30nm 制程 2 Gigabit 容量的 LPDDR2 RAM 已經應用於 LG Optimus LTE 2 及 Galaxy S3 之中。
同時, Samsung 亦已積極加強記憶體顆粒的生產制程,於上月已開始量產採用 20 nm 制程,容量達 4 Gigabit 的 LPDDR2 記憶體顆粒 ,其 4 Gigabit 的 LPDDR2 記憶體顆粒比上一代 30 nm 制程的記憶體顆粒更纖薄,只有 0.8mm 而最高傳輸率仍然維持在 1066Mbps 速度。