充電 15 分鐘補回 50% 電量 支援 QC 4 充電產品今年下半年開始上市 Qualcomm 在日前宣佈新一代 Quick Charge 4 產品將會在今年下半年開始上市,據悉 Quick Charge 4 將會用於 Qualcomm 搭載旗艦級 SoC Snapdragon 835 、最新發佈的 Snapdragon 660 、 630 的設備上,或將提供高達 28W 的充電功率,讓手機在約 15 分鐘充電時間就能補回 50% 電量。

據 Qualcomm 資料顯示,全新 Quick Charge 4 是旗下最新的快速充電技術,相比上代與 Quick Charge 3.0 充電,充電速度能夠提供快 20% 、多 30% 的充電效率,同時充電時發出的熱能比以往低 5°C 。

充電時間方面 , Quick Charge 4 將能提供最高 28W 的充電功率,遠超其他 Quick Charge 快速充電標準,讓手機在大約 15 分鐘或更短時間內將智能手機的電量從零充至 50% 。
智慧型手機記憶體升級需求帶動 LPDDR4X 成 2017 年行動式記憶體供貨主流 DRAMeXchange 在 8 日發表最新記憶體研究顯示,在 Samsung 、 SK Hynix 及 Micron 三大原廠的奈米製程轉進及智慧型手機主流 AP ( 應用處理器 ) 的搭載需求下, LPDDR4X 的產出比重持續增加,出貨數量在第二季開始將超越 LPDDR4 ,且由於 LPDDR4 及 LPDDR4X 已呈同價趨勢,兩者和 LPDDR3 的價差都小於 5% ,也加速 LPDDR4 系列(含 LPDDR4X )的導入速度,預估全年度 LPDDR4 系列將達到 5 成以上的市占率,正式取代 LPDDR3 成為 2017 年行動式記憶體的搭載主流。

DRAMeXchange 表示,在行動裝置及消費性電子產品蓬勃發展下,行動式記憶體已不單應用在智慧型手機上,亦普遍用於 Ultrabook 超薄筆記型電腦、物聯網相關的穿戴式裝置、高畫質電視、電動車等,而就總需求數量來看,仍以智慧型手機的應用為大宗。

DRAMeXchange 指出, LPDDR4 較 LPDDR3 在運行效能上雖有所提升,但耗電問題 ( Power Consumption ) 仍屬各大品牌商最急於改善的項目。因此,三大行動式記憶體供應商如 Samsung 、 SK Hynix 及 Micron 都陸續於 2016 下半年推出改善耗電表現的 LPDDR4X 以因應市場需求。根據各供應商提供的比較數據來看, LPDDR4X 和 LPPDDR3 相比,在單體上約有 40% ~ 50% 省電表現,較 LPDDR4 也有 10% ~ 20% 的表現。
七大方面改良及提升 Qualcomm 發佈 Snapdragon 660/630 行動平台 Qualcomm 在 9 日正式宣佈推出全新 Snapdragon 660 及 Snapdragon 630 行動平台,雖然僅屬中階型號的處理器,但就特別針對 CPU 及 GPU 性能、相機鏡頭、網路連接性、電源管理等多方面進一步改良, Snapdragon 660 更是首款 600 系列行動平台加入 Kryo 處理器架構。

Qualcomm 在最新發佈了 2 款行動平台產品分別為 600 系列行動平台 Snapdragon 660 及 Snapdragon 630 SoC ,採用 14nm FinFET 工藝製程技術,特點是將此前 Qualcomm 旗艦設備上的性能、下放到了中階行動裝置的產品線之中。 Snapdragon 660 及 Snapdragon 630 同樣可以提供高達 8GB 的記憶體容量,並支援 H.264 (AVC) 、 H.265 (HEVC) 、 VP9 、 VP8 影像解碼、 Vulkan API 應用程式介面等。

Qualcomm Snapdragon 660 及 630 分別在相機鏡頭、音效、視覺處理、連接性、改進 CPU 與 GPU 性能、快速充電、安全性及機器學習等七大方面作出改良,務求為用家提供更高質的使用體驗。
Toshiba 在 Dell EMC World 2017 首次公開展示 64 層堆疊 1TB SSD 在 Dell EMC World 2017 大會上, Toshiba 首次向外展示採用 64-layer BiCS FLASH 3D 堆疊技術的 SSD 產品,採用 PCIe 3.0 連接介面、支援 NVMe 技術,提供 1TB 容量以及內置在筆記本電腦之中。

據了解, Toshiba 在會上現場展示的一台筆記本電腦,內含一個 1TB 的 BiCS 3D TLC NAND 的 XG3 系列 NVMe PCIe 固態硬盤, Toshiba XG3 系列亦就是 OCZ RD400 消費級 NVMe 固態硬盤的 OEM 版本。

BiCS FLASH 是一種 3D NAND Flash 堆疊單元結構,適用於企業級或消費級 SSD 等需要高容量及高性能應用,全新 BiCS FLASH 為 512-Gigabit 介面、 64 層堆疊 3-bit-per-cell 三階儲存單元 TLC 技術,比 Toshiba 上代 48 層堆疊製程 256 Gigabit 介面相比,每單元晶片密度高出 65% 。
搭載 Intel Curie 晶片 管理運動健康新方式 90 分 Ultra Smart 智能跑鞋正式上市 Intel 上週宣布攜手小米生態鏈企業「潤米科技」聯合發佈 90 分 Ultra Smart 智能跑鞋在中國內地正式上線發售,這是首款在中國上市及量產、搭載 Intel Curie 晶片的 Intel Inside 智能跑鞋,旨在通過創新科技發掘運動數據的價值,重塑健康管理及運動健身的方式。

現今人類生活中越來越多物件及設備正實現互聯互通,各種新型智能互聯設備不斷湧現,智能跑鞋能夠對運動數據進行收集及分析,讓用戶得到實時的身體數據反饋,確保健康管理及運動健身有據可循,而一系列技術的進步,正在讓這種全新的智能互聯體驗成為可能。

Intel 與潤米科技合作推出的「 90 分 Ultra Smart 」智能跑鞋內置的 Intel Curie 晶片,是一個僅有鈕扣大小、具備設計靈活性的微型硬件產品。這款高度集成的低功耗解決方案,能夠提供包括計算、動作傳感器、低功耗藍牙、電池充電及可以優化傳感器數據分析的模式匹配等一系列功能。 Curie 晶片備有集成及獨特的模式匹配引擎,可以快速精確地識別不同的動作,非常適用例如健康類、社交通知類、運動類可穿戴設備及其它互聯設備等的應用程式。