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2011-01-05
據市場調查機構 DRAMeXchange 5 日發表的 NAND Flash 預測,由於 SSD 固態硬碟廣受用戶歡迎,加上未來更輕薄的 m-SATA 介面 SSD 將受到廠商使用,因此, DRAMeXchange 預期 2011 年 NAND Flash 的應用將會更多元化,令整個 NAND Flash 產業有正面幫助。據 DRAMeXchange 表示,由於 SSD 擁有高傳輸速度,同時兼具省電與抗震動等的特點,因此在未來固態硬碟的需求不斷,而隨著單一 SSD 搭載的 NAND Flash 數量需求較隨身碟多, 對於 NAND Flash 需求有著很大的助益。
儘管去年因 Flash 價格高企影響 SSD 普及進度,但隨著去年第四季 Apple 推出全新 Macbook Air ,其內建輕薄 m-SATA 介面 SSD ,令廠商對於 m-SATA 介面 SSD 需求進一步提升,同時,平板電腦與內建式刊設備亦對 m-SATA 介面 SSD 有著一定需求,因此 DRAMeXchange 預期 NAND Flash 出貨量將會持續提升。
2010-12-31
據市場調查機構 DRAMeXchange 發表的 12 月下旬記憶體報告指出, 12 月下旬 NAND Flash 合約價止跌回穩,部分產品走勢出現上揚,另一方面, DRAM 顆粒合約價則仍持續下跌,其中 DDR3 2GB 合約均價跌幅達 10% 。據 DRAMeXchange 表示, NAND Flash 合約價於 12 月下旬止跌回升,其中主流的 32Gb MLC NAND Flash 顆粒合約均價為 5.22 美元,價格與 12 月上旬相若, 32Gb TLC NAND Flash 顆粒合約均價則出現上揚走勢,最高至 4.2 美元,升幅接 4.5%
據了解, NAND Flash 合約價能夠止跌回穩,主要是由於早前 ToshibaNAND Flash 廠房出現電壓問題影響生產,記憶體廠商需要提早備貨,令價格回穩。不過據 DRAMeXchange 表示,由於預期明年首季 NAND Flash 仍供過於求,即使平板電腦帶動需求,但合約價走勢未見明朗。
2010-12-01
11 月正式完結,據市場調查機構 DRAMeXchange 發表 11 月下旬 DRAM 成交報告,其中 DDR3 2GB 的合約均價持續下跌,低價成交價亦下跌 21 美元,由第四季開始截至目前為止,已錄得和過 30% 跌幅,據 DRAMeXchange 預估, DDR3 1Gb 合約價第四季 QoQ 價格跌幅將近四成。自第四季以來,由於各大 DRAM 廠產出持續增加,但在需求減弱下,令到 DRAM 出現供過求情況,其中十一月下旬 DDR3 2GB 的合約均價再度下跌 12% ,價格則由 25 美元下跌至 22 美元,最低成交更達到 21 美元,跌幅超過 30% 。
其中在 DDR3 記憶體顆粒中, DDR3 1Gb eTT 顆粒均價下跌約 5% 至 1.32 美元,,不過 DDR2 1Gb eTT 顆粒均價則由於在低產量下保持平穩,但亦錄得輕微跌幅,預計 DDR3 1Gb 合約價第四季 QoQ 價格跌幅將近 40% 。此外,由於部份台系廠商所出產的 DRAM 顆粒出現良率不足問題,令市場時脈較低的 DDR3 顆粒數量增加,其價格亦跌至接近 1 美元水平。
2010-11-25
市場調查機構 DRAMeXchange 25 日發表最 DRAM 調查報告,指出 DDR3 2GB 合約價格自 2010 年自上半年高位過後,其跌勢一直未有停止,截至 11 月上旬,其合約均價更跌至 25 美元,與高位比較下跌幅接近一半,同時, DRAMeXchange 更預期至年底前, DDR3 2GB 合約價格更有望持續下跌至接近 20 美元。據 DRAMeXchange 調查報告指出,自 2010 年自上半年的 46.5 美元高位後, DDR3 2GB 合約價格一路持續下跌,其中由開始已由 9 月的 40 美元至 10 月下跌至 30 美元,而截至 11 月上旬, DDR3 2GB 合約價格更跌至 25 美元,與今年高位相比跌幅達 46% 。
主要原因是由於市道不境氣所影響,令記憶體於傳統旺季需求仍不暢旺,加上 DRAM 產出方面,除了 Samsung 基於製程優於其他同業而能夠有較佳表示外,其他廠高因為浸潤式機台移入時間集中在下半年,在產出量於第四季大增的情況下,使供應量亦隨之大幅增加,在 DRAM 廠商有銷貨上的壓力下,逼使到合約價進一步下調。
2010-11-25
由於先進國家市場經濟將持續復甦,加上受惠平板電腦及智慧型手機新機種上市的情況下,據市場調查機構 DRAMeXchange 25 日發表的 2011 年全球 NAND Flash 市場展望報告提及,預期 1Q11 NAND Flash 市場受淡季的影響程度將會減低,並可回復到較平穩的狀況。據 DRAMeXchange 指出,雖然目前全球經濟復甦狀況比市場原先預期稍緩,但由於部份先進國家經濟持續復甦,加上明年 2H 電子業季節性旺季需求也可望比今年明顯改善,令 NAND Flash 需求得以進一步帶動提升,儘管上半年仍會受淡季因素影響,但在 1Q11 中國農曆年假期與平板電腦及智慧型手機新機種上市的助益,加上 NAND Flash 廠商已為明年放緩產出速度以紓緩供過於求的影響作好準備,因此預期受淡季的影響程度將會減低,其中, DRAMeXchange 更預估 2011 年 iPad 的全年出貨量將可達到 5000 萬台,令內建式 NAND Flash 的比重將大幅提升至超過 60% 。
以目前市場價格來看,季節性因素仍將會影響 NAND Flash 價格未來走勢,其中由於 NAND Flash 價格在廠商節制供給成長及改善獲利性的努力下使其價格跌幅已低於往年,可是由於製程技術提升令成本下降,因此預期期 2011 年上半年 NAND Flash 價格跌幅仍有一定水平,而且有機會大於下半年表現,不過預期較後時間將會重拾平穩。