除了早前介過的單條 64GB DDR4 記憶體之外，Samsung 在 Open Compute Project 2018 峰會上亦帶來其他不同的新產品，當中包括了全新的 NF1 SSD( 最初的名稱 NGSFF，亦稱為 M.3 ) ，Samsung 展示了該 NF1 SSD 在一個運行36個驅動器的雙插槽 Supermicro 伺服務器之上。

在展會上，Samsung 展示了全新的「PM983 NF1 SSD」，去年 8 月發佈的新型 NF1 設計，備有 8 TB及 16 TB 儲存容量，這是 Samsung 首次在公開展出 16 TB 的 SSD。全新的 NF1 SSD 採用了雙排 NAND Flash 封裝，讓 SSD 的儲存容量得以最大化，同時，NF1 用上 hot Plug 熱插拔的連接方式，Samsung 還特別設計了一個金屬背板，可以放在金屬托盤之內。

PM983 SSD 基於 Samsung Phoenix 控制器以及 64 層 3D TLC NAND 記憶體，將提供 M.2 及 NF1 兩種選擇（後者提供更高容量），從性能角度來看，產品將可提供高達 3000 MB/s 逢續連續讀取速度以及高達 1900 MB/s 的逢續連續寫入速度。

近年中國在研發技術上不斷成長，希望能夠追得上外國廠商的步伐，例如在記憶體領域方面，已成為全球輸出1/5記憶體的國家，儘管分析人士對中國記憶體產業的入局看好，Samsung 近日接受韓國雜誌“Investor” 訪問時稱，對於中國晶片製造商崛起並不擔心。

就利潤而言，韓國公司 Samsung 是全球最大的晶片製造商，其次是美國公司Intel，但中國半導體市場正在蓬勃發展，2017年，華為子公司海思半導體盈利估計為 260億人民幣（約合38.7億美元）。中國在DRAM和NAND Flash 方面亦正在成長，紫光儲存更已經拿出了DDR3成品，早前更有消息指將會為Intel 旗下的SSD提供核心資源。

但這是否令 Samsung 擔心？根據 Samsung 設備解決方案部門負責人 Kim Ki-nam 的說法，「完全沒有」。

Samsung 在剛剛舉行的 Open Compute Project 2018 峰會上，隆重展示了旗下全新為數據中心而設，容量高達 64GB 的 DDR4 記憶體，基於 Samsung 最新 16Gb (2GB) 顆粒，該設計還能夠為未來的高性能伺服器提供 128GB 及 256GB 記憶體模組。

Samsung 全新展示的 64GB DDR4 記憶體基於標準的 1.2V 電源，基於 16GB DDR4-2666MHz DRAM 晶片，屬於面向主流伺服器的 RDIMM 類型，顆粒製造工藝非常先進但未具體披露 (應該就是 10nm 級別)，號稱功耗比此前的 8Gb 顆粒降低了 20%。該組 64GB 記憶體採用雙 Rank 配置，Samsung 亦正在開發 4 Rank 128GB RDIMM、8 Rank 256GB LRDIMM。

Samsung 指出，由於 AMD EPYC 系列及 Intel Xeon Scalable M 系列處理器可以同時管理 12 或 16 組記憶體插槽，因此可以在下一代處理器支援高達 4TB 容量的記憶體，Samsung 亦展示了搭配 Intel Xeon、AMD EPYC 處理器使用的平台，若果插滿 256GB 記憶體模組的話，單路總容量分別可達 3TB、4TB。

Samsung 最新宣佈推出高密度 SATA SSD 「PM883」，是業界首款 2.5 吋 SATA 6.0Gbps SSD 採用 LPDDR4 DRAM 模組，搭配最新 V-NAND Flash，以低功耗實現高水平的儲存密度，預計高性能「PM883」將可為現有企業及雲端儲存系統帶來最佳效率，從而提高經濟效益。

Samsung 全新「PM883」採用基於先進的 10nm 工藝技術的 16Gb LPDDR4 DRAM，同時亦是業界首款產品兼容 SATA 3.3 PWDIS 功能，可在單個 SSD 單元中進行電源管理，從而最大限度提高未來數據中心的效能。

「PM883」SSD 採用 Samsung 自家專有控制器以及 64 層 TLC V-NAND 記憶體，全新產品採用 4TB 及 8TB 原始 NAND Flash，可分別提供 3840 GB 及 7680 GB 儲存容量。同時，與其他 SSD 相比 PM883 的最大特性並非儲存容量，而是提供非常低的功耗，在讀取時其功耗僅為 2.8W，寫入時功耗亦只有 3.7W。

據 Digitimes 最新消息，Samsung 位於 Pyeongtaek 平澤的 NAND Flash 晶圓廠在 3 月 9 日出現停電事故，市場觀察人士稱，在 Samsung NAND Flash 晶圓廠半小時停電期間，大約 5,000-60,000 個晶圓被損壞，三月份受損的晶圓相當於 Samsung 整體 NAND Flash 產量的 11%左右，TechNews 預計損失相當於 3 月份的全球供應的 3.5% 左右。

Samsung 方面則表示，雖則 NAND Flash 晶圓廠停電約半小時，但備用電源 ( 設計為 20 分鐘 ) 的有效啟動應對了突發狀況，所以不會對 NAND Flash 運營造成顯著影響。

根據 DRAMeXchange 的數據，NAND Flash 市場在 2018 年第一季度出現了輕微的供過於求的局面，這是因為去年缺口明顯時，主要 NAND Flash 晶圓廠均加碼提升產能和良率，同時主要供應商亦提高 3D NAND Flash 的產量，加上終端市場需求增長因季節性因素而放緩，NAND 合約定價保持平穩或略有下降。