早前受到買賣雙方在 DRAM 價格商議爭持，經過連續兩個月也於接近月末才開出合約價後，六月上旬合約價終於能如期開出，雖然兩家韓系大廠仍試圖提高報價，但在季底壓力下，最終仍只能與 PC-OEM 廠商達成持平價格合約。預期六月下旬甚至七月合約價格仍有機會持平或出現小幅下跌，但隨著第三季 Windows8 正式上市，加上新款 Ultrabook 機種推出，可望帶動 DRAM 價格上漲。

由於早前買方為減低虧損而力圖提升 DRAM 價格，但賣方則希望以更低成本備貨，雙方議價爭持不下，令連續兩個月也於接近月末才開出合約價，不過六月上旬合約價格終於能如期開出，其中 4GB 均價為 21.25 美元， 2GB 均價為 11.25 美元，走勢持平。

據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，隨著 DRAM 產業低迷已久，市場均期盼記憶體價格能夠從低處回升，但由於 PC-OEM 對於全球景氣的高度不確定性因素影響而在備貨庫存上顯得甚為謹慎，因此六月上旬買氣仍然軟弱，第二季終端市場未能牽動 PC 出貨，而 PC-OEM 廠 DRAM 庫存水位已拉至 5-6 週甚至高達 2-3 個月，因此預期六月下旬甚至七月合約價格走勢攀升可能性極低。

由於 6 月底是多數 NAND Flash 賣方和買方的季底財報結算期，為減低備貨庫存，買方大多採取保守策略，加上記憶卡和隨身碟市場需求持續疲軟，據專門針對記憶體市場的調查機構 DRAMeXchange 指出， 6 月上旬 NAND Flash 合約價下跌，但預期未來 NAND Flash 合約價跌幅可望縮小。

據 DRAMeXchange 表示，第二季為隨身碟市場的傳統淡季，而且目前因歐債問題而再次加深，在全球經濟不確定情況下，使得隨身碟產品需要需求持續疲軟，同時由於 6 月底買方因要管控備貨而交出較佳的財報而採取保守的存貨控管策略，以圖吸引賣方採取較為積極的訂價策略去貨。

但另一方面， NAND Flash 賣方現時著重獲利品質，對價格戰的意願已明顯降低，因此 6 月上旬 NAND Flash 市場出現交易清淡的情形，整體 NAND Flash 合約價下跌 2 ~ 6% 。

現時不少 Z68 或 Z77 主機板，以及採用 ITX 規格的主機板均設有 m-SATA 接口，同時 Ultrabook 和不少行動電腦均備有 m-SATA 接口，以支援安裝 SSD 之用，為了讓用家升級或擴充 SSD ， Lite-On 早前推出了 M3M 系列 mSATA SSD ，採用 Marvell 控制晶片，並支援 True Speed 實境效能技術，可達至經過長時間讀寫也不會出現跌速表現。

Micron 12 日宣佈正式推出時脈達 1GHz 的 2Gb 、 4Gb DDR3 記憶體顆粒，採用 30nm 製程，主要針對高性能網絡和獨立繪圖卡市場，提供低功耗以及支援高達 2133 MT/s 的效能表現，據了解，此次推出的 DDR3 記憶體顆粒目前已在試產階段，並將於稍後時間正式量產。

為滿足高性能、低成本、高效的存儲解決方案，並為繪圖和高速網絡應用得到優化，新的 DDR3 記憶體顆粒提供可為最新的 SoC 處理器或 GPU 繪圖核心提供更充裕頻寬，因此據 Micron 表示，新的 DDR3 記憶體顆粒適合應用於低功耗高性能網路，另一方面亦可應用於獨立繪圖卡上使用。

隨著 Elpida 與 Micron 正式整併， DRAM 產業將形成 Samsung 、 Hynix 和泛美光集團三強鼎立局面，意味完全競爭市場將進入終結，據市場調查機構 DRAMeXchange 預期， 2012 年 DRAM 價格將有望回穩，而且營收與去年相較僅跌 15% ，位元出貨年增約 30% 。同時，雲端應用及行動式裝置需求擴大， DRAM 市場將由 PC DRAM 轉往伺服器記憶體以及行動式記憶體。

自 2008 年金融海嘯 DRAM 產業受到重大衝擊後， Qimonda 退出 DRAM 市場，而台系 DRAM 廠大幅減產近 60% ，接著經濟逐步復甦而令 DRAM 顆粒曾享受供不應求的美好光景， 2010 年記憶體平均銷售價格更上升 8.9% ，加上位元產出量的增加，讓當年記憶體的產值與 09 年相較成長了 72.8% 。

隨後至 2011 年， DRAM 廠仍積極轉進先進製程，產出量增加 50% ，而且智慧型手機的熱銷與平板電腦的興起，令 PC DRAM 需求下跌並出現大幅度的供過於求，使 2011 年平均銷售價格跌近 50% ，產值衰退 24.6% ，當時除了業界龍頭 Samsung 之外，幾乎所有廠商均出現虧損， DRAM 廠百家爭鳴光景亦不再復見，而日系大廠 Elpida 更出現財務困難，甚至走向破產保護。