現時 NVIDIA 及 AMD 採用的繪圖記憶體技術正不斷進步，除了傳統的 GDDR 之外，NVIDIA 及 AMD 都會在旗艦產品上採用 HBM 記憶體，最新 JEDEC 公佈了 JESD235 HBM DRAM 繪圖記憶體標準規範的升級版“JESD235B” ，單顆容量提升了 1.5 倍達至 24GB，頻寬最高為 307GB/s，理論上 4 顆堆疊的 HBM 2 即可實現 96GB 記憶體容量。

HBM 高頻寬記憶體用於圖形、高性能運算、伺服器、網絡及客戶端應用程式，運用在 3D 堆疊 DRAM 的高效能記憶體介面，通常與高效能圖形加速器或網路裝置結合使用，在 2013 年由 JEDEC 採用成為業界標準，而第 2 代 HBM2 也於 2016 年 1 月由 JEDEC 採用。

JEDEC 最新就公佈了 JESD235 HBM DRAM 標準的更新，利用 Wide I/O、TSV 矽穿孔技術，新的標準可以在全頻寬下支援 2-Hi、4-Hi、8-Hi 和 12-Hi TSV 堆疊，從而使系統在容量部份達至更高的靈活性，實現了 1.5 倍的容量提升，最大做到 24GB。同時，單個針腳頻寬提升到 2.4Gbps(300MB/s)、 1024-bit，分成八個獨立通道，最高可達 307GB/s 頻寬。

Intel 及 Micron 在今年 1月份正式宣布兩者之間共同合作的 NAND Flash 業務於完成第三代 3D-NAND Flash（96層）開發之後終止，結束 12 年的合作夥伴關係，當大家以為 Intel 及 Micron 可以和平分手之時，近日就出現一個戲劇性的新發展，Intel 最新已經對一名前僱員提起訴訟，聲稱該名員工竊取其 3D XPoint 技術的絕密文件，並將資料交到 Micron 手中。

3D XPoint 是由 Intel 及 Micron 合作開發的技術，兩者合資的 IM Flash 晶圓廠成立於 2006 年，孕育的首批產品是 72nm NAND，為 Intel 與 Micron 生產 non-volatile memory ( NVDIMM ) 非揮發性記憶體，並負責生產用於 SSD、手機、平板電腦等產品中的 NAND Flash。IM Flash 晶圓廠於 2015 年開始研發 3D XPoint 技術，這是 25 年來第一個全新的記憶體方案，該技術的開發是為了滿足不同類型客戶快速增長的數據需求。

到 2012 年，Intel 將 IMFT 工廠的股份賣給了 Micron，保留位於猶他州的 Lehi 工廠，Intel 與 Micron 兩者最重要的 3D XPoint Optane 快閃記憶體，則會在 Lehi 工廠聯合研發製造，據了解，3D XPoint 的價值號稱高達數十億美元，全球只有幾百個人知道當中的機密技術，儘管 3D XPoint 是 Intel 及 Micron 共同研發，但是雙方是獨立運作，不少技術都並非共同擁有的。

DRAM 價格持續上漲了兩年多終於開始有下跌的跡象，市場亦預測需求將會持續下降，因此三大 DRAM 巨頭 Samsung、SK Hynix 及 Micron 紛紛計劃削減 2019 年的 DRAM 產能，在需求放緩的情況下保持供應緊絀及維持價格在理想水平。最新 UBS 瑞銀分析明年第一季度 DRAM 環比降幅高達 15%，高於預期的 10%-12%，看來 2019 年的 DRAM 價格將會更陡峭。

UBS 瑞銀分析師 Timothy Arcuri 最新的一份報告中表示，歸咎於 CPU 短缺導致主流級 Desktop 平台、伺服器、移動 DRAM 等需求減弱，DRAM 價格的下跌速度比先前預測的更快，預計 2019 年第一季度 DRAM 混合合同定價將連續下降 12%-15%，而預計下降 10%-12%。

至於 NAND Flash 方面，PC OEM 製造商正在削減 SSD 庫存，智能手機的需求也繼續疲軟，影響了 NAND Flash 的需求，預計 2019 年第一季度 NAND Flash 價格將下降 10-15%。

DRAMeXchange 日前發布了 2018 年第三季度全球 DRAM 記憶體市場報告，2018 年第三季 DRAM 整體產業營收較上季成長9%，再創歷史新高。觀察各產品類別的報價走勢，除了 Graphic DRAM 繪圖卡記憶體受到 cryptocurrency 虛擬挖礦需求驟減與基期太高的影響，出現 3% 左右的跌幅，以及消費性市場應用主流 DDR3 因需求轉弱而率先走跌外，其餘主流應用別的記憶體（包含標準型、服務器、行動式內存）仍維持 0-2% 的季漲幅。

DRAMeXchange 指出，有別於過去兩年多來營收成長主要由報價上揚所帶動，由於 DRAM 產能已在下半年陸續開出，第三季價格漲幅基本已接近持平，因此營收成長主要來自於位元出貨量的持續提升。展望第四季，10 月份的 DRAM 合約價已經正式走跌，除了宣告 DRAM 價格漲勢告一段落，供過於求加上高庫存水位的影響更導致價格跌幅劇烈。預期在供給端、渠道端、採購端庫存尚未完全消化前，2019 年第一季的合約價恐將面臨更大的跌價壓力。

從營收角度觀察，DRAMeXchange 指出，在產業邁向反轉之際，小廠受到的衝擊較龍頭廠來得實時且劇烈，因此大小廠商的表現在第三季開始出現分歧。產業龍頭 Samsung 受惠於新增產能逐漸放量，位元出貨成長顯著，儘管平均銷售單價未有明顯變化，但營收仍較上季成長13.6%，來到127.3億美元的新高，在三大廠中表現最為亮眼。而 SK Hynix 在產出提升及平均銷售單價小幅上揚 1% 的助力下，營收季增 6.0% 至 81.5 億美元。兩大韓廠營收市佔分別為 45.5% 與 29.1%，合計約 74.6%。

DDR4 記憶體發展已經非常成熟並是現時 PC 平台的主流產品，因此各 DRAM 廠商亦推向下一個新的階段 —「DDR5」，SK-Hynix 最新宣佈已成功開發出16 Gb DDR5 DRAM，是業界首款符合 JEDEC 標準的 DDR5，傳輸速度最高可達 5200 Mbps，為公司帶來了業界領先的競爭優勢。

SK-Hynix 表示，旗下全新推出的 DDR5 是下一代 DRAM 的新標準，並是業界首款符合 JEDEC 標準的 DDR5 DRAM，相比現時主流的 DDR4，新的 DDR5 DRAM 擁有更高的傳輸速度、更高密度及更低的功耗，非常適合用於大數據、人工智能和機器學習等數據密集型應用。

SK-Hynix 成功地將 16 Gb DDR5 DRAM 的工作電壓從 1.2V 降至 1.1V，與上一代 DDR4 DRAM 相比，功耗降低了 30%，同時全新的 16 Gb DDR5 DRAM 支援 5200 Mbps 的數據傳輸速率，比上一代 3200 Mbps 快約 60%，頻寬高達41.6GB/s，能以每秒傳輸 11 部全高清電影。