擁有極高讀寫速度的 NVMe SSD 越趨普及，UNITEK 推出全新「S1201A」NVMe SSD 外置硬碟盒，採用 USB 3.1 Gen 2 Type C 介面，最高傳輸速度可達 10Gbps，外殼以鋁金屬打造，有助帶走高速 SSD全速運作時產生的熱力，以輕巧便攜、穩定高效的賣點為用家提供高速外置儲存方案。

在較早前舉行的 Storage Field Day 18 中，Western Digital 宣佈正開發一種名為「Low-Latency Flash」的全新低延遲驅動器，「Low-Latency Flash」的定位介乎在 DRAM 及3D NAND 之間，比普通 3D NAND 擁有更快的速度，而價錢則比 DRAM 更便宜，與 Intel Optane 及 Samsung Z-NAND 儲存器相類似。

在 2015 年，2D 技術瓶頸越發凸顯，Flash 原廠紛紛向 3D 技術轉移，旨在降低每 GB 的成本，經過 32 層和 48 層 3D NAND 的發展，當前主流的 64 層 3D NAND 已較 2D NAND 成本低，使得 NAND Flash 價格從 2017 下半年開始下滑，下一代 96 層 3D NAND 成本將更低。

Western Digital 儲存產品解決方案副總裁 Luca Fasoli 表示：“全新的 Low Latency Flash ( LLF ) 技術主打低延遲、高性能和長壽命，實際上可以創造出非常快速的定制設備，延遲處於微秒 (μs) 級範圍內。”

在過幾多 NAND FLASH 的技術不斷急速發展，將更多的Cells整及在同一包裝內以實現更大的儲存容量，同時並擁有低功耗及更高的性能，Toshiba 繼去年 9 月宣佈96 層 BiCS FLASH 樣品已出貨後，最新再公人佈與其戰略合作夥伴Western Digital幾乎完成了最新的迭代：128層3D NAND，並稱之為「BiCS-5」，預計最快可於2020 - 2021年實現商業化生產。

在一年前，NAND FLASH產品已經來到48層及64層堆疊技術，到 2019 年更會有 96 層堆疊的產品開始量產，至於下一代的 128 層堆疊亦準備要來，Toshiba與Western Digital合作正在積極開發「BiCS-5」NAND Flash，相比 96 層的「BiCS-4」，新技術額外多出的32層，能夠輕鬆將容量提升 1/3，並可大幅降低製造同等容量終端產品的成本。

據了解，全新的「BiCS-5」NAND Flash邏輯電路層在晶片的底部，而數據層則堆疊在上方，採用了陣列下電路（CuA）設計與非CuA技術相比可把晶片尺寸縮小15%。消息指全新的128層堆疊 3D NAND 採用了TLC設計，儲存密度接近96層堆疊的3D QLC，與96 層的BiCS-4 相比，BiCS-5 可讓模具總體縮小23%，密度亦相較96層堆疊3D TLC提升了29.8%。

Samsung 最新宣佈已經開始大規模生產首款商用 eMRAM ( 嵌入式磁隨機存取儲存器 )，該產品基於 28nm FD-SOI 工藝技術，可廣泛應用於 MCU 微控制器、IoT 物聯網、AI 人工智能領域，並計劃在今年擴大高密度新興的非易失儲存器 (eNVM) 解決方案，包括 1Gb EMRAM 晶片。

MRAM 一種非易失性的磁性隨機儲存器，除了 MRAM，還有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存儲器，能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等，提升數據保存的能力。

Samsung 指出，eFlash (嵌入式閃存) 要進步已經非常困難，由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技術 ，雖然密度越來越高，但是相對來說壽命亦越來越短，主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。

GIGABYTE 針對高階玩家市場推出全新「 AORUS RGB NVMe M.2 SSD」，擁有極速傳輸性能提供最高 3,400MB/s Read、2,000MB/s Write，4K 隨機讀取最高達到 440,000 IOPS，厚重的鋁合金散熱器進一步提升散熱效果，更支援全新 RGB Fusion 2.0 技術可與主機板進行燈效同步，絕對信仰十足。